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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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SpeedVal Kit平臺(tái)采用模塊化方法簡(jiǎn)化評(píng)估
新一代功率半導(dǎo)體將以碳化硅(SiC)技術(shù)為推動(dòng)力,服務(wù)于快速增長(zhǎng)的純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)市場(chǎng)和充電基礎(chǔ)設(shè)施,滿(mǎn)足日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,并滿(mǎn)足工業(yè)和可再生...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體SiC 450 0
SpeedVal Kit生態(tài)系統(tǒng)簡(jiǎn)化碳化硅部件評(píng)估過(guò)程并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間
新一代功率半導(dǎo)體的高功率應(yīng)用正在越來(lái)越多地使用碳化硅 (SiC) 部件,來(lái)滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē) (EV)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏取⒏咝?..
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體SiC 639 0
本文我們將重點(diǎn)介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo),并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
封裝測(cè)試是半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中的重要一環(huán),在電子產(chǎn)品向小型化、集成化方向發(fā)展的趨勢(shì)下,系統(tǒng)級(jí)封裝SIP(System In a Package系統(tǒng)級(jí)封裝)受...
為什么礦機(jī)電源對(duì)效率和可靠性要求越來(lái)越高
作為半導(dǎo)體材料,SiC具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),這便給SiC器件帶來(lái)了諸多特征參數(shù)方面的提升,比如更低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)...
伺服驅(qū)動(dòng)器是用來(lái)控制伺服電機(jī)的一種控制器,其作用類(lèi)似于變頻器作用于普通交流馬達(dá),屬于伺服系統(tǒng)的一部分主要應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。
2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體變頻器定位系統(tǒng) 3021 0
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之DEC模塊運(yùn)行流程
確認(rèn)TSC模塊完成后,回到ZnGeP2目錄,使用命令 dasp 3 執(zhí)行DEC模塊。DEC模塊會(huì)在第一步已經(jīng)生成的dec目錄中繼續(xù)輸出相關(guān)文件,包括缺陷...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之PREPARE模塊運(yùn)行流程
新建目錄ZnGeP2,在./ZnGeP2/目錄內(nèi)同時(shí)準(zhǔn)備好以上的POSCAR文件與 dasp.in 文件,執(zhí)行 dasp 1 ,即可啟動(dòng)PREPARE模...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之準(zhǔn)PREPARE
ZnGeP2是一種非線(xiàn)性光學(xué)材料,但是其帶隙內(nèi)存在的較多光吸收峰限制了其應(yīng)用,實(shí)驗(yàn)上認(rèn)為這些吸收與點(diǎn)缺陷相關(guān)。因此,有必要對(duì)ZnGeP2的點(diǎn)缺陷性質(zhì)開(kāi)展...
除了氮化鎵,快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更...
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電源系統(tǒng) 3975 0
公牛車(chē)充拆解|拓爾微A+C雙口快充方案IM2403+TMI3451
在快節(jié)奏的生活中,手機(jī)已成為人們不可或缺的工具。對(duì)于經(jīng)常開(kāi)車(chē)出門(mén)的人來(lái)說(shuō),在車(chē)上給手機(jī)充電已經(jīng)成為剛需,因此車(chē)載充電器是很多車(chē)主的不二之選,它能便捷地解...
半導(dǎo)體領(lǐng)域集成微多孔透氣膜材料應(yīng)用介紹
POD無(wú)塵拖鏈護(hù)套采用高分子PU與e-PTFE基膜(PD014PD011)復(fù)合制成。POD無(wú)塵拖鏈護(hù)套專(zhuān)用e-PTFE基膜(PD014PD011)具有低...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁...
IGBT和MOSFET該用誰(shuí)?你選對(duì)了嗎?
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅(qū)...
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