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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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基于國(guó)產(chǎn)單晶襯底的150mm 4H-SiC同質(zhì)外延技術(shù)進(jìn)展
本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過(guò)在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝,實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...
半導(dǎo)體技術(shù)之?dāng)?shù)電門(mén)電路
三種基本運(yùn)算(與、或、非),復(fù)合邏輯計(jì)算(與非、或非、與或非、異或、同或),邏輯代數(shù)的基本公式和常用公式,邏輯代數(shù)的基本定理(帶入定理、反演定理、對(duì)偶定...
晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介
經(jīng)過(guò)前端工藝處理并通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨(Back Grinding)開(kāi)始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序,其目的不僅是為了減少晶圓厚度...
雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計(jì)算預(yù)測(cè)(Cs2AgBiCl6 01)
在以上的案例中,我們展示了TSC模塊可以計(jì)算元素化學(xué)勢(shì),用于DEC模塊的缺陷形成能計(jì)算。此外,TSC也可以獨(dú)立運(yùn)行來(lái)分析目標(biāo)化合物的穩(wěn)定性,而無(wú)需先行做...
2023-05-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體數(shù)據(jù)庫(kù) 1232 0
作為電子系統(tǒng)中的最基本單元,半導(dǎo)體功率器件在包括汽車(chē)電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算(非輻射俘獲系數(shù)計(jì)算CDC)
針對(duì)任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計(jì)算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢(shì)空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級(jí)、各生長(zhǎng)條件下的費(fèi)米能...
AXOP31862: 0.9μV 超低噪運(yùn)算放大器 (雙通道)
AXOP31862 也具有軌到軌的輸出擺幅能力,其容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力可達(dá)100pF。封裝方面AXOP31862可提供多種不同的封裝形式:SOT23-8, ...
2023-05-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體濾波器運(yùn)算放大器 797 0
制作半導(dǎo)體產(chǎn)品的第一步,就是根據(jù)所需功能設(shè)計(jì)芯片(Chip)。然后,再將芯片制作成晶圓(Wafer)。由于晶圓由芯片反復(fù)排列而成,當(dāng)我們細(xì)看已完成的晶圓...
2023-05-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)晶圓測(cè)試 3244 0
雷卯二極管半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和參數(shù)對(duì)比
肖特基二極管由金屬與半導(dǎo)體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面,它由多數(shù)載波進(jìn)行,具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF)的快速響應(yīng)。肖特基二極管廣泛應(yīng)用于高頻電路中。
半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定理的發(fā)展,集成電路的密度將越來(lái)越高,且尺寸越來(lái)越小。所有芯片工作時(shí)都會(huì)發(fā)熱,熱量的累積必導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度的升高,隨著結(jié)點(diǎn)溫度提高,半導(dǎo)體元...
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。作...
存儲(chǔ)器接口,數(shù)據(jù)安全的關(guān)口
隨著數(shù)智時(shí)代的到來(lái),智能設(shè)備的普及度越來(lái)越高,用戶受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風(fēng)險(xiǎn)和頻率也在不斷增加。然而,漏洞不只是存在于軟件中,硬件中也一樣存在。
深度剖析超寬禁帶技術(shù),看它如何成就卓越設(shè)計(jì)
在了解UWBG半導(dǎo)體之前,我們先回顧一下WBG半導(dǎo)體有別于傳統(tǒng)硅器件的地方。WBG半導(dǎo)體與同等的硅器件相比更小、更快、更高效。WBG器件能在極具挑戰(zhàn)性的...
2023-05-09 標(biāo)簽:電源驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 2477 0
NTC熱敏電阻是一類在工業(yè)測(cè)溫領(lǐng)域應(yīng)用相當(dāng)廣泛的溫度傳感器。與半導(dǎo)體集成溫度傳感器相比,NTC熱敏電阻具有測(cè)溫范圍寬、使用方便、價(jià)格低廉等特點(diǎn);與鉑熱電...
介紹先進(jìn)封裝基板的發(fā)展趨勢(shì)和技術(shù)方向
封裝基板作為半導(dǎo)體封裝的載體,為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐和散熱。
2023-05-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體asic 2369 0
離子注入技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
離子注入過(guò)程提供了比擴(kuò)散過(guò)程更好的摻雜工藝控制(見(jiàn)下表)。例如,摻雜物濃度和結(jié)深在擴(kuò)散過(guò)程中無(wú)法獨(dú)立控制,因?yàn)闈舛群徒Y(jié)深都與擴(kuò)散的溫度和時(shí)間有關(guān)。離子注...
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