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標(biāo)簽 > 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
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IGSS對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)漏電流的影響
dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力,越大越好。對(duì)系統(tǒng)來說,過高的dv/dt必然會(huì)帶來高的電壓尖峰,較差的EMI特性,不過該變化速率通過系統(tǒng)電路...
并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)
為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì),傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似,以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而,屏蔽 MOSFET 會(huì)增加成本和復(fù)雜性...
導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成,可使正負(fù)信號(hào)傳輸,如果將不同VI
什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)?
數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...
2022-08-20 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5277 0
在高溫下,溫度系數(shù)會(huì)顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級(jí)的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的,在接近最高結(jié)溫時(shí),溫度系數(shù)會(huì)讓這些MOSFET變得...
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實(shí)現(xiàn)最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...
艾為電子推出超低導(dǎo)通電阻的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)-AW35321QNR
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω(典型值)超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號(hào)的特性使其非常適合應(yīng)用于...
2023-10-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻模擬開關(guān)QFN封裝 2759 0
揚(yáng)杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開關(guān)和導(dǎo)通特性
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性; 2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性,顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù),SGT ...
2020-11-26 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻揚(yáng)杰科技 2698 0
開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)有什么影響
本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為20170711_graf_12和20170711_graf_13,同樣按兩個(gè)步驟來推導(dǎo)。
國產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破,1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢(shì)?
眾所周知,GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們?cè)陂_關(guān)操作期間的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加,這會(huì)影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
2023-11-22 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件 2183 0
MAX14634超低導(dǎo)通電阻和緊湊型雙向電池開關(guān)
MAX14634雙向電池開關(guān)功能的反向阻斷能力,從系統(tǒng)中隔離電池, 該設(shè)備是在一個(gè)超小型的12焊球(1.3毫米x1.7毫米,0.4mm間距)WLP封裝。
2012-06-25 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻MAX14634雙向電池開關(guān) 2179 0
Transphorm發(fā)布240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì)
近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì)。
Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車級(jí)80V P溝道MOSFET,以提高系統(tǒng)能效和功率密度
汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導(dǎo)通功耗,節(jié)省能源,同時(shí)增...
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列,為電動(dòng)汽車快速充電和太陽能市場(chǎng)提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
2021-01-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車導(dǎo)通電阻SiC 1768 0
飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ ...
Vishay推出最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在...
合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08
大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性,在大功率應(yīng)用場(chǎng)景如電車、儲(chǔ)能電站、光伏等高功率應(yīng)用上具有重要作用。
最小導(dǎo)通電阻!瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET
瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。
Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優(yōu)異的RDS(ON)導(dǎo)通電阻低至0.65 mW
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 ...
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
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