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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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PowerMOSFET在變頻器電路中如何起續(xù)流保護作用
PowerMOSFET有三個極,即源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。控制信號“GS加于柵極和源極之間,改動UGS的大小,便可改動漏極電流ID的大小。由...
功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣,這些封裝方式不僅保護了功率半導(dǎo)體芯片,還提供了電氣和機械連接,確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對功率半導(dǎo)體主要封裝方式的...
2024-07-24 標(biāo)簽:封裝晶體管功率半導(dǎo)體 2521 0
T3Ster作為一款先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測試儀器,能幫助用戶在數(shù)分鐘內(nèi)獲取各類封裝的熱特性數(shù)據(jù)。
芯片內(nèi)部有成千上萬個晶體管,這些晶體管組成內(nèi)部的門電路、組合邏輯、寄存器、計 數(shù)器、延遲線、狀態(tài)機、以及其他邏輯功能。隨著芯片的集成度越來越高,內(nèi)部晶體...
某個多功能芯片Spec要求是使用+/-5V供電,而內(nèi)部部分單元需要用到一些特殊電壓的供電,因此需要設(shè)計一個LDO,由于是GaAs pHEMT工藝,只有N...
固定和可變的又分為標(biāo)準(zhǔn)型和LDO型。LDO是Low Dropout的簡稱,相對于標(biāo)準(zhǔn)型3V左右的壓差電壓(可進(jìn)行穩(wěn)定工作的最低輸出輸入電壓差),改良的1...
2020-04-05 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器線性穩(wěn)壓器晶體管 2507 0
今天和大家分享一下MOSFET的設(shè)計參數(shù),MOSFET在電路設(shè)計中應(yīng)用非常廣泛,尤其是模擬電路中,各種電源變換,電機控制中都會看到MOSFET的身影,而...
千兆級電路仿真器NanoSpice Giga實現(xiàn)比FastSPICE仿真器更快速度
NanoSpice Giga?是業(yè)界首個千兆級晶體管級SPICE電路仿真器,通過獨創(chuàng)的基于大數(shù)據(jù)的并行仿真引擎處理十億以上單元的電路仿真,可以用于各類存...
跟蹤發(fā)射機是一種特殊的無線電通信設(shè)備,通常由信號發(fā)射機和定向天線組成。它的工作原理是,發(fā)射機發(fā)出無線電信號,這些信號覆蓋整個預(yù)定的無線電波段,例如FM波...
脈沖振蕩器是開關(guān)電源中至關(guān)重要的組成部分,負(fù)責(zé)產(chǎn)生周期性的脈沖信號。這些脈沖信號控制著開關(guān)晶體管的開閉,進(jìn)而調(diào)節(jié)能量的傳遞與轉(zhuǎn)換。其工作原理涉及電子電路...
摩爾定律可能不再有效,因為技術(shù)進(jìn)步已達(dá)到極限,并且由于使用極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)等昂貴設(shè)備而導(dǎo)致成本上升。與此同時,市場對不斷完善的半導(dǎo)體技術(shù)的需...
電力場效應(yīng)管的動態(tài)特性和主要參數(shù)
電力場效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡稱Power FET),特別是其中的絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),在電力...
2024-09-13 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 2491 0
而臺積電在堅持了 20nm 和 16nm 兩代之后,也主動回到了 10nm 的正軌。原因非常簡單,因為 NAND 顆粒并不是制程越小性能越好,20nm ...
一個器件的成本效益,從生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施開始計算。宜普公司的工藝技術(shù),基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 (Aluminum Nitride/...
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