應(yīng)變硅（Strained Silicon）

根據(jù)應(yīng)變的作用方向差異，應(yīng)變還可以分為雙軸應(yīng)變（Biaxial Strain，在晶片表面的x和y兩個(gè)方向上形成相對(duì)一致的應(yīng)力）和單軸應(yīng)變 (Uniaxi...

2022-11-28 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶格 1.1萬 0

構(gòu)筑強(qiáng)Na-O結(jié)合實(shí)現(xiàn)層狀氧化物正極的高空氣穩(wěn)定性

近日，中科院化學(xué)所的郭玉國(guó)研究員與福建師范大學(xué)的黃志高教授、姚胡蓉副教授、黃藝吟教授等人提出了一種有效的改性策略：通過引入和氧軌道雜化作用較弱的過渡金屬...

2022-11-23 標(biāo)簽：正極材料晶格 1867 0

離子調(diào)控鎳基鈣鈦礦氧化物結(jié)構(gòu)和性能領(lǐng)域取得新進(jìn)展

為了更好地理解鎳基鈣鈦礦氧化物質(zhì)子化過程，西湖大學(xué)工學(xué)院陸啟陽(yáng)團(tuán)隊(duì)使用水溶液電化學(xué)方法研究鎳基鈣鈦礦氧化物的質(zhì)子化過程，發(fā)現(xiàn)鎳基鈣鈦礦氧化物晶格在質(zhì)子化...

2022-11-21 標(biāo)簽：晶體晶格 1285 0

高遷移率溝道集成電路

隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （Tunneling FET, TFET) 比傳統(tǒng)的 CMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有更優(yōu)異的開關(guān)特性，更適用于超低功耗的電路。TEFT ...

2022-09-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶格 1865 0

立方砷化硼有望成為下一代電子產(chǎn)品的候選材料

同時(shí)具有高電子和空穴遷移率以及高導(dǎo)熱率的半導(dǎo)體材料有益于提升微電子和光電子器件的性能（1，2）。然而，到目前為止，仍然沒有確認(rèn)同時(shí)具有高遷移率和熱導(dǎo)率的材料。

2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料晶格熱導(dǎo)率 2501 0

影響材料彈性模量的因素

對(duì)于60Si2MnA材料熱處理雖然對(duì)E的影響很小，但是G卻有明顯變化，根據(jù)剪切模量、彈性模量及泊松比的關(guān)系：G=E/(2(1+υ))，可以得出是熱處理會(huì)...

2022-08-30 標(biāo)簽：晶格模量 6733 0

解開VO2的那個(gè)結(jié)

稍有不同的是，如果我們翻閱在溫度坐標(biāo)軸上研究 MIT 的相關(guān)文獻(xiàn)，很容易看到大多數(shù)被關(guān)注的體系之 MIT 都發(fā)生在室溫之下，MIT 在 100 K 附近...

2022-08-30 標(biāo)簽：量子MIT晶格 2119 0

鐵素體鋼中B和C的P致脆和脫脆效應(yīng)的第一性原理研究

晶界(GB)偏析可以顯著改變力學(xué)性能，要通過控制GB來調(diào)控性能，需要了解添加不同元素對(duì)偏析行為影響。磷雖然對(duì)強(qiáng)度、機(jī)加工性能和耐蝕性有一定的影響，但長(zhǎng)期...

2022-08-23 標(biāo)簽：化學(xué)晶格 1373 0

基于銻化物Ⅱ類超晶格InAs/InAsSb的研究進(jìn)展

在半導(dǎo)體超晶格材料體系中，基于Ⅲ-V族半導(dǎo)體的超晶格材料是人們的研究熱點(diǎn)，其帶隙在0.1~1.7eV之間，可作為紅外波段光電子器件的材料，也可應(yīng)用在工業(yè)...

2022-08-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體紅外探測(cè)器晶格 3542 0

高性能銻化物超晶格中紅外探測(cè)器研究進(jìn)展

InAs/GaSb超晶格中存在著嚴(yán)重的SRH復(fù)合，研究發(fā)現(xiàn)，與Ga有關(guān)的本征缺陷在禁帶中心附近引入了缺陷能級(jí)形成的復(fù)合中心是導(dǎo)致SRH機(jī)制主要原因，因此...

2022-04-19 標(biāo)簽：探測(cè)器晶格 2765 0

金屬學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)

金屬在固態(tài)下都是晶體。金屬的性能、塑性變形和熱處理相變都與晶體結(jié)構(gòu)有關(guān)。金屬中最常見的晶格有三鐘：體心立方晶格、面心立方晶格、密排六方晶格。晶體缺陷根據(jù)...

2022-04-07 標(biāo)簽：金屬晶格 2064 0

一種新穎的結(jié)構(gòu)組裝策略，通過引入柔性羧酸胺基元

在前期工作基礎(chǔ)上，中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所結(jié)構(gòu)化學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室“無機(jī)光電功能晶體材料”研究員羅軍華團(tuán)隊(duì)提出了一種新穎的結(jié)構(gòu)組裝策略，通過引入柔性羧...

2021-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電器件晶格 1943 0

讓金屬變得更強(qiáng)的四種工藝

間隙型溶質(zhì)原子比置換原子具有較大的固溶強(qiáng)化效果，且由于間隙原子在體心立方晶體中的點(diǎn)陣畸變屬非對(duì)稱性的，故其強(qiáng)化作用大于面心立方晶體的；但間隙原子的固溶度...

2021-04-08 標(biāo)簽：工藝金屬晶格 3010 0

研究團(tuán)隊(duì)使用理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方法首次發(fā)現(xiàn)了地球深部的超離子態(tài)

地球表面覆蓋著大面積的水，然而地球內(nèi)部不存在或含有極少量的自由水（冰），尤其在下地幔深部水是以羥基氫氧根（OH-）形式賦存在礦物中。不同于超離子冰中的固...

2021-03-22 標(biāo)簽：晶格電導(dǎo)率 2166 0

上海技物所等利用“香蕉球”效應(yīng)實(shí)現(xiàn)太赫茲高頻信號(hào)傳遞

研究人員通過自旋極化角分辨光電子能譜（spin-ARPES）實(shí)驗(yàn)給出電子在自旋（s）、能量（E）、動(dòng)量（k）三個(gè)維度詳細(xì)信息，在NiTe2材料表面觀察到...

2021-03-17 標(biāo)簽：晶格太赫茲高頻信號(hào) 2236 0

“百萬像素中中波雙色制冷紅外探測(cè)器”通過科技成果評(píng)價(jià)

評(píng)價(jià)專家組認(rèn)為：高德紅外提供的資料齊全、完整，符合評(píng)價(jià)要求；公司創(chuàng)新成果得到成功應(yīng)用，研制出國(guó)內(nèi)首款基于銻化物二類超晶格的1280×1024、15μm像...

2021-03-06 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器紅外熱像晶格 1.1萬 0

利用壓力調(diào)控結(jié)合化學(xué)方法揭示了鹵化物鈣鈦礦定量構(gòu)效關(guān)系

“該材料大的八面體畸變主要源于鍺和碘離子大的尺寸失配以及鍺離子的孤對(duì)電子效應(yīng)，這使我們考慮施加壓力調(diào)節(jié)這種畸變，期望實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)和物性的連續(xù)調(diào)控，實(shí)驗(yàn)結(jié)果很...

2021-01-14 標(biāo)簽：測(cè)試技術(shù)晶格鈣鈦礦 2335 0

中國(guó)科學(xué)家開啟全新的鉆石應(yīng)用時(shí)代

此外，他們還通過相對(duì)較大的樣本展示了金剛石微橋陣列如何實(shí)現(xiàn)同步的深彈性應(yīng)變。而超大的、高度可控的彈性應(yīng)變，則能從根本上改變金剛石的能帶結(jié)構(gòu)，最終計(jì)算出帶...

2021-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金剛石晶格 2639 0