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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
行業(yè)突破！開關(guān)損耗直降50%，英諾賽科氮化鎵器件憑何打動美的？
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透射電鏡在氮化鎵器件研發(fā)中的關(guān)鍵作用分析
在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級別的排列細(xì)節(jié)——這種...
2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵透射電鏡 1.1k 0
?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔摘要
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3.5k 0
?TPS7H60x5-SP/SEP系列輻射強(qiáng)化GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括TP...
2025-09-26 標(biāo)簽：ldoFET場效應(yīng)晶體管 3.2k 0
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括...
2025-09-26 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3.2k 0
納微雙向氮化鎵開關(guān)和IsoFast高速驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)單級變換新范式
如今，超過70%的高壓功率變換器采用 “兩級” 硅基拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。例如，典型的AC-DC電動汽車車載充電機(jī)（OBC）會先配置PFC級，再串聯(lián)DC-DC級，中...
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信...
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路...
氮化鎵（GaN）技術(shù) | 電源領(lǐng)域的革命性突破
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性...
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型立即下載
類別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵Nexperia
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書立即下載
類別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵HEMT
DK065G高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片規(guī)格書V1.1立即下載
類別：IC中文資料 2024-07-10 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵AC-DC
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近日，納微半導(dǎo)體宣布了一系列重要人事任命，多名高管的加入將為納微注入全新動力。
2025-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 238 0
GaN（氮化鎵）與硅基功放芯片的優(yōu)劣勢解析及常見型號
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢對比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)...
東科合封氮化鎵芯片DK8710BD助力華碩100W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出
前言消費(fèi)者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華...
納微半導(dǎo)體公布2025年第三季度財務(wù)業(yè)績
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克...
2025-11-07 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 1.2k 0
英飛凌推出首款100V車規(guī)級晶體管，推動汽車領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)創(chuàng)新
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會（AE...
新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，...
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、...
芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 1.8k 0
廣電計量出席半導(dǎo)體功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵時期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體在新能源汽車、服務(wù)器電源、光伏儲能、高密...
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