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標(biāo)簽 > 電壓
電壓(voltage),也稱作電勢(shì)差或電位差,是衡量單位電荷在靜電場(chǎng)中由于電勢(shì)不同所產(chǎn)生的能量差的物理量。其大小等于單位正電荷因受電場(chǎng)力作用從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn)所做的功,電壓的方向規(guī)定為從高電位指向低電位的方向。電壓的國際單位制為伏特(V,簡(jiǎn)稱伏)
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如果說電流是實(shí)現(xiàn)電容器功效的重要環(huán)節(jié)之一,那么額定的電壓則的存在是啟動(dòng)電容器的鑰匙。正是因?yàn)樽杩剐纬闪穗妷翰睿乓饛恼龢O到負(fù)極的電量流動(dòng),從而激發(fā)電容...
看似“神秘”的等離子體,其實(shí)是宇宙中一種常見的物質(zhì),在太陽、恒星、閃電中都存在等離子體,它占了整個(gè)宇宙的99%?,F(xiàn)在人們已經(jīng)掌握利用電場(chǎng)和磁場(chǎng)來產(chǎn)生和控...
電池的使用性、安全性,壽命及成本 鉛酸電池 1、質(zhì)量重; 2、充電放電功能較差 ;3、循環(huán)壽命短; 4、含有的重金屬鉛; 5、強(qiáng)烈的碰撞下會(huì)產(chǎn)生爆裂。 ...
1、概述 BD系列電力變送器是一種將電網(wǎng)中的電流、電壓、頻率、功率、功率因數(shù)等電參量,經(jīng)隔離變送成線性的直流模擬信號(hào)或數(shù)字信號(hào)裝置。產(chǎn)品符合GB/T13...
基于兆芯開先KX-6000系列通用處理器打造的HZC-7710通訊網(wǎng)關(guān)機(jī)平臺(tái)
本期我們?yōu)榇蠹医榻B來自華電眾信基于兆芯開先KX-6000系列通用處理器打造的HZC-7710通訊網(wǎng)關(guān)機(jī)平臺(tái),該平臺(tái)主要面向電力能源行業(yè),也能適用于智能/...
2021-06-17 標(biāo)簽:處理器芯片數(shù)據(jù) 2788 0
電孤是一種乙炔氣體分散化蓄電池充電的情況,是一種等離子體,(afdd)電孤電流量是電子元器件及共價(jià)鍵在電場(chǎng)的作用下運(yùn)動(dòng)健身的結(jié)果。電孤的導(dǎo)致此外一般...
關(guān)于高壓電容器在實(shí)際應(yīng)用中的電壓
高壓電容器在實(shí)際應(yīng)用中的電壓 公司工程技術(shù)人員經(jīng)常會(huì)遇到這樣的問題:一些客人對(duì)電壓余量的多少有疑問??腿擞袝r(shí)候會(huì)問:我用8個(gè)30KV的高壓陶瓷電容器串聯(lián)...
高壓電容器常見的故障 耐高壓,高溫一看到這四個(gè)字的時(shí)候,我們第一時(shí)間聯(lián)想到的是高壓電容,這也是低壓電容無法比擬的優(yōu)勢(shì)。高壓電容的缺點(diǎn)則是出現(xiàn)了故障不及時(shí)...
關(guān)于清漆劃痕檢測(cè)儀的產(chǎn)品簡(jiǎn)介
耐劃痕測(cè)試儀 涂層表面耐劃傷儀 產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 將測(cè)試板夾緊并緩帽移動(dòng),同時(shí)用觸針或替代工具刮擦表面。根據(jù)測(cè)試程序 ,可以應(yīng)用指定或可 變載荷以獲得從痕跡到...
H01.9光纖相位調(diào)制器的特點(diǎn)、應(yīng)用及技術(shù)參數(shù)
H01.9光纖相位調(diào)制器是專為光纖拉伸應(yīng)用而設(shè)計(jì)的壓電式運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu),將光纖均勻地纏繞于固定端及移動(dòng)端間,通過電壓連接器將壓電陶瓷與控制端進(jìn)行連接,當(dāng)對(duì)壓電...
意法半導(dǎo)體于推出首款用于CAN總線的汽車級(jí)瞬態(tài)電壓抑制器
意法半導(dǎo)體于推出了首款用于 CAN 總線的汽車級(jí)瞬態(tài)電壓抑制器ESDCAN03-2BM3Y,該器件采用小型DFN1110 封裝,線路電容僅為 3.3 p...
電容能抗多大的ESD電壓呢?ESD耐性和電容量有什么關(guān)系呢?
TVS或者說ESD器件在制造過程中,可能會(huì)觸發(fā)ESD事件,發(fā)生損壞,這些事件可以用三個(gè)模型來進(jìn)行模擬。
非線性接地電阻接地方式的特點(diǎn): (1) 中性點(diǎn)電阻是耗能元件,也是阻尼元件(而消弧線圈是諧振元件)。 (2) 可以降低工頻過電壓,單相接地故障時(shí)非故障相...
電壓,也稱作電勢(shì)差或電位差,是衡量單位電荷在靜電場(chǎng)中由于電勢(shì)高低不同所產(chǎn)生的能量差的物理量。
總結(jié)關(guān)于NAND Flash調(diào)試
很久沒接觸過 nandflash 驅(qū)動(dòng)了,最近工作又摸了一下,那就順便整理點(diǎn)筆記總結(jié)一下吧。nandflash 在我看來算是比較落后的存儲(chǔ)設(shè)備了,所以文...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
做任何事情都有一個(gè)衡量的緯度,并不是按照自身主觀意識(shí)就隨意的去評(píng)測(cè),所以選擇和決定都需要確定三要素來形成結(jié)果。無一例外這個(gè)道理適用與任何的事情當(dāng)中,我們...
電容介質(zhì)不可能絕對(duì)不導(dǎo)電,當(dāng)電容加上直流電壓時(shí),電容器會(huì)有漏電流產(chǎn)生。若漏電流太大,電容器就會(huì)發(fā)熱損壞。在所有的電容材質(zhì)中,電解電容尤其是鋁電解電容漏電...
關(guān)于電容放電時(shí)間計(jì)算公式的詳細(xì)說明
電容放電時(shí)間計(jì)算公式 電容電壓U=Q/C 假如用恒流充電,電量Q=I*t U=I*t/C t=U*C/I=(300*1000*10^-6)/(100*1...
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