全電飛機(jī)航空電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案解析

SOI獨(dú)特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來了諸多優(yōu)勢(shì)：首先，“絕緣埋層”實(shí)現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開關(guān)頻率得以提高。

2023-01-10 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅 3442 0

國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測(cè)試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的45%15%、25%、 15%。 海外以IDM為主要...

2022-12-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 429 0

高效SiC功率器件的演進(jìn)

純SiC晶體是通過Lely升華技術(shù)生長(zhǎng)的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復(fù)制的SiC晶...

2022-12-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車混合動(dòng)力汽車晶體管 1351 0

碳化硅電驅(qū)動(dòng)總成設(shè)計(jì)與測(cè)試

基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動(dòng)電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三...

2022-12-21 標(biāo)簽：MOSFETIGBT碳化硅 1317 0

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備與表征

使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸 SiC 單...

2022-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶SiC 3281 0

寬禁帶半導(dǎo)體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)

寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。

2022-12-19 標(biāo)簽：碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3055 0

意法半導(dǎo)體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓，將用于功率器件原型設(shè)計(jì)

碳化硅（SiC）晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中，這一事實(shí)預(yù)示著這種寬帶隙（WBG）材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書，適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。

2022-12-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 1002 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 1.4萬 0

碳化硅功率模塊封裝中4個(gè)關(guān)鍵問題的分析與研究

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...

2022-12-12 標(biāo)簽：MOSFET封裝碳化硅 2798 0

功率晶體管的歷史和新興設(shè)計(jì)

到20世紀(jì)中葉，電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅，提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機(jī)實(shí)現(xiàn)的制冷，...

2022-12-08 標(biāo)簽：MOSFET晶體管SiC 1405 0

碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀！

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2022-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1622 0

碳化硅器件制造那些事兒

離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。

2022-11-30 標(biāo)簽：制造功率半導(dǎo)體碳化硅 2769 0

碳化硅功率器件市場(chǎng)前景！

在過去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān)，并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

2022-11-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 510 0

當(dāng)前碳化硅功率器件回顧！

硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限，已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟，為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而，它們距離充分發(fā)揮...

2022-11-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 718 0

碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！

電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...

2022-11-23 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1204 0

SiC功率器件和模塊！

SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)（擊穿場(chǎng)）和帶隙...

2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2103 0

碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特性！

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢(shì)，包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2022-11-21 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1855 0

碳化硅技術(shù)在電源逆變器上的應(yīng)用！

碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一，具有獨(dú)特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強(qiáng)度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

2022-11-17 標(biāo)簽：SiC電源逆變器碳化硅 2831 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁...

2022-11-12 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅 1699 0