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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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      碳化硅技術(shù)

      淺談電動汽車中的碳化硅應(yīng)用

      隨著技術(shù)的發(fā)展，電動汽車對電力電子功率驅(qū)動等系統(tǒng)提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等，但是傳統(tǒng)的硅基功率器件由于材料的限制，其各方面的特性...

      2023-02-12 標(biāo)簽：變換器驅(qū)動碳化硅 1.6k 0

      小編科普一下碳化硅的理化性質(zhì)

      碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...

      2023-02-12 標(biāo)簽：SiC碳化硅電熱元件 3k 0

      碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

      碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

      　　SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單，單元...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETSiC氮化鎵 6.4k 0

      碳化硅MOSFET對比硅IGBT的優(yōu)勢

      碳化硅MOSFET對比硅IGBT的優(yōu)勢

      　　開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT開關(guān)器件 3k 0

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

      　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTPN結(jié) 4.2k 0

      為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.1k 0

      碳化硅二極管是什么意思 碳化硅二極管如何測量好壞

      　　碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號稱反向恢復(fù)時間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...

      2023-02-10 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體開關(guān)電源 3.4k 0

      碳化硅二極管的區(qū)別和用途

      碳化硅二極管的區(qū)別和用途

      隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升，硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來，以碳化硅(silicon carb...

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.4k 0

      惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

      近年來，隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件封測設(shè)備和材料在整個產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要，國內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

      2023-02-10 標(biāo)簽：電力電子功率器件碳化硅 929 0

      什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

      碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

      2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiCCMP 3.8k 0

      氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)

      氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)

      　　氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...

      2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET晶體管氮化鎵 7.3k 0

      碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

      碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

      今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...

      2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 870 0

      聊一聊碳化硅的下一波的制造、供應(yīng)鏈和成本

      　毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧：好的。所以今天，我們就來聊聊SiC，下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。

      2023-02-09 標(biāo)簽：碳化硅 1.2k 0

      SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢

      碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

      2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1.4k 0

      碳化硅二極管的特點(diǎn)

      碳化硅二極管的特點(diǎn)

      碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時間、溫度針對電源開關(guān)個人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管散熱器碳化硅 1.3k 0

      大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

      大功率碳化硅二極管的應(yīng)用

      由于碳化硅材料的帶隙很寬（4H型碳化硅在室溫下約為3.26eV），碳化硅器件能夠在很高的溫度下工作而不至于因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料...

      2023-02-09 標(biāo)簽：電場碳化硅大功率器件 1k 0

      碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn)

      碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍（寬禁帶），達(dá)到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強(qiáng)為硅的5.3倍，高達(dá)3.2MV/cm，其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍，為49w/c...

      2023-02-09 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體碳化硅 1k 0

      碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

      碳化硅二極管反向恢復(fù)原理詳解

      　　碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有...

      2023-02-08 標(biāo)簽：二極管功率二極管電流 3.8k 0

      碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

      　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

      2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2.2k 0

      在半導(dǎo)體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢？

      碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

      2023-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 2.8k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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      • Cirrus LogIC
        Cirrus LogIC
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        Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場上高精度模擬和數(shù)字信號處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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        　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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