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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2677個(gè) 瀏覽：51428次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

      SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

      1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOS...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.5k 0

      SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

      1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.4k 0

      SiC的物性和特征

      SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2k 0

      800V車(chē)規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹

      厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 底部缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET功率模塊碳化硅 1.6k 0

      基本半導(dǎo)體之碳化硅MOSFET和充電樁詳解

      交流充電樁：本質(zhì)是一個(gè)帶控制的插座，主要包含交流電表、控制主板、顯示屏、急停旋鈕、 交流接觸器、充電槍線等結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，需要車(chē)載充電機(jī)自己進(jìn)行變壓...

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET充電樁碳化硅 2.9k 0

      氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

      進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

      2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.3k 0

      碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

      　　碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見(jiàn)，主要通過(guò)人工合...

      2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 9.4k 0

      什么是電力電子？為什么碳化硅對(duì)電力電子很重要？

      碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)（包括太陽(yáng)的,燙的和風(fēng)力）、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng)，以及電動(dòng)火車(chē)、公共汽車(chē)和其他類型的公共交通工具。

      2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET電力電子SiC 1.8k 0

      碳化硅二極管的應(yīng)用

      碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

      2023-02-05 標(biāo)簽：二極管SiC碳化硅 2.1k 0

      碳化硅用途主要有哪些方面

      碳化硅的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而現(xiàn)在科技市場(chǎng)的大力發(fā)展，碳化硅的功勞也是不容小覷，碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說(shuō)是比較廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種，那么碳化硅用途主要有哪些...

      2023-02-05 標(biāo)簽：SiC碳化硅 1.7萬(wàn) 0

      碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢(shì)

      以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

      2023-02-04 標(biāo)簽：SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.2k 0

      氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

      2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 2.4k 0

      碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

      碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

      2023-02-03 標(biāo)簽：石英SiC碳化硅 5.4k 0

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      碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

      2023-02-03 標(biāo)簽：SiC襯底碳化硅 5.3k 0

      碳化硅芯片供需失衡

      襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵，占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高，而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說(shuō)前幾年很多SiC器件廠商都是靠...

      2023-02-03 標(biāo)簽：芯片碳化硅sic器件 1.7k 0

      快充充電樁的第一選擇為何是碳化硅

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      一輛純電動(dòng)車(chē) (EV) 充滿電需要多久？如果借助家用交流電源的話，恐怕怎么也得花上一整個(gè)晚上。為解決充電時(shí)間問(wèn)題，三級(jí)「快速」直流充電技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，有望...

      2023-02-03 標(biāo)簽：碳化硅純電動(dòng)車(chē)直流充電 944 0

      碳化硅功率器件在車(chē)載充電機(jī)OBC中的應(yīng)用2

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      OBC作為新能源汽車(chē)的核心部件之一，其效率、功率密度等參數(shù)對(duì)新能源汽車(chē)充電時(shí)間和續(xù)航里程具有一定影響。 在保證系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)定性的前提下，更高的功...

      2023-02-03 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)碳化硅OBC 1.5k 0

      碳化硅功率器件在車(chē)載充電機(jī)OBC中的應(yīng)用1

      隨著新能源汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步，提升新能源汽車(chē)?yán)m(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一。 在動(dòng)力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下，降低車(chē)用部件重量是提...

      2023-02-03 標(biāo)簽：動(dòng)力電池功率碳化硅 743 0

      碳化硅在“新基建”領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

      碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一，具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點(diǎn)，可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境，可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...

      2023-02-03 標(biāo)簽：逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 864 0

      碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

      碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

      SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢(shì)，包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

      2023-02-03 標(biāo)簽：SBDSiC碳化硅 1.3k 0

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        PFM
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        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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