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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅CMOS技術(shù)在深紫外或高溫環(huán)境中應(yīng)用的潛力
紫外(UV)光譜可分為UV-A(315~400?nm)、UV-B(280~315?nm)和UV-C(200~280?nm)頻段。由于敏感光譜帶寬很寬,因...
2022-11-03 標簽:帶寬碳化硅CMOS技術(shù) 2577 0
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升...
富昌電子系統(tǒng)設(shè)計中心SiC版逆變器方案
該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺,融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件,以及NXP電源管理芯片,可實現(xiàn)汽車功能安全標準ISO26262的...
2022-10-31 標簽:逆變器碳化硅SiC MOSFET 878 0
眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升...
2022-10-24 標簽:半導(dǎo)體器件碳化硅 9600 0
在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器;3)在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機控制以及風電渦輪機。
2022-10-19 標簽:智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 1678 0
淺析5G系統(tǒng)對蜂窩無線的功率放大器設(shè)計
盡管 5G 提升了帶寬,但其更高的頻率更容易造成信號衰減。由于更高的帶寬會導(dǎo)致更低的信噪比(SNR),增加帶寬并不會導(dǎo)致容量的線性增加。解決這一問題的一...
介紹碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用方向和生產(chǎn)過程
相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢,隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究
作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料,碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能,在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...
近年來,半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場強(MV/cm)和...
全新沉積技術(shù)SPARC實現(xiàn)先進邏輯和DRAM集成設(shè)計
使用 SPARC 或單個前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...
表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合,可幫助設(shè)計人員在不顯著增加所構(gòu)建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。
近幾年,碳化硅作為一種無機材料,其熱度可與“半導(dǎo)體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論,它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導(dǎo)體材料外,因其獨有的特性和優(yōu)勢受到其...
續(xù)航以及補能問題一直是困擾電動汽車發(fā)展的因素,當前主流電動汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動...
對于多數(shù)電動汽車用戶來說,在家或是在公司進行目的地充電應(yīng)該是更常用,也是更理想的方式,這樣可以免去頻繁跑直流充電站的煩惱。而車載充電機 OBC(On-b...
如今碳化硅陶瓷基板,在功率模塊下高溫汽車逆變器應(yīng)用中提供出色的熱性能和高可靠性。與傳統(tǒng)的引線鍵合功率模塊相比,卓越的開關(guān)性能降低了開關(guān)的損耗性,因此可以...
金屬污染物,如碳化硅表面的銅,不能通過使用傳統(tǒng)的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面沒有形成化學(xué)氧化物,這種化學(xué)穩(wěn)定性歸因于RCA方法對金...
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