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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料...
2023-02-03 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 3.4k 0
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通...
綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車...
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些
碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。
碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用
碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能...
2023-02-03 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 792 0
硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納，特別是電動(dòng)汽車，以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所...
中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破
從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個(gè)器件的襯底所占的成本，這是一個(gè)國際上發(fā)展的趨勢。
碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度...
電機(jī)碳化硅技術(shù)指標(biāo)是什么 碳化硅國家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)介紹
以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。
碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系，表明它們在某些方面具有類似的性質(zhì)。
碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料SiC 3.0萬 0
從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長碳...
2023-01-31 標(biāo)簽：碳化硅 898 0
碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望
碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對碳化硅功率...
2023-01-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3.5k 0
摘要：近些年，在市場應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時(shí)封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊，這對半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的...
二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。
碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體，相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切...
淺談電驅(qū)系統(tǒng)的演進(jìn)路線及最核心技術(shù)
在電驅(qū)最重要的“動(dòng)力”屬性上，目前大多數(shù)的電車都存在動(dòng)力過剩現(xiàn)象，以36w+的特斯拉 Model3P 為例，加速可以秒掉200w左右的性能油車，3w的宏...
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