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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET
全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出...
2018-03-19 標(biāo)簽:apeclittelfuse碳化硅 6.5k 0
前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...
碳化硅器件制造工藝與傳統(tǒng)硅基制造工藝有什么區(qū)別
碳化硅作為一種化合物半導(dǎo)體,在自然界中極其稀有,以礦物莫桑石的形式出現(xiàn)。目前世界上銷售的碳化硅幾乎都是人工合成的。碳化硅具有硬度高、熱導(dǎo)率高、熱穩(wěn)定性好...
AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng),12英寸碳化硅靜待爆發(fā)
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅在近期產(chǎn)業(yè)內(nèi)迎來(lái)兩大新需求:AI眼鏡市場(chǎng)爆發(fā),推動(dòng)碳化硅AR光波導(dǎo)鏡片量產(chǎn)節(jié)奏;為了進(jìn)一步提高散熱效率,英偉達(dá)決定在...
Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoS...
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品
今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是...
2018-10-23 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管Littelfuse 6.2k 0
華為半導(dǎo)體投資版圖:33家企業(yè),EDA、設(shè)備、碳化硅、模擬射頻、MEMS等全覆蓋
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近段時(shí)間,華為又密集投資了多家公司,包括晶拓半導(dǎo)體、深迪半導(dǎo)體、上海賽美特軟件科技有限公司、湖南德智新材料有限公司,涉及半...
世紀(jì)金光面向新能源汽車推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品
世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長(zhǎng)、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法(PVT法)制備碳化硅單晶,再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法(CVD法...
光伏儲(chǔ)能市場(chǎng)一觸即發(fā)!碳化硅光伏逆變器風(fēng)光無(wú)限
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))據(jù)統(tǒng)計(jì),截至2021年三季度,我國(guó)光伏發(fā)電機(jī)累計(jì)裝機(jī)量達(dá)275GW,同比增長(zhǎng)25%,累計(jì)新增裝機(jī)量 22GW,同比增長(zhǎng) 45...
汽車大佬們的芯片版圖,在下一個(gè)制高點(diǎn)瘋狂試探
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)汽車作為接棒智能手機(jī)的下一個(gè)智能化產(chǎn)品,傳統(tǒng)車企、新興勢(shì)力以及手機(jī)廠商都在加速布局,由于近兩年缺芯,汽車芯片的供應(yīng)問(wèn)題以及...
深圳市納設(shè)智能裝備有限公司完成了數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資
納設(shè)智能成立于2018年10月,坐落在深圳市光明區(qū)留學(xué)人員創(chuàng)業(yè)園,近期已通過(guò)國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)初步認(rèn)定。公司擁有一支包括頂級(jí)科學(xué)家在內(nèi)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),致力于第...
碳化硅+液冷+構(gòu)網(wǎng)型,儲(chǔ)能逆變器三大黑科技重塑全球電網(wǎng)穩(wěn)定性
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)說(shuō)起逆變器,作為一種電能轉(zhuǎn)換設(shè)備,核心功能就是將直流電(DC)轉(zhuǎn)化為交流電(AC),因此廣泛應(yīng)用于光伏發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、車載...
2025-09-12 標(biāo)簽:PCS碳化硅儲(chǔ)能逆變器 6.1k 0
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理...
美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)...
2018-05-28 標(biāo)簽:美高森美碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管 5.9k 0
SiC性能優(yōu)異,材料升級(jí)勢(shì)在必行
半導(dǎo)體材料按被研究和規(guī)?;瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序通常分為三代。第一代:20 世紀(jì) 40 年代,硅(Si)、鍺(Ge)開始應(yīng)用,硅的自然儲(chǔ)量大、制 備工藝簡(jiǎn)單...
2022-11-23 標(biāo)簽:新能源半導(dǎo)體材料SiC 5.8k 0
IC效率高達(dá)98.3%!業(yè)界首款集成1700V SiC MOSFET!PI新款氮化鎵IC和碳化硅器件有何過(guò)人之處?
(電子發(fā)燒友原創(chuàng)? 文/章鷹)近日,美國(guó)Power Integrations公布了截至2022年3月31日的季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī),第一季度的營(yíng)業(yè)收入為1.821...
?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q...
中國(guó)電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地開始投產(chǎn),年產(chǎn)值可達(dá)10億元
中國(guó)電科黨組書記、董事長(zhǎng)熊群力指出,中國(guó)電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國(guó)電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。
2020-03-02 標(biāo)簽:碳化硅 5.7k 0
1. 碳化硅的合成方法 碳化硅的合成方法主要有以下幾種: 直接合成法 :通過(guò)在高溫下將硅和碳直接反應(yīng)生成碳化硅。 化學(xué)氣相沉積(CVD) :利用氣體反應(yīng)...
2025-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅晶體結(jié)構(gòu) 5.7k 0
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