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全球最大的先進半導體解決方案供應(yīng)商之一——美國美光科技公司在中國投資2.5億美元建立的第一個制造工廠，2007年3月21日在西安高新區(qū)落成，該廠是外商獨資企業(yè)，是目前陜西省最大的外商投資企業(yè)之一。該廠將主要進行美光科技半導體產(chǎn)品的測試和封裝。

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美光資訊

新一代DDR5內(nèi)存模組密集發(fā)布，支持DDR5 CPU隨后就到！

近日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。首批DDR5內(nèi)存條采用鎂光DRAM，頻率4800MHZ，電壓1.1V，時序40-40-40? 1...

2021-04-27 標簽：美光 DDR5 嘉合勁威 1.5萬 0

1α制程如何提升終端產(chǎn)品體驗？

對于半導體器件而言，制程工藝的進步將帶來效能提升和成本下降等多重利好，所以對于工藝制程向更小節(jié)點追求是整個行業(yè)的目標。但隨著制程節(jié)點的逐步下探，縮小到一...

2021-04-20 標簽：終端美光 2123 0

5G移動市場風云變化美光尖端存儲芯片發(fā)力四大應(yīng)用市場

2021年全球移動存儲在5G市場前景如何？不同價位的5G手機對存儲容量和響應(yīng)速度有何需求？主流配置變化如何演進？5G未來新應(yīng)用對存儲需求有哪些變化？20...

2021-04-15 標簽：智能手機美光 5G 5.4萬 0

美光科技總裁就“十四五”經(jīng)濟發(fā)展議題進行探討與分享

中國發(fā)展高層論壇2021年會于3月20日至22日在北京釣魚臺國賓館線上線下同步舉行，中外政商精英云集。美光科技總裁兼首席執(zhí)行官桑杰·梅赫羅特拉(Sanj...

2021-04-07 標簽：美光人工智能 3071 0

又一家存儲企業(yè)出售晶圓廠，他們?yōu)楹芜x擇在此時出售？

2020年底以來，幾乎所有的芯片設(shè)計企業(yè)都在為尋找代工資源，搶購產(chǎn)能而奔走。有些企業(yè)卻在出售自己的晶圓廠。比如3月29日，有臺灣媒體報道，存儲器企業(yè)旺宏...

2021-04-03 標簽：晶圓代工晶圓廠美光 7857 0

廠商基于CXL上面做文章的案例

最近有幾個熱點事件發(fā)生了，好像都跟CXL有關(guān)，小編前年也關(guān)注到這一點了，可以看下這篇文章“CXL高速互連技術(shù)成員數(shù)已從9名增加到33名” 美光退出3D ...

2021-04-01 標簽：3D 內(nèi)存美光 2257 0

美光在全球范圍實現(xiàn)公司弱勢群體全面薪酬平等

美光公司已實現(xiàn)全面的全球員工薪酬平等，涵蓋基本工資、獎金和股票獎勵。

2021-03-31 標簽：美光 1560 0

存儲市場冰火兩重天！DRAM和NAND芯片緊缺，國產(chǎn)廠商如何搶占先機？

2021年全球存儲市場前景如何？存儲芯片出貨受阻，到底會怎樣影響全球市場格局？國產(chǎn)替代風起云涌，在存儲領(lǐng)域的國產(chǎn)替代已經(jīng)有哪些突破口？國產(chǎn)廠商在主控芯片...

2021-03-15 標簽：DRAM NAND 美光 1.2萬 0

新進展！美光推首款車用LPDDR5存儲器并送樣

美光宣布已經(jīng)開始對業(yè)界首款車用LPDDR5存儲器進行送樣，該方案根據(jù)基于國際化標準ISO26262而設(shè)計的，符合美國汽車協(xié)會最嚴格的要求。美光嵌入式業(yè)...

2021-02-26 標簽：美光 LPDDR5 3055 0

鎧俠推出162層3D閃存提升了10%密度

在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營，推出了162層3D閃...

2021-02-20 標簽：美光 SK海力士 2959 0

DRAM合約價格全面上漲美光1a DRAM制程量產(chǎn)能否解決燃眉之急？

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana認為，全新的 1α 技術(shù)將為手機行業(yè)帶來最低功耗的 DRAM，針對今年云端市場、5G手機和汽車內(nèi)存...

2021-02-02 標簽：DRAM NAND SSD 8275 0

DDR4白菜價時代將要結(jié)束了

經(jīng)過兩年多的低潮期之后，內(nèi)存市場已經(jīng)在2020年底開始變天，價格止跌，部分產(chǎn)品甚至已經(jīng)開始漲價了。

2021-02-01 標簽：內(nèi)存美光 DDR4 2027 0

美光宣布已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片

美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40％，同時還能讓...

2021-01-31 標簽：閃存 DRAM 美光 2231 0

美光1αDRAM芯片工藝可提升密度40%

美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來...

2021-01-29 標簽：芯片 DRAM 美光 2646 0

解密美光最新1α內(nèi)存工藝存儲器技術(shù)的升級對現(xiàn)有工藝制程將是巨大挑戰(zhàn)

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2021-01-29 標簽：內(nèi)存美光存儲器技術(shù) 2831 0

美光率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

美光的 1α 技術(shù)節(jié)點使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠，并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動平臺帶來運行速度更快的 LPDDR5。

2021-01-28 標簽：DRAM 美光制程技術(shù) 957 0

美光：市場對DRAM的需求將有增無減，供需緊張的情況將延續(xù)好幾年

集微網(wǎng)消息，據(jù)MoneyDJ報道，存儲器大廠美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，今年DRAM產(chǎn)業(yè)將受惠5G帶動相關(guān)應(yīng)用，加上車用快速...

2021-01-28 標簽：DRAM 美光儲存 2163 0

【芯聞精選】普冉半導體科創(chuàng)板IPO成功過會；美光宣布批量出貨1α DRAM產(chǎn)品…

1月27日，美光宣布批量出貨基于1α (1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品。對比美光上一代1z DRAM制程1α技術(shù)將內(nèi)存密度提升了40%。

2021-01-28 標簽：美光普冉 3019 0

新突破！美光宣布批量出貨1α工藝節(jié)點DRAM

美光宣布使用新型1α制造工藝生產(chǎn)的DRAM開始批量出貨，這是目前世界上最先進的DRAM制造技術(shù)。1α制造工藝最初會用于8Gb和16Gb的DDR4和LPD...

2021-01-27 標簽：DRAM 美光 3348 0

美光推出 1α DRAM 制程技術(shù)：內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

1 月 27 日消息內(nèi)存與存儲解決方案供應(yīng)商美光科技今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha）節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進...

2021-01-27 標簽：DRAM 內(nèi)存美光 2544 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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