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全球最大的先進半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商之一——美國美光科技公司在中國投資2.5億美元建立的第一個制造工廠，2007年3月21日在西安高新區(qū)落成，該廠是外商獨資企業(yè)，是目前陜西省最大的外商投資企業(yè)之一。該廠將主要進行美光科技半導(dǎo)體產(chǎn)品的測試和封裝。

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美光資訊

美光有望將 3D XPoint（Optane）引入 AMD 等平臺

眾所周知，英特爾系統(tǒng)（尤其是在服務(wù)器領(lǐng)域）的核心優(yōu)勢之一是獨家的傲騰 Optane 內(nèi)存支持，該技術(shù)可通過持續(xù)的 4K I/O 顯著減少工作負載的延遲并...

2020-11-29 標簽：amd 3D 美光 2249 0

被美光搶先推出176層閃存三星回應(yīng)技術(shù)延誤

在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。根據(jù)美光...

2020-11-14 標簽：閃存三星電子美光 2175 0

芯片巨頭美光宣布向客戶交付176層閃存

芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。這使得美光成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。 176...

2020-11-13 標簽：芯片閃存美光 1924 0

美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之...

2020-11-12 標簽：閃存 NAND 3D 2351 0

英飛凌新增在華投資，擴大無錫工廠IGBT生產(chǎn)線；索尼啟動人工智能無人機項目，并注冊Airpeak品牌…

商業(yè)信息平臺Tofler獲悉的數(shù)據(jù)顯示，2020財年，科技巨頭蘋果在印度的收入增長了約29%，達到1375.58億盧比（約18.58億美元），且凈利潤增長顯著。

2020-11-11 標簽：3d AI 美光 3129 0

美光宣稱其被竊取的營業(yè)秘密估計約為4億到87億美元

從最近幾年過去類似罰金或和解金來看案件，XTAL在2019年曾被判賠償8.45億美元給ASML，業(yè)界曾分析如果法院最終判決聯(lián)電可能遭到高達200億美元的...

2020-11-05 標簽：DRAM 聯(lián)電美光 1711 0

EUV工藝已拉響戰(zhàn)局美光計劃在2021年持續(xù)加碼投資DRAM

美光計劃在 2021 年提出建設(shè) A5 廠項目的申請，持續(xù)加碼投資 DRAM，將用于 1Znm 制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展。據(jù)悉，目前美光在臺灣地區(qū)布局，...

2021-02-27 標簽：DRAM 三星電子美光 3466 0

歷時兩年聯(lián)電被訴竊取美光機密案公開最新進展

文｜樂川集微網(wǎng)消息，歷時近兩年的聯(lián)電被訴竊取美光機密案于近日公開最新進展。加州北部地區(qū)法院舊金山分院判決結(jié)果顯示，聯(lián)電向美國司法部提出和解解決方案，以...

2020-10-30 標簽：聯(lián)電美光 1585 0

美光訴聯(lián)電、晉華案期待以6000萬美元進行和解

10月22日，據(jù)外媒報道，聯(lián)電發(fā)出重大信息公告表示，針對聯(lián)電之前被指控協(xié)助福建晉華以竊取美光科技DRAM生產(chǎn)技術(shù)一案，聯(lián)電已向美國商務(wù)部提出此案的建議...

2020-10-30 標簽：聯(lián)電美光 ASML 1666 0

美光率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存，小米10首發(fā)

LPDDR（Low Power Double Data Rate ）是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會面向低功耗內(nèi)存制定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，設(shè)計之初...

2020-10-27 標簽：DDR 內(nèi)存美光 2687 0

DRAM主要廠商新品梳理

在DRAM市場，三星、SK海力士、美光占據(jù)主導(dǎo)地位，國產(chǎn)DRAM也在加速發(fā)展，代表性企業(yè)有合肥長鑫與紫光存儲，但技術(shù)方面與頭部廠商仍有較多大的差距。據(jù)中...

2020-10-24 標簽：DRAM 三星電子美光 8754 0

美光全球首創(chuàng)LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存，性能爆增

繼今年3月首次公開之后，美光今天宣布，全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準備。美光uMCP5在全球首次通過MCP多芯片封裝的方式，將LPDDR5...

2020-10-22 標簽：美光 UFS 3266 0

美光全新“uMCP5”準備量產(chǎn)，大大提升智能手機的存儲密度

繼今年3月首次公開之后，美光今天宣布，全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準備。

2020-10-21 標簽：芯片智能手機美光 1958 0

全球首創(chuàng)！美光LPDDR5內(nèi)存+UFS閃存二合一封裝產(chǎn)品uMCP5量產(chǎn)

10月21日消息，繼今年3月首次公開之后，美光科技今日宣布，已量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗?DDR5（LPDDR5）DRAM的通用閃存存儲（UFS）多芯片封裝...

2020-10-21 標簽：美光 UFS LPDDR5 5027 0

太強了！國際大廠3D NAND明年將達176層，國產(chǎn)QLC躋身第一梯隊！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）在半導(dǎo)體行業(yè)的存儲芯片細分領(lǐng)域，最常被提到的是NAND Flash、NOR Flash、DRAM，其中NAND Flash...

2020-10-20 標簽：NAND 美光鎧俠 5308 1

美光 5210QLC SSD獲技術(shù)創(chuàng)新獎！

在上周于北京舉辦的 2020 開放數(shù)據(jù)中心峰會（ODCC 峰會）上，美光 5210 數(shù)據(jù)中心 QLC SSD 榮獲了 ODCC 授予的 QLC 技術(shù)...

2020-10-15 標簽：存儲 SSD 美光 2313 0

美光量產(chǎn)并出貨1αnm DRAM內(nèi)存芯片功耗可降低15％

美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。不同于CPU...

2021-01-27 標簽：DRAM 美光 DDR4 2066 0

DRAM市場循環(huán)谷底 2021年需求持續(xù)改善

標準型及利基型DRAM現(xiàn)貨價在2020年12月出現(xiàn)逾20％漲幅后，2021年DRAM市況已由供需平衡轉(zhuǎn)為供給吃緊，價格確定進入新一波上漲循環(huán)，第一季現(xiàn)貨...

2021-01-11 標簽：DRAM 物聯(lián)網(wǎng)美光 1615 0

預(yù)計2021年整體DRAM價格可望逐步向上

美國記憶體大廠美光（Micron Technology Inc.）股價大漲4.53%再攀新高，自第一季開始，DRAM合約價預(yù)期將開始止跌回升，南亞科(2...

2021-01-06 標簽：DRAM 美光 2504 0

美光uMCP5有點驚喜內(nèi)存閃存二合一！

如今什么樣的智能手機最討喜？答案很簡單，更輕更薄。在外觀和硬件趨于同質(zhì)化的今天，定位相近的手機之間可以比拼的多以機身顏色、拍照能力、快充功率和系統(tǒng)優(yōu)...

2020-10-26 標簽：處理器閃存內(nèi)存 2544 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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