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      標(biāo)簽　>　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

      +關(guān)注2人關(guān)注

      2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

      文章：34個(gè) 瀏覽：9318次 帖子：0個(gè)

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)資訊

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的野心能否撐起國(guó)產(chǎn)替代芯的一片天？

      自從福建晉華遇到了極大麻煩后，其他本地廠(chǎng)商如合肥長(zhǎng)鑫，西安國(guó)芯的計(jì)劃似乎很有限，不太可能對(duì)全球DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生重大影響。但這一看法我想最近要糾正下。原為...

      2019-12-16 標(biāo)簽：DRAM合肥長(zhǎng)鑫長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2.5萬(wàn) 0

      公布最新技術(shù)路線(xiàn)圖！長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠(chǎng)

      據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技術(shù)路線(xiàn)圖，從其路線(xiàn)規(guī)劃來(lái)看，其研發(fā)的產(chǎn)品線(xiàn)包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LP...

      2019-12-03 標(biāo)簽：DRAMDDR4長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2.2萬(wàn) 0

      威剛導(dǎo)入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR4顆粒，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開(kāi)始發(fā)力

      今年2月底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開(kāi)始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正...

      2020-05-22 標(biāo)簽：內(nèi)存芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 9215 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片，預(yù)計(jì)將超越南亞科技，屆時(shí)市占率將僅次于三大巨頭。此外，長(zhǎng)鑫 17nm工藝即將出世，明年可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。 報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)鑫...

      2020-09-03 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 6255 0

      國(guó)產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成156億元融資

      ? DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明...

      2020-12-25 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存存儲(chǔ)芯片 6186 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與藍(lán)鉑世簽署專(zhuān)利許可協(xié)議

      日前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)）與美國(guó)半導(dǎo)體公司Rambus Inc.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)藍(lán)鉑世）簽署專(zhuān)利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從藍(lán)鉑世獲得...

      2020-04-27 標(biāo)簽：Rambus長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 4900 0

      合肥協(xié)調(diào)海關(guān)助力長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)口

      據(jù)合肥在線(xiàn)報(bào)道，3月25日晚，一架搭載2臺(tái)共34噸精密設(shè)備的波音747全貨機(jī)在合肥新橋國(guó)際機(jī)場(chǎng)落地，解決了本地長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司疫情期間設(shè)備進(jìn)口的燃眉之急。

      2020-04-03 標(biāo)簽：晶圓長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 4409 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進(jìn)展 將吸引國(guó)產(chǎn)二線(xiàn)品牌在手機(jī)上采用

      據(jù)消息人士透露，位于合肥的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進(jìn)展，它將吸引國(guó)產(chǎn)二線(xiàn)品牌在手機(jī)上采用。

      2019-12-27 標(biāo)簽：內(nèi)存長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 4105 0

      兆易創(chuàng)新DDR3L GDPxxxLM系列產(chǎn)品采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）先進(jìn)制程

      受總體經(jīng)濟(jì)影響，消費(fèi)性電子市場(chǎng)低迷，DRAM需求持續(xù)減弱，且價(jià)格也全面下跌，然作為利基型市場(chǎng)，從中長(zhǎng)期看，全球DRAM市場(chǎng)仍將保持增長(zhǎng)，下行壓力之下，當(dāng)...

      2022-10-13 標(biāo)簽：DRAMDDR3兆易創(chuàng)新 4040 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議

      近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的...

      2019-12-10 標(biāo)簽：DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3615 0

      韓媒稱(chēng)以長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為代表的中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的實(shí)力不可小視

      據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司啟動(dòng)DRAM芯片銷(xiāo)售，成為中國(guó)第一家DRAM芯片供應(yīng)商。中國(guó)企業(yè)正在逐步增加在DRAM和NA...

      2020-02-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3598 0

      國(guó)產(chǎn)DDR4存儲(chǔ)芯片問(wèn)世，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破

      如果說(shuō)處理器等領(lǐng)域，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)還有些存在感，那么存儲(chǔ)市場(chǎng)就幾乎為零了。

      2020-03-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3559 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

      日前，甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會(huì)”長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)從事DRAM...

      2022-08-04 標(biāo)簽：DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3442 0

      長(zhǎng)鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達(dá)1400億元

      長(zhǎng)鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達(dá)1400億元

      本輪所有投資人均以相同條款及價(jià)格，與長(zhǎng)鑫科技、上述三個(gè)早期股東簽署增資協(xié)議，并將簽署《關(guān)于長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司之股東協(xié)議》，共同參與長(zhǎng)鑫科技增資事項(xiàng)。

      2024-03-30 標(biāo)簽：DRAM長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 3421 0

      FORESEE推出采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)顆粒的DDR4國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存

      江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開(kāi)始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

      2020-05-15 標(biāo)簽：內(nèi)存DDR4江波龍 3043 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次公開(kāi)亮相談DARM技術(shù)的未來(lái)

      在談到DRAM技術(shù)未來(lái)的發(fā)展時(shí)，平博士首先強(qiáng)調(diào)，DRAM是有它的極限的。我們通過(guò)改進(jìn)，可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線(xiàn)寬及加強(qiáng)外圍電...

      2019-09-19 標(biāo)簽：EUV長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2715 0

      國(guó)內(nèi)首家！長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

      國(guó)內(nèi)首家！長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

      與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPD...

      2023-11-30 標(biāo)簽：芯片DDR5長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 2097 0

      首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來(lái)了！已在小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證

      LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12G...

      2023-12-06 標(biāo)簽：芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5 2054 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)跨入LPDDR5領(lǐng)域

      　相比上一代LPDDR4，長(zhǎng)鑫的LPDDR5單顆芯片容量和速率都提升了50%，達(dá)到12Gb和6400Mbps，并且功耗降低了30%。從產(chǎn)品應(yīng)用和市場(chǎng)角度...

      2023-11-29 標(biāo)簽：DRAM封裝技術(shù)數(shù)據(jù)安全 1854 0

      長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片

      長(zhǎng)鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝，這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產(chǎn)品。

      2023-11-29 標(biāo)簽：DRAM存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1676 0

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      • 云儲(chǔ)存
        云儲(chǔ)存
        +關(guān)注
        云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
      • 富士通
        富士通
        +關(guān)注
        富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶(hù)攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
      • 3d nand
        3d nand
        +關(guān)注
        3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
      • 江波龍
        江波龍
        +關(guān)注
      • 非易失性存儲(chǔ)器
        非易失性存儲(chǔ)器
        +關(guān)注
        非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性?xún)?nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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        LPDDR4
        +關(guān)注
      • 合肥長(zhǎng)鑫
        合肥長(zhǎng)鑫
        +關(guān)注
        2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專(zhuān)業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
      • NOR flash
        NOR flash
        +關(guān)注
        　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
      • nvme
        nvme
        +關(guān)注
        NVM Express（NVMe），或稱(chēng)非易失性?xún)?nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線(xiàn)傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
      • 福建晉華
        福建晉華
        +關(guān)注
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        3D NAND Flash
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        SRAM存儲(chǔ)器
        +關(guān)注
        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
      • Arasan
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        +關(guān)注
      • SQL Server
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      • nosql
        nosql
        +關(guān)注
        　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
      • 安博會(huì)
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        +關(guān)注
      • 云盤(pán)
        云盤(pán)
        +關(guān)注
        云盤(pán)是一種專(zhuān)業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
      • FORESEE
        FORESEE
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