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CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),中文學(xué)名為互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,它本是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)一種重要的...
本文主要介紹模擬開關(guān)和多路轉(zhuǎn)換器的定義、作用以及選購時(shí)需要考察的參數(shù)與指標(biāo)。
2012-02-09 標(biāo)簽:CMOS模擬開關(guān) 5.8k 0
全球首家高性能CMOS 3G功率放大器(PA)創(chuàng)新者Javelin Semiconductor日前宣布,三星電子選用Javelin JAV5501 Ba...
日本索尼公司在本周內(nèi)在日本地區(qū)召開了新品發(fā)布會(huì),正式宣布了一款全新格式的CMOS圖像傳感器技術(shù)規(guī)格正式出爐。
2012-02-03 標(biāo)簽:CMOS索尼圖像傳感技術(shù) 1.3k 0
本文針對藍(lán)牙系統(tǒng),設(shè)計(jì)時(shí)考慮寄生電感的影響,采用TSMC 0.18μm CMOS工藝設(shè)計(jì)出了一個(gè)差分E類功率放大器,有效地抑制了寄生電感對系統(tǒng)性能的影響...
焊接絕緣柵(或雙柵)場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí),因其輸入阻抗很高、極間電容小,少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓,導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實(shí)踐摸索出下...
2011-12-12 標(biāo)簽:集成電路CMOS場效應(yīng)管 4.4k 0
帶隙基準(zhǔn)電壓源的目的是產(chǎn)生一個(gè)對溫度變化保持恒定的量,由于雙極型晶體管的基極電壓VBE,其溫度系數(shù)在室溫(300 K)時(shí)大約為-2.2 mV/K
2011-11-23 標(biāo)簽:CMOS基準(zhǔn)電壓源溫漂 4.8k 0
在向著4G手機(jī)發(fā)展的過程中,便攜式系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn),包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA 和H...
CMOS龍頭OmniVision訂單減少 營收目標(biāo)大幅下修
CMOS影像感測器大廠豪威科技(OmniVision Technologies Inc.)7日在美股開盤前宣布,由于部分訂單意外減少,2012會(huì)計(jì)年度Q...
2011-11-09 標(biāo)簽:傳感器CMOSOmniVision 1.2k 0
設(shè)計(jì)了一種基于0.25 μm CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn),補(bǔ)償誤差放大器輸出極...
在某種程度上, MEMS 可以看作CMOS集成電路的擴(kuò)展。如果將CMOS比喻為人的大腦和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),那么MEMS就是大腦智慧的手臂,為這信息系統(tǒng)提供了獲取...
追溯歷史,嵌入式處理器的低功耗是通過使用一些低功耗的空閑或睡眠模式來實(shí)現(xiàn)的?,F(xiàn)在,嵌入式處理器要承擔(dān)更復(fù)雜的工作,需要更高的性能。新的應(yīng)用程序(如音頻和...
2011-10-26 標(biāo)簽:CMOS嵌入式系統(tǒng)低功耗 1.1k 0
針對CMOS集成電路的故障檢測,提出了一種簡單的IDDQ靜態(tài)電流測試方法,并對測試電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的IDDQ電流測試電路對CMOS被測電路進(jìn)行檢測...
Vishay推出新款CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器
10月17日下午消息(桑菊)在移動(dòng)通信領(lǐng)域中,芯片是非常關(guān)鍵的一環(huán)。無論是在要求高效能高可靠性的系統(tǒng)設(shè)備中,還是更加看重穩(wěn)定性低功耗小型化的移動(dòng)終端領(lǐng)域...
2011-10-18 標(biāo)簽:CMOSVishay模擬開關(guān) 784 0
ST和麻省理工大學(xué)攜手展示超低壓系統(tǒng)級(jí)芯片
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)與美國麻省理工大學(xué)微系統(tǒng)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室﹙MTL...
2011-10-18 標(biāo)簽:CMOSST系統(tǒng)級(jí)芯片 1.1k 0
一種應(yīng)用于射頻卡的集成穩(wěn)壓電路的設(shè)計(jì)
近年來,隨著無線通信技術(shù),微電子技術(shù)的發(fā)展,非接觸式IC卡(射頻卡)技術(shù)蓬勃發(fā)展,并在眾多領(lǐng)域里得到了迅速的普及和推廣,如公交自動(dòng)售票系統(tǒng)、居民身份證卡...
低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)源面積大、功耗大、不適應(yīng)低功耗小面積的要求。本文立足于低功耗、小面積、利用工作于弱反型區(qū)晶體管的特點(diǎn),對傳統(tǒng)的帶隙電壓基準(zhǔn)源做出改進(jìn),...
2011-10-09 標(biāo)簽:CMOS低功耗電壓基準(zhǔn)源 3.1k 0
三星新技術(shù) 32nm雙核CPU+1600萬CMOS
為了在移動(dòng)終端領(lǐng)域取得更好的成績,頻頻推出新款手機(jī)、平板等設(shè)備顯然不夠。當(dāng)天三星還通過旗下Mobile Solutions Forum展示了該公司最新的...
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