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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

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98%能效！PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對稱雙通道MOSFET

Vishay TrenchFET Gen V MOSFET? 節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% 有助于...

2023-02-04 標(biāo)簽：MOSFET Vishay FET 1.5k 0

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc...

2023-02-03 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 FET 氮化鎵 2.9k 0

基于場效應(yīng)管的高靈敏度柔性葡萄糖傳感器設(shè)計(jì)

各種電子器件一直顯示出作為生物傳感器的潛力。近年來，人們對用于葡萄糖傳感的先進(jìn)技術(shù)進(jìn)行了廣泛的研究，例如光學(xué)傳感、電化學(xué)傳感和微波傳感。

2023-01-12 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 FET PET 1k 0

OBC 充電器中的 SiC FET

2022-12-28 標(biāo)簽：充電器 FET SiC 1.8k 0

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。

2022-12-12 標(biāo)簽：FET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 1.2k 0

歐姆龍MOS FET繼電器：歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢有那些

歐姆龍MOS FET繼電器優(yōu)勢有那些？MOS FET繼電器是一種集兩種產(chǎn)品特性為一體的電子元器件，包括機(jī)械繼電器（***繼電器）及半導(dǎo)體開關(guān)裝置。與其他...

2022-11-30 標(biāo)簽：繼電器 FET MOS 1.7k 0

貿(mào)澤電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022-10-27 標(biāo)簽：FET SiC 貿(mào)澤電子 1.6k 0

結(jié)型場效應(yīng)管的應(yīng)用特性

今天我們來介紹結(jié)型場效應(yīng)管，它在電路中的應(yīng)用特性是什么樣的。首先，讓我們簡單說說結(jié)型場效應(yīng)管的屬性，它屬于單極型晶體管，跟晶體三極管、雙極型晶體管一樣屬...

2022-09-13 標(biāo)簽：結(jié)型場效應(yīng)管 FET 2.5k 0

CCPAK-GaN FET頂部散熱方案

長期以來，在功率應(yīng)用方案中，熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí)，從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而，隨著輸出功率提升以及功率密...

2022-08-30 標(biāo)簽：晶體管散熱 FET 2.1k 0

碳化硅 (SiC) FET 推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展

甲碳化硅（SiC） JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型，它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個(gè)強(qiáng)大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子 FET 1.7k 0

最大限度地減少SiC FET中的EMI和開關(guān)損耗

SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對于最大限度地減少開關(guān)損耗非常有用，但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會...

2022-08-04 標(biāo)簽：emi FET SiC 1.9k 0

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...

2022-08-01 標(biāo)簽：FET SiC UnitedSiC 2.3k 0

寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...

2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 碳化硅 2.3k 0

JFET和MOSFET之間的區(qū)別是什么

電壓控制的場效應(yīng)晶體管（FET），主要用于放大弱信號，主要是無線信號，放大模擬和數(shù)字信號。場效應(yīng)晶體管（FET）是一種使用電場效應(yīng)改變器件電性能的晶體...

2022-04-16 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管電壓控制 3.8萬 0

Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12...

2022-01-16 標(biāo)簽：充電器 FET 電源適配器 5.2k 0

淺析電子系統(tǒng)的浪涌管理和系統(tǒng)保護(hù)

Other Parts Discussed in Post: TPS3700作者：John Cummings? 德州儀器 ? 今天，防止電子產(chǎn)品出現(xiàn)...

2021-11-21 標(biāo)簽：電流電源管理電子系統(tǒng) 1.8k 0

跟大家聊聊RF MEMS

在 2019 年，Qorvo 宣布收購高性能 RF MEMS 天線調(diào)諧應(yīng)用技術(shù)供應(yīng)商 Cavendish Kinetics， Inc.（簡稱：CK）。 ...

2021-08-23 標(biāo)簽：FET PIN 5G 3.5k 0

靈活的EPC2218增強(qiáng)模式氮化鎵功率晶體管

功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開關(guān)速度、更小的器件體積這個(gè)趨勢發(fā)展，而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板，很難有大幅提升的空間，因此基于...

2021-08-17 標(biāo)簽：晶體管 FET GaN 3.5k 0

三極管和MOS管有什么區(qū)別到底用那個(gè)好？

三極管全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。...

2021-04-12 標(biāo)簽：三極管晶體管 FET 8.7k 0

日本加快研發(fā)2nm hCFET晶體管

2020年12月，由日本工業(yè)技術(shù)研究院（AIST）和中國臺灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）代表的聯(lián)合研究小組宣布了用于2nm世代的Si（硅）/ Ge（硅）/...

2020-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 FET 2.6k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
UCD3138

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