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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安...
2023-05-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管 2322 0
碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?
年來碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)
如何選擇最佳的開關(guān)式DC-DC轉(zhuǎn)換器
利用電容、電感的儲能的特性,通過可控開關(guān)(MOSFET等)進(jìn)行高頻開關(guān)的動作,將輸入的電能儲存在電容(感)里,當(dāng)開關(guān)斷開時(shí),電能再釋放給負(fù)載,提供能量就...
2023-05-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET開關(guān)電源 573 0
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中,使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫墏?cè),從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問題在于,光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜...
2023-05-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 621 0
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)...
2023-05-04 標(biāo)簽:原理圖MOSFET開關(guān)電源 1103 0
當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號擺幅范圍時(shí),工程師面臨兩種選擇:使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案,不過這兩種選擇的成本可...
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電源電路 622 0
都說酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無與倫比的性能...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管驅(qū)動電路
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 3358 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
首先說一下電源IC直接驅(qū)動,下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式,在這類方式中,我們由于驅(qū)動電路未做過多處理,因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化...
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET...
APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊:SA111
SA111采用碳化硅(SiC)技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì),突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
MOSFET的動態(tài)性能相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表...
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