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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

MOSFET的電性能相關(guān)參數(shù)

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本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的,相關(guān)的參數(shù)如下表所示。

2023-04-26 標(biāo)簽:二極管MOSFET電壓 6414 1

MOSFET的熱阻相關(guān)參數(shù)

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主要是關(guān)于MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí),但是發(fā)現(xiàn)看datasheet的時(shí)候還是一臉懵,有些參數(shù)好像是未曾相識(shí),所以就有了現(xiàn)在的這個(gè)補(bǔ)充內(nèi)容,話不多說正式開始。

2023-04-26 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體電路板 4737 0

如何使用MOSFET體二極管為逆變器中的電池充電

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在這篇文章中,我們試圖了解如何利用MOSFET的內(nèi)部體二極管通過用作逆變變壓器的同一變壓器對電池進(jìn)行充電。

2023-04-29 標(biāo)簽:二極管MOSFET逆變變壓器 2572 0

電壓轉(zhuǎn)電流電路的工作原理與設(shè)計(jì)示例

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電壓轉(zhuǎn)電流的電路常見于工業(yè)場合,接下來介紹其工作原理與設(shè)計(jì)示例。

2023-05-01 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器運(yùn)放 4134 0

如何為DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器選擇電感值呢?

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升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在功率電子領(lǐng)域非常重要,但是電感值的選擇并不總是像通常假設(shè)的那樣簡單。

2023-05-02 標(biāo)簽:二極管MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 1022 0

米勒效應(yīng)對MOSFET的危害

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對于MOSFET,米勒效應(yīng)(Miller Effect)指其輸入輸出之間的分布電容(柵漏電容)在反相放大作用下,使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效...

2023-04-26 標(biāo)簽:二極管MOSFETMOS管 4987 0

Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計(jì)

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過去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),小功率電源...

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一文詳解三極管和MOS管

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三極管有三個(gè)端口,分別是基極(Base),集電極(collector)和發(fā)射極(Emitter)。

2023-05-01 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管 2.8萬 0

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

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電子電路中的電流通常必須受到限制。例如在USB端口中,必須防止電流過大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過高會(huì)導(dǎo)致電...

2023-05-02 標(biāo)簽:電流MOSFET限制器 1186 0

MOS管的三個(gè)二級效應(yīng)

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前面給大家分享了MOS管的結(jié)構(gòu),符號(hào),閾值電壓,四種工作狀態(tài)分別對應(yīng)的漏電流公式和跨導(dǎo)的定義公式,相信大家對MOS管的工作原理有了一定的了解,這篇給大家...

2023-04-25 標(biāo)簽:模擬電路MOSFETMOS管 6124 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)和閾值電壓

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 首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra...

2023-04-25 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6426 0

如何測量開關(guān)電源中的噪聲?

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2023-04-25 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源濾波器 3579 1

如何選擇最佳的開關(guān)式DC-DC轉(zhuǎn)換器呢?

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利用電容、電感的儲(chǔ)能的特性,通過可控開關(guān)(MOSFET等)進(jìn)行高頻開關(guān)的動(dòng)作,將輸入的電能儲(chǔ)存在電容(感)里,當(dāng)開關(guān)斷開時(shí),電能再釋放給負(fù)載,提供能量就...

2023-04-25 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 1715 0

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

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在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路,該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的...

2023-04-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路N溝道 1.1萬 0

開關(guān)模式電源電流檢測:檢測電阻的放置位置

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電流檢測電阻與開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)的放置決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測電阻...

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LT8310/LT1431正激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)具有簡單的原理圖和較少的組件數(shù)量

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LT?8310 是一款具有一個(gè)低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的恒定頻率諧振復(fù)位正激式轉(zhuǎn)換器控制器。LT8310 具有一個(gè) 6V 至 100V ...

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在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉(zhuǎn)換器中,使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準(zhǔn)電壓源電路傳輸?shù)匠跫墏?cè),從而實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的穩(wěn)壓。問題在于,光耦合器大大增加了隔離設(shè)計(jì)的復(fù)雜...

2023-04-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 930 0

數(shù)字控制可實(shí)現(xiàn)具有有源緩沖功能的高可靠性DC-DC電源轉(zhuǎn)換

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本文展示了有源鉗位緩沖電路的數(shù)字實(shí)現(xiàn),用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高輸出電流應(yīng)用。所提出的有源箝位方案具有多種優(yōu)點(diǎn),例如較低的箝位電壓導(dǎo)致較低的MOS...

2023-04-23 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 1416 0

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雙通道9A、降壓型μ模塊穩(wěn)壓器,具有數(shù)字電源系統(tǒng)管理

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LTM4675 是一款雙通道 9A 或單通道 18A 降壓型 μModule? (微模塊) DC/DC 穩(wěn)壓器,具有通過 PMBus — 一種基于 I2...

2023-04-21 標(biāo)簽:電源MOSFET穩(wěn)壓器 1354 0

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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    K60
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  • STM32單片機(jī)
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào),它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度(稱為“步距角”),它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的??梢酝ㄟ^控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量,從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的;同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度,從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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    靜電防護(hù)
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    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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