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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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場(chǎng)效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來(lái)的。三極管通過(guò)電流的大小控制輸出,輸入要消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)輸入電壓控制輸出,不消耗功率。就其性能而言,場(chǎng)效應(yīng)管...
2023-04-17 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3661 0
碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究
我國(guó)擁有世界最大的汽車消費(fèi)市場(chǎng),為堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展基本國(guó)策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動(dòng)汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動(dòng)汽車突然沒電引起的焦慮問(wèn)題主要有...
2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率器件 1660 0
碳化硅MOSFET在電動(dòng)汽車熱管理系統(tǒng)中的研究
空調(diào)壓縮機(jī)是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個(gè)系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測(cè)試電路,對(duì)1200V的碳化硅MO...
2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET控制器 1265 0
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:連續(xù)電流額定值
然后是我們考慮的“芯片限值”,通常通過(guò)將外殼溫度保持在25?C來(lái)指定?;旧?,這個(gè)條件假定了一個(gè)理想的散熱片,只使用結(jié)至外殼熱阻來(lái)計(jì)算器件能夠處理的最大...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:安全工作區(qū) (SOA) 圖
如圖1所示,可以用5個(gè)完全不同的限制條件來(lái)繪制整個(gè)SOA,每個(gè)限制條件規(guī)定了整個(gè)曲線的形狀,TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與...
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:UIS/雪崩額定值
UIS測(cè)試由圖1中所示的測(cè)試電路執(zhí)行。在FET關(guān)閉時(shí),其上施加了一個(gè)電源電壓,然后檢查器件上是否有泄露。在FET接通時(shí),電感器電流穩(wěn)定增加。當(dāng)達(dá)到所需的...
三極管作為MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的幾個(gè)好處
說(shuō)實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一下大家對(duì)三極管的理解。 但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。
2023-04-17 標(biāo)簽:三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 1110 0
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 2504 0
開關(guān)模式、降壓型DC/DC μModule穩(wěn)壓器創(chuàng)建完整的負(fù)載點(diǎn)解決方案
LTM4611 是一款開關(guān)模式、降壓型 DC/DC μModule 穩(wěn)壓器,采用緊湊的 15mm × 15mm × 4.32mm LGA 表面 裝載包。...
兩種過(guò)壓保護(hù)方法的基準(zhǔn)比較:MOSFET與可控硅整流器
由于電子子系統(tǒng)在整個(gè)產(chǎn)品的可靠和安全運(yùn)行中起著重要作用,因此建議在DC/DC降壓穩(wěn)壓器周圍增加一個(gè)過(guò)壓保護(hù)電路,以防止損壞最新的數(shù)字邏輯處理器,因?yàn)樗鼈?..
為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路
在工業(yè)和汽車應(yīng)用中,大多數(shù)前端接口要求反向極性保護(hù),而這一保護(hù)功能通常由二極管或MOSFET提供。由于它不需要電荷泵,p通道MOSFET一直用于高電流應(yīng)...
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來(lái)了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...
如何使用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)偏置電流網(wǎng)絡(luò)
利用運(yùn)放反饋與基準(zhǔn)電壓生成任意大小的直流電流是一個(gè)簡(jiǎn)單、直接的過(guò)程。但是,假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量(以N為例)的電流沉/源(current sink/s...
何時(shí)使用負(fù)載開關(guān)取代分立MOSFET
像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見的方式,其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管...
體二極管在真實(shí)電路中測(cè)量反向恢復(fù)的方法
使用一個(gè)分流電阻器怎么樣?這聽起來(lái)是可行的,不過(guò)你需要確保這個(gè)器件不會(huì)引入過(guò)大的環(huán)路電感。我找到了幾個(gè)電阻值在10mΩ,并且具有“低電感”的電阻器。
當(dāng)我們對(duì)于用實(shí)際組件來(lái)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時(shí),這個(gè)波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個(gè)特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用...
2023-04-15 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 4949 0
借助設(shè)計(jì)計(jì)算器工具設(shè)計(jì)出精簡(jiǎn)穩(wěn)健的熱插拔
LM25066設(shè)計(jì)計(jì)算器等設(shè)計(jì)工具有助于解決這些問(wèn)題并為您進(jìn)行必要的計(jì)算,能夠節(jié)省大量時(shí)間并避免人為錯(cuò)誤產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)。無(wú)論是創(chuàng)建新設(shè)計(jì),還是對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行...
三極管和MOSFET都能實(shí)現(xiàn)以小控大的目的,比如以小電流控制大電流,或者以低電壓控制高電壓
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