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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
通過(guò)自動(dòng)限流調(diào)節(jié)保護(hù)您的集成式FET功率開(kāi)關(guān)
在電源及其負(fù)載之間放置開(kāi)關(guān)和保險(xiǎn)絲可以控制和保護(hù)電源。對(duì)簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)和保險(xiǎn)絲的改進(jìn)是集成電路,它在單個(gè)封裝中實(shí)現(xiàn)相同的功能,無(wú)需移動(dòng)部件,也無(wú)需維修。本文將...
2023-04-04 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1328 0
保護(hù)5V 1-Wire從機(jī)免受過(guò)壓暴露
大多數(shù)1-Wire器件工作在2.8V至5.25V V狗用于讀寫(xiě)。EPROM器件(包括DS2406、DS2502、DS1982、DS2505和DS1985...
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...
2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET電源電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2056 0
UCC21520是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,可以提供4A sink電流,6A source電流,可以支持很高的開(kāi)關(guān)頻率并有較高的隔離強(qiáng)度,常被用來(lái)驅(qū)動(dòng)...
2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 8202 0
功率因數(shù)校正電路的開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)方案
常用的有橋PFC為boost PFC電路,如圖1所示,在整流橋之后使用一個(gè)boost電路完成功率因素校正和輸出電壓穩(wěn)定的功能。選用boost電路的一個(gè)重...
MOS管知識(shí)點(diǎn)總結(jié):它憑什么成為現(xiàn)代電力電子的主角?
MOS管制造工藝會(huì)造成內(nèi)部D極與S極之間存在一個(gè)寄生二極管,其作用:一是電路有反向電壓時(shí),為反向電壓提供續(xù)流,避免反向電壓擊穿MOS管;二是當(dāng)DS兩級(jí)電...
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時(shí)間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
基于電流采樣運(yùn)放的DCDC電源輸出線損補(bǔ)償電路的詳細(xì)推導(dǎo)計(jì)算
本文以LMR14030和INA213為例,給出了線損補(bǔ)償?shù)脑敿?xì)推導(dǎo)。當(dāng)客戶需要更改電路器件(例如使用不同的DCDC或電流采樣運(yùn)放)或更改電路參數(shù)(例如要...
門驅(qū)動(dòng)的欠壓保護(hù)功能及其注意事項(xiàng)
IGBT/MOSFET等全控型開(kāi)關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛,相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片集成度也越來(lái)越高,其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開(kāi)關(guān)管在門極電壓較...
基于IRFP240和IRFP9240MOSFET的100W功率放大器電路
此處顯示了基于 IRFP240 和 IRFP9240 MOSFET 的 100W MOSFET 功率放大器電路。該放大器采用+45/-45 V DC雙電...
mosfet與igbt對(duì)比優(yōu)缺點(diǎn)
在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中,MOSFET由于具有較快的開(kāi)關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗,因此能夠在較高頻率下工作。
碳化硅MOSFET在汽車動(dòng)力逆變器中的優(yōu)勢(shì)有哪些呢?
新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展,也隨之而來(lái)的是取得的成果。公司不斷嘗試開(kāi)發(fā)越來(lái)越多的性能設(shè)備,特點(diǎn)是更高的效率和更好的電氣特性。
2023-04-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 2477 0
溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類型
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
討論了汽車應(yīng)用基本電源中電源路徑的典型框圖。本文介紹如何將有源限壓器集成到該基本電源設(shè)計(jì)中。描述了集成限壓器的好處。Maxim的幾個(gè)有源限壓器就是這種設(shè)...
本應(yīng)用筆記介紹了一種保護(hù)n溝道功率MOSFET免受低壓和高電壓影響的電路。它包括一個(gè)高端開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)器 IC 和快速響應(yīng)的 3 晶體管過(guò)壓檢測(cè)器。
2023-03-31 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器晶體管 945 0
國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入,國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)
在車載充電器領(lǐng)域,碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。
通過(guò)選擇拓?fù)涮岣吖I(yè)AC/DC電源的可靠性
提高電源可靠性的關(guān)鍵在于降低功率元件的熱、電壓和電流應(yīng)力,這主要是輸入電壓和所需功率的函數(shù)。不過(guò),您可選擇有助于減輕這些應(yīng)力的拓?fù)洹?/p>
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1471 0
智能天窗設(shè)計(jì)為車內(nèi)乘客提供了大量?jī)?yōu)勢(shì)。在貼膜狀態(tài)下,它可減少熱量傳遞并防止眩光,在貼膜和透明狀態(tài)下,它可減少紫外線和紅外線??刂瀑N膜著色水平允許用戶針對(duì)...
2023-03-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET晶體管 1313 0
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