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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在高壓或低壓輸入下開機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動態(tài)負(fù)載,高溫等情況下,通過變壓器(和開關(guān)管)的電流呈非線性增長,當(dāng)出現(xiàn)此現(xiàn)象時,電流的峰...
2023-02-20 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開關(guān)電源 1077 0
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?;谠谔蓟鑴?chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfs...
2025-02-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET碳化硅 1076 0
碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...
本文的關(guān)鍵要點?探頭的連接方法會給波形測量結(jié)果帶來很大影響。?如果延長線較長,在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形...
生成任意幅度的偏置電流網(wǎng)絡(luò) - 第一部分
最終,MOSFET、VS 和 RSET 電阻的源電壓決定了每個磁路的灌電流;通過移除外水槽支腿的反饋(即,對于所有 N > 1),VSN ...
2023-04-10 標(biāo)簽:MOSFET電阻器運(yùn)算放大器 1073 0
基于溝道的硅碳功率金氧半場效應(yīng)晶體管(MOSFETs)為電力轉(zhuǎn)換開關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)(FOM)帶來了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯,提高了多種應(yīng)用的效...
內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC BD9G341AEFJ介紹
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1073 0
硅(Si)基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè),因為它們的技術(shù)成熟度和相對容易獲得。
單片式驅(qū)動器和MOSFET技術(shù)如何改進(jìn)電源系統(tǒng)設(shè)計
本文介紹最新的驅(qū)動器加MOSFET(DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)在功率密度、效率和熱性能方面得到...
現(xiàn)代半導(dǎo)體電子設(shè)計中,MOSFET(場效應(yīng)晶體管)因其高效、快速開關(guān)特性以及低功耗特性,被廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電動機(jī)驅(qū)動、信號放大等領(lǐng)域。然而,在實...
MOSFET作為功率開關(guān)管,已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件,其驅(qū)動表面上看來是非常簡單,但是詳細(xì)分析起來并不簡單。...
2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS 1068 0
這是一種更簡單的方法,可以保護(hù)您的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備免受黑客攻擊
雖然物聯(lián)網(wǎng)繼續(xù)為我們的生活帶來更大的便利,但如果不加以保護(hù),智能設(shè)備也可能為惡意攻擊打開大門,這些攻擊會鉆入網(wǎng)絡(luò)并試圖訪問敏感數(shù)據(jù)。顯然,您必須保護(hù)您的...
2023-06-28 標(biāo)簽:MOSFET物聯(lián)網(wǎng)PUF 1067 0
可用的集成電路可以讓您對電流限制進(jìn)行編程,但它們通常涉及微控制器或數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器(或兩者兼而有之)。作為替代方案,圖1電路允許您設(shè)置電流限值,而無需微控制器...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
如何應(yīng)對艱巨的耐輻射電源電子系統(tǒng)設(shè)計
太空中的電子系統(tǒng)暴露在大量危險之中。除此之外,如果沒有地球保護(hù)磁場使粒子偏轉(zhuǎn),沒有地球大氣層吸收太陽及宇宙射線,系統(tǒng)將暴露在更大強(qiáng)度的波輻射及粒子輻射中...
LT3752/LT8311 240W隔離式正激式轉(zhuǎn)換器
LT3752 包括許多可編程功能,因而適合于此應(yīng)用。例如,各種柵極信號之間的可編程延遲用于防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)并優(yōu)化效率,主MOSFET的可編程導(dǎo)通電流尖峰消隱...
考慮到功率MOSFET的廣泛應(yīng)用范圍,很明顯,這種趨勢在越來越多的應(yīng)用中得到了體現(xiàn)。對于許多設(shè)計而言,這意味著僅僅選擇具有合適FOM的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET無...
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