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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何應(yīng)對(duì)艱巨的耐輻射電源電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)
太空中的電子系統(tǒng)暴露在大量危險(xiǎn)之中。除此之外,如果沒(méi)有地球保護(hù)磁場(chǎng)使粒子偏轉(zhuǎn),沒(méi)有地球大氣層吸收太陽(yáng)及宇宙射線,系統(tǒng)將暴露在更大強(qiáng)度的波輻射及粒子輻射中...
探討高輸入電壓應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng)
上一篇文章探討了通過(guò)提高開關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用小型化時(shí)的注意事項(xiàng)。本文將通過(guò)輸入電壓升高的案例,來(lái)探討損耗增加部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對(duì)策。
2023-02-23 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET輸入電壓 1062 0
現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)安全具有重要影響,本文探討了Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理。 ? 半橋、全橋和 LLC...
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程簡(jiǎn)介 MOSFET及相關(guān)器件介紹
當(dāng)PN正向偏置時(shí),電流隨電壓的增大而迅速增大。當(dāng)反向偏置時(shí),電流很小且隨電壓增大變化不大,但是當(dāng)電壓達(dá)到臨界點(diǎn)時(shí)電流突然增大。這兩種現(xiàn)象稱為正向?qū)ㄅc反...
線性穩(wěn)壓器有哪些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?開關(guān)頻率如何影響穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)?
穩(wěn)壓電源(stabilized voltage supply)是能為負(fù)載提供穩(wěn)定的交流電或直流電的電子裝置,包括交流穩(wěn)壓電源和直流穩(wěn)壓電源兩大類。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓電源線性穩(wěn)壓器 1056 0
SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)
與放電型RCD緩沖電路不同,非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量,因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍,使得能...
新型電源開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器不斷變化的格局
多年來(lái)電源開關(guān)技術(shù)的供電選擇 系統(tǒng)非常簡(jiǎn)單。在較低電壓電平下 (通常高達(dá) 600 V),MOSFET 通常是事實(shí)上的選擇,具有 更高的電壓電平通常是IG...
2023-01-08 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1055 0
LDO穩(wěn)壓器和串聯(lián)穩(wěn)壓器的區(qū)別
LDO穩(wěn)壓器(Low-Dropout Regulator)和串聯(lián)穩(wěn)壓器在電子領(lǐng)域中都是常見的穩(wěn)壓器件,它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-09-11 標(biāo)簽:MOSFETLDO穩(wěn)壓器串聯(lián)穩(wěn)壓器 1054 0
什么是鋰離子電池集成保護(hù)電路?在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來(lái)便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的鋰離子...
計(jì)算機(jī)、晶體管的問(wèn)世,MOSFET的創(chuàng)新與制造技術(shù)
晶體管可以用微小的電量控制大量電流的流動(dòng),可謂是顛覆性的創(chuàng)造。科學(xué)家發(fā)現(xiàn),只要使用以下兩種半導(dǎo)體元件,就可以輕而易舉地連接或斷開信號(hào)。
2023-12-18 標(biāo)簽:MOSFETcpu計(jì)算機(jī) 1050 0
碳化硅器件“上車”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)
根據(jù)研究和規(guī)?;瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序,業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵...
高效率 1.2MHz、28V輸出、2A升壓穩(wěn)壓器ZCC3710介紹
ZCC3710是一個(gè)恒定的頻率,電流模式升壓轉(zhuǎn)換器適用于小型、低功耗應(yīng)用。開關(guān)頻率為1.2MHz,允許使用纖巧、低成本的電容器和高度不超過(guò)2mm的電感器...
MOSFET產(chǎn)品在主板CPU供電應(yīng)用與接口防護(hù)方案
電腦在現(xiàn)代生活中扮演著不可或缺的角色,已經(jīng)成為我們生活的一部分?。無(wú)論是在工作、學(xué)習(xí)還是娛樂(lè)方面,電腦都極大地提高了效率和便利性。電腦主板是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的...
2025-01-02 標(biāo)簽:MOSFETcpu計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 1047 0
在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)
使用電機(jī)試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試結(jié)果,按照油耗測(cè)試方法WTLC進(jìn)行了模擬行駛仿真,確認(rèn)了第4代SiC MOSFET對(duì)電耗的改善效果。
Nexperia的LFPAK88不使用內(nèi)部焊線,減小了源極引腳長(zhǎng)度,從而最大程度地減少在開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的寄生源極電感,以此提高效率。 無(wú)引腳(QFN)封...
利用雙 MOSFET 最大限度地提高開關(guān)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的功率密度和性能
作者:Jens Wallmann 工業(yè)和汽車開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。雙 MO...
2024-05-05 標(biāo)簽:MOSFET印刷電路板電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1046 0
MAX1848升壓轉(zhuǎn)換器集成14V N溝道MOSFET,為三個(gè)串聯(lián)的白光LED供電。由于 R 低德森MAX1848具有14V開關(guān)的低柵極電容,比采用30...
英飛凌CoolSiC? MOSFET G2,助力下一代高性能電源系統(tǒng)
所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù),并已取代了平面技術(shù),那么碳化硅呢?就碳化硅而言,溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢(shì)方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...
在最近的交錯(cuò)式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,我使用了兩個(gè)具有一些基本直流總線設(shè)計(jì)的TI半橋LMG3410-HB-EVM評(píng)估模塊(EVM),由UCD3138數(shù)字脈寬調(diào)制(...
2023-04-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETPWM 1042 0
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