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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的柵極電荷損耗
本文將探討功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗,即下圖的高邊和低邊開關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg(柵極電...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器電荷 952 0
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗:見文識意,開關(guān)損耗就是開關(guān)工...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 1435 0
MOS管通常是指MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的簡稱。MOSFET是一種常用的場效應(yīng)晶體管,它的核心部件是氧化物門介質(zhì),能夠通過改變柵極電...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 8588 0
簡單講,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點,如驅(qū)動...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高...
MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點是擊穿電壓低,工作電流小。
ST 600-650V MDmesh DM9 超結(jié)快速恢復(fù)功率MOSFET提高效率和穩(wěn)健性
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qr...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 1218 0
在對橋式結(jié)構(gòu)中的高邊(HS)MOSFET進(jìn)行測試時,通常使用高壓差分探頭或差分探頭(*4)來觀測波形,但所用探頭的共模抑制比(CMRR)在高頻區(qū)域可能會...
在N溝道MOSFET中,源極為P型區(qū)域,而在P溝道MOSFET中,源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中,源極是控制柵極電場的參考點,它是連接到源極-漏...
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢,但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗...
2023-02-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1473 0
車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC,正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強將擴大這種寬帶...
在上期的芝識課堂中,我們和大家簡單認(rèn)識了邏輯IC的基本知識和分類,并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好,因此得到了最廣泛應(yīng)用...
使用互補的p溝道和n溝道MOSFET組合的電路稱為CMOS(互補MOS)。CMOS邏輯IC以各種方式組合MOSFET來實現(xiàn)邏輯功能。
IGBT的結(jié)構(gòu)簡述 IGBT驅(qū)動電路的作用及基本特點
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和...
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