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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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簡(jiǎn)介: 單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu),導(dǎo)通和斷開(kāi)兩種狀態(tài),不具備放大,單向?qū)ǎ? 無(wú)外部電流、電壓控制,就是0和1的狀態(tài),電壓電流較小。 應(yīng)用: 各種電子設(shè)備...
開(kāi)關(guān)電源調(diào)試中常見(jiàn)的十大問(wèn)題
在高壓或低壓輸入下開(kāi)機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情況下,通過(guò)變壓器(和開(kāi)關(guān)管)的電流呈非線性增長(zhǎng),當(dāng)出現(xiàn)此現(xiàn)象時(shí),電流的峰...
2023-02-20 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1077 0
合科泰NMOS管HKTQ50N03與HKTQ80N03應(yīng)用案例
MOS管也叫場(chǎng)效應(yīng)管,它可以分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。NMOS也叫N型金屬氧化物半導(dǎo)體,而由NMOS組成的...
2023-02-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1116 0
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器工作時(shí)的電流路徑
本文是“開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的基礎(chǔ)”的“降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的工作原理”相關(guān)的補(bǔ)充。在“降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的工作原理”中,介紹了“降壓型異步(二極管)整流式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的...
2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器降壓轉(zhuǎn)換器 1489 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明
最近看到一個(gè)東芝的MOSFET的文檔,看了下,還不錯(cuò),就把內(nèi)容復(fù)制出來(lái)了,分享給大家看下。
以“母性和蘋(píng)果派”的陳述開(kāi)始博客總是很誘人的,比如更好的功率轉(zhuǎn)換效率的好處列表。更高顯然是一個(gè)優(yōu)勢(shì),但有時(shí)凈收益被錯(cuò)誤地陳述了——家用電子產(chǎn)品的一點(diǎn)熱量...
用碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管代替機(jī)械斷路器
在工程界有一句古老的格言——“如果它移動(dòng),它就會(huì)斷裂”。我們都知道,像風(fēng)扇或繼電器這樣的機(jī)械設(shè)備通常是第一個(gè)發(fā)生故障的東西,在關(guān)鍵系統(tǒng)中,您需要一個(gè)先發(fā)...
2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 535 0
從碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管晶體管中獲得最佳性能
性能是一個(gè)主觀術(shù)語(yǔ) - 它可以以任意多種方式進(jìn)行衡量,但在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,它歸結(jié)為兩個(gè)相互依賴(lài)的主要值,效率和成本。眾所周知,硅作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)材料在傳導(dǎo)和...
耗盡模式和增強(qiáng)模式MOS管是什么?有什么區(qū)別?
耗盡型 MOSFET 類(lèi)似于開(kāi)路開(kāi)關(guān)。在此模式下,施加?xùn)艠O到源極電壓 (VGS) 以關(guān)閉器件。當(dāng)柵極電壓為負(fù)時(shí),正電荷會(huì)在通道中累積。這會(huì)導(dǎo)致溝道中的耗...
GaN IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號(hào)塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號(hào)塊。
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié) 功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理
實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容,三個(gè)溝道電阻,和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān),而門(mén)極的溝道電阻一...
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫(xiě),IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了...
MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管的源漏是可互換的,它們是在P型背柵中形成的N形區(qū)域。在大多數(shù)情況下,這兩...
場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn) 場(chǎng)效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)
場(chǎng)效應(yīng)管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過(guò)改變極化層的電場(chǎng)來(lái)控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)、JF...
2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 5668 0
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
MOSFET的原理 MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
MOSFET是一種半導(dǎo)體器件,屬于可控硅器件,也稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),它可以用來(lái)控制電流和電壓。
根據(jù)前這兩期的內(nèi)容,我們已經(jīng)設(shè)計(jì)了一個(gè)實(shí)際可以用的放大器,我們可以根據(jù)這些知識(shí)設(shè)計(jì)出五倍、十倍的放大器,但是當(dāng)我們要生產(chǎn)成千上萬(wàn)這種放大器的時(shí)候,我們就...
如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路
上一期介紹了共源級(jí)放大電路的工作原理,本期利用這個(gè)理論知識(shí)看看如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路。
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