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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極-源極間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作:下面是表示L...
自保護(hù)MOSFET提高了汽車電子設(shè)備的可靠性
汽車行業(yè)需要具有成本效益且完全可靠的電氣系統(tǒng),但這種嚴(yán)酷且具有潛在破壞性的環(huán)境對(duì)控制現(xiàn)代車輛中常見(jiàn)的無(wú)數(shù)功能所需的功率半導(dǎo)體器件提出了巨大挑戰(zhàn)。
SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性
從MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無(wú)數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施,到個(gè)人電子產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(EV),它們...
同步降壓型DC/DC控制器LTC3823的性能特點(diǎn)就應(yīng)用范圍
Linear推出的同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3823,該器件具有差分輸出電壓取樣、快速瞬態(tài)響應(yīng)、集成鎖相環(huán)同步和輸出電壓跟蹤功能。其差分放大...
監(jiān)控電路的RESET輸出是內(nèi)部MOSFET的漏極Q1(圖1)。需要一個(gè)從RESET連接到電源電壓的外部上拉電阻,以產(chǎn)生邏輯信號(hào)輸出。當(dāng)Q1開(kāi)啟時(shí),VRE...
車規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開(kāi)關(guān)管的可靠性和強(qiáng)電流處理能力
如今,出行生態(tài)系統(tǒng)不斷地給汽車設(shè)計(jì)帶來(lái)新的挑戰(zhàn),特別是在電子解決方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外,隨著汽車電控制單元 (ECU) 增加互...
2023-07-08 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)管 917 0
NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹
NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能,防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過(guò)沖耐受能力。...
2025-01-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)芯片 917 0
探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其2
上一篇文章中,介紹了在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)注意事項(xiàng)中的第一項(xiàng)。關(guān)鍵要點(diǎn)是要想提高輸出電流,需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET,提高開(kāi)關(guān)速...
在傳統(tǒng)的DRP系統(tǒng)中,一般要有兩個(gè)MOSFET,體積大成本高。而現(xiàn)在的方案需求,卻繞不過(guò)簡(jiǎn)單和小巧。
2025-01-09 標(biāo)簽:MOSFET快充芯片慧能泰半導(dǎo)體 911 0
功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。對(duì)于MOSFET驅(qū)動(dòng)器而言,其功耗主要由三部分組成:驅(qū)動(dòng)損耗、開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些損耗的...
2024-10-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 909 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 908 0
當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)的故障對(duì)策
截至上一篇文章,結(jié)束了所需部件的選型和常數(shù)計(jì)算相關(guān)的介紹。接下來(lái)將分步驟介紹所選部件的PCB板安裝、各種特性的確認(rèn)及其是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格的確認(rèn)工作。本文開(kāi)...
2023-02-17 標(biāo)簽:PCB轉(zhuǎn)換器MOSFET 908 0
技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動(dòng)器,適用于標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過(guò)實(shí)現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...
開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器在滿負(fù)載連接時(shí)啟動(dòng)
啟動(dòng)電路由微處理器(μP)監(jiān)控電路MAX809L和電荷泵電路組成,用于監(jiān)視升壓轉(zhuǎn)換器輸出電壓。高效率升壓控制器MAX608用于升壓輸出電壓,由監(jiān)控電路M...
2023-01-13 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 903 0
如何在實(shí)時(shí)電機(jī)控制系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效、可靠且準(zhǔn)確的驅(qū)動(dòng)
例如,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,您可能會(huì)實(shí)時(shí)監(jiān)控和測(cè)量速度、位置、扭矩和電機(jī)運(yùn)行狀況,以便啟動(dòng)、加速或調(diào)節(jié)動(dòng)態(tài)速度,或讓電機(jī)系統(tǒng)減速。同樣,在半導(dǎo)體或電池測(cè)試設(shè)...
2023-03-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)模轉(zhuǎn)換器 902 0
這個(gè)功率MOSFET是使用米特克的先進(jìn)的屏蔽柵MOSFET技術(shù)。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)是特別定制的為了最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能優(yōu)良,并能承...
2024-09-26 標(biāo)簽:充電MOSFET開(kāi)關(guān)電源 901 0
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