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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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何時(shí)使用負(fù)載開(kāi)關(guān)取代分立MOSFET
像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見(jiàn)的方式,其四周?chē)@著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管...
SiC 器件性能表現(xiàn)突出,能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì),有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn),也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 I...
2025-02-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET安森美 899 0
針對(duì)空間非常緊湊的功率MOSFET應(yīng)用而言,3x3封裝是理想的尺寸。因此,在Nexperia的MOSFET產(chǎn)品序列中,采用了非常可靠的高性能LFPAK3...
2023-02-08 標(biāo)簽:電池管理MOSFET計(jì)算機(jī) 899 0
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述
拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問(wèn)題沒(méi)找到答案。有...
單個(gè)FET控制開(kāi)關(guān)模式LED背光中的第2個(gè)LED陣列
WLED 背光在 PDA、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他便攜式設(shè)備中很常見(jiàn)。本應(yīng)用筆記介紹了一種開(kāi)關(guān)模式升壓設(shè)計(jì),其中顯示器長(zhǎng)時(shí)間背光。與電阻受限和線(xiàn)性穩(wěn)壓設(shè)計(jì)相...
設(shè)計(jì)高輸出功率預(yù)調(diào)節(jié)器時(shí)使用散熱片的效果
自動(dòng)駕駛是所有汽車(chē)OEM在這個(gè)時(shí)代面臨的新一波重要趨勢(shì),車(chē)輛內(nèi)的電子控制單元(ECU)數(shù)量急劇增加。其中涵蓋了諸多應(yīng)用,例如駕駛輔助攝像頭、數(shù)據(jù)融合EC...
借助設(shè)計(jì)計(jì)算器工具設(shè)計(jì)出精簡(jiǎn)穩(wěn)健的熱插拔
LM25066設(shè)計(jì)計(jì)算器等設(shè)計(jì)工具有助于解決這些問(wèn)題并為您進(jìn)行必要的計(jì)算,能夠節(jié)省大量時(shí)間并避免人為錯(cuò)誤產(chǎn)生的風(fēng)險(xiǎn)。無(wú)論是創(chuàng)建新設(shè)計(jì),還是對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行...
同步降壓轉(zhuǎn)換器(Synchronous Buck Converter)的工作頻率是指其內(nèi)部開(kāi)關(guān)元件(如MOSFET)的通斷頻率,也就是控制器在控制電壓轉(zhuǎn)...
2024-08-14 標(biāo)簽:MOSFET工作頻率同步降壓轉(zhuǎn)換器 892 0
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗-有無(wú)驅(qū)動(dòng)器源極引腳的差異及其效果
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳,可以消除VLSOURCE對(duì)VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動(dòng)器源極引腳,可以提高導(dǎo)通速度。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器引腳 890 0
硅(Si)晶體管是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石,廣泛應(yīng)用于從微小的微控制器到強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)服務(wù)器的各種設(shè)備。硅作為半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)主要在于其豐富的資源、成熟的加工技...
整個(gè)電力電子行業(yè),包括射頻應(yīng)用和涉及高速信號(hào)的系統(tǒng),都在朝著在越來(lái)越小的空間內(nèi)提供越來(lái)越復(fù)雜的功能的解決方案發(fā)展。設(shè)計(jì)人員在滿(mǎn)足系統(tǒng)尺寸、重量和功率要求...
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET產(chǎn)品介紹
晶揚(yáng)電子作為國(guó)內(nèi)業(yè)內(nèi)著名的“電路與系統(tǒng)保護(hù)專(zhuān)家” ,生產(chǎn)的2N7002KX型N溝道MOSFET管,因其優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。本文將深入介...
碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器的選擇標(biāo)準(zhǔn)
利用集成負(fù)偏壓來(lái)關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)電動(dòng)汽車(chē)、不間斷電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和泵等高功率應(yīng)用時(shí),系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET,因?yàn)榕c I...
2024-08-20 標(biāo)簽:MOSFET安森美柵極驅(qū)動(dòng)器 884 0
在電信應(yīng)用中,MAX1637 是一種流行的器件。該器件具有許多優(yōu)點(diǎn),例如 PWM 操作、小尺寸、高 MOSFET 驅(qū)動(dòng)能力、寬 VIN 和 VOUT 范...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-低邊開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的Gate-Source間電壓的動(dòng)作
上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOS...
面向SoC和微處理器應(yīng)用的高效率20A單芯片Silent Switcher 2穩(wěn)壓器
工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用要求提供更高智能和自動(dòng)化水平以及更多檢測(cè)功能,使得電子系統(tǒng)數(shù)量激增,對(duì)電源性能的要求亦越來(lái)越高。除了解決方案的尺寸、高效率、熱效率、魯...
碳化硅MOSFET B2M035120YP用于太陽(yáng)能逆變器
隨著光伏逆變器功率等級(jí)的不斷提高,光伏行業(yè)對(duì)功率器件的規(guī)格和散熱要求也越來(lái)越高。相比于傳統(tǒng)硅器件,碳化硅功率器件能帶來(lái)更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗,從...
回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年,我們已走過(guò)了漫漫長(zhǎng)路。2015年正發(fā)布的組件具有無(wú)與倫比的精細(xì)度和集成度。處理器速度更快,發(fā)光二極管(LED)亮度更高,...
2015-11-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 879 0
如何利用艾德克斯IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測(cè)試
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開(kāi)關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)...
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