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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能,在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,SiCMOSFET在研...
2025-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 1483 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點
在下面的表格中,匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時,LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實現(xiàn)ZVS工作,部分諧...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1482 0
幾十年來,基于硅的半導(dǎo)體開關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...
向軟件定義汽車 (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新,在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開關(guān)。電子保險絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器...
適合于高功率放大器系統(tǒng)的單元拓?fù)浜蛿?shù)字控制原理研究
功率放大器在音頻功放、發(fā)射系統(tǒng)、伺服系統(tǒng)、聲納探測、振動測試等很多領(lǐng)域都得到廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的功率放大器采用線性放大電路,其效率較低(40%~60%),...
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢,但與UnitedSiC FET相比,這表明潛在的損耗...
2023-02-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1474 0
如何驗證DC/DC轉(zhuǎn)換器的相位裕度和負(fù)載響應(yīng)之間的折衷取舍問題呢?
可能許多人在 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的電路設(shè)計中會發(fā)現(xiàn),我們很難調(diào)整相位補(bǔ)償,如果調(diào)整得當(dāng),對于穩(wěn)壓器輸出負(fù)載的變動,可以抑制調(diào)節(jié)器振蕩或輸出電壓的大幅波動。
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個關(guān)鍵因素。
2023-03-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1471 0
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 1471 0
支持SPI通訊|高集成度的直流有刷柵極驅(qū)動IC TMI8721-Q1
拓爾微TMI8721-Q1專為智能汽車車身域打造,支持SPI通訊,用于各類驅(qū)動參數(shù)的調(diào)節(jié)及故障信息的讀??;同時TMI8721-Q1內(nèi)部集成了電流采樣運(yùn)放...
在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中,使用有源開關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率,尤其是產(chǎn)生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應(yīng)用中,也可使用...
使用耗盡型MOSFET簡化PD3.1快充設(shè)計(下)
盡管說如今的充電器,集成度越來越高,外圍器件的數(shù)量越來越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
與大多數(shù) DC/DC 控制器和穩(wěn)壓器相比,LTC3649 的輸出電壓可由單個電阻器或其內(nèi)部誤差放大器的基準(zhǔn)來設(shè)置。它還具有電流監(jiān)控輸出 I星期一.LTC...
碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)硅基器件,展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿...
三相180?正弦波無刷直流電機(jī)驅(qū)動IC-ACM6753介紹
ACM6753是一種三相無傳感器電機(jī)驅(qū)動IC,具有集成功率MOSFET,可提供高達(dá)3.2A峰值的驅(qū)動電流。
2023-08-15 標(biāo)簽:傳感器MOSFET電機(jī)驅(qū)動 1464 0
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