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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過(guò)于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
LT3752/LT8311具高輕負(fù)載效率的有源鉗位正激式轉(zhuǎn)換器
LT8311 用于正激式轉(zhuǎn)換器的副邊,以通過(guò)光耦合器提供同步 MOSFET 控制和輸出電壓反饋。LT8311 獨(dú)特的預(yù)激活模式允許控制次級(jí)側(cè) MOSFE...
2023-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET變壓器 1435 0
到20世紀(jì)中葉,電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛(ài)迪生發(fā)明的電燈通過(guò)照亮街道、工廠和住宅,提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過(guò)高效電機(jī)實(shí)現(xiàn)的制冷,...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對(duì)策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn):通過(guò)采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...
增強(qiáng)性能的100符柵極驅(qū)動(dòng)器提升先進(jìn)通信電源模塊的效率
UCC27282 120V半橋驅(qū)動(dòng)器具有多項(xiàng)新特性和參數(shù)改進(jìn),有助于實(shí)現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號(hào)可禁用驅(qū)動(dòng)器,將UCC27...
2023-03-30 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1433 0
開關(guān)電源PCB布板和EMI設(shè)計(jì)詳解
輸出參數(shù):輸出功率,輸出電壓,輸出電流,紋波,穩(wěn)壓(穩(wěn)流)精度,調(diào)整率,動(dòng)態(tài)特性(穩(wěn)定時(shí)間:settling time)、電源的啟動(dòng)時(shí)間和保持時(shí)間。
2023-11-03 標(biāo)簽:pcbMOSFET開關(guān)電源 1433 0
與硅相比,寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),如 Wolfspeed 的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可為電源設(shè)計(jì)人員帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)。更低的傳導(dǎo)...
適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì),為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而,GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵...
2024-02-29 標(biāo)簽:MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng) 1427 0
在當(dāng)前的電子系統(tǒng)中,負(fù)電源正在消失,正電源電壓也在逐漸降低。這種趨勢(shì)使得軌到軌放大器日益流行。盡管電源電壓在不斷地改變,但信號(hào)電平通常保持不變。例如,標(biāo)...
PN8611:優(yōu)化12V1A適配器性能的關(guān)鍵組件
PN8611是一款全電壓實(shí)現(xiàn)12V1A輸出的電源適配器芯片,PCBA尺寸:50.0mm*38.0mm*16.0mm,12W功率輸出,待機(jī)功耗<75...
N+緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)MCT瞬態(tài)特性(TLP)的影響
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
電感是電路中常見的儲(chǔ)能被動(dòng)元器件,在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)中起到濾波,升壓,降壓等作用。
2023-05-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源元器件 1425 0
隨著SWITCH的開關(guān),電感L中的電流也是在輸出電流的有效值上下波動(dòng)的。所以在輸出端也會(huì)出現(xiàn)一個(gè)與SWITCH同頻率的紋波,一般所說(shuō)的紋波就是指這個(gè),它...
2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源晶體管 1423 0
MOSFET損壞的主要原因包括靜電損壞、過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱和寄生振蕩等。為了預(yù)防和解決這些問(wèn)題,可以采取一系列措施,包括合理設(shè)計(jì)電路、做好靜電與浪涌防護(hù)、...
內(nèi)置1700V SiC MOS的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SCQ12xT-LBZ介紹
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業(yè)用空調(diào)及街燈等工業(yè)設(shè)備開發(fā)的內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC。
2023-02-09 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1422 0
在關(guān)斷狀態(tài)下,功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極...
功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)技術(shù)解析
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè) 1420 0
PCB板設(shè)計(jì)中幾種典型的通用ESD保護(hù)電路
ESD,也就是我們常說(shuō)的靜電釋放(Electro-Static discharge)。從學(xué)習(xí)過(guò)的知識(shí)中可以知道,靜電是一種自然現(xiàn)象,通常通過(guò)接觸、摩擦、...
單刀單刀雙極電源開關(guān)簡(jiǎn)化電源測(cè)試
本應(yīng)用筆記介紹了如何實(shí)現(xiàn)一個(gè)非承諾、隔離式SPST(單刀/單擲)雙極性電源開關(guān),該開關(guān)可用于產(chǎn)生高達(dá)200A和75V的瞬變。該開關(guān)可用于測(cè)試電源和電源 ...
副邊反饋18W功率MOSFET電源芯片U6205D封裝DIP-7介紹
家電產(chǎn)品是耐用消費(fèi)品,使用壽命長(zhǎng)生產(chǎn)規(guī)模大,對(duì)芯片的穩(wěn)定性、可靠性以及兼容性要求較高。
2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFETPWM反激式轉(zhuǎn)換器 1418 0
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