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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率半導(dǎo)體(IGBT/MOSFET)在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用
電動(dòng)汽車的電能控制主要是把電從電池輸出到電機(jī)上,怎么隨心所欲地實(shí)現(xiàn)輸出?
2023-05-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 2441 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護(hù)—軟關(guān)斷
想象一個(gè)場(chǎng)景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說,在一定的短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time SCWT)
Q關(guān)斷,集電極電壓開始上升到2Vdc,電容C限制集電極電壓的上升速度,并減小上升電壓和下降電流的重疊,減低開關(guān)管Q的損耗。
2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源變換器 1761 0
一直以來,探測(cè)高壓電路都面臨著獨(dú)特的挑戰(zhàn)。高壓浮地測(cè)量非常危險(xiǎn)且難以進(jìn)行,傳統(tǒng)的無源探頭是不合適的,隔離探頭和高壓差分探頭是可用的選擇。而在這一類別探頭...
介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時(shí)也稱為總柵極電荷??倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...
將兩個(gè)相同的電源并聯(lián)是建立一個(gè)冗余系統(tǒng)的簡(jiǎn)單方法,但兩個(gè)電源并聯(lián)時(shí),輸出電壓高的電源會(huì)向輸出電壓低的電源充電,形成環(huán)流,輸出電壓低的電源會(huì)發(fā)生過熱甚至燒...
U7712同步整流芯片典型輸出5v3A,是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。
本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是研究有源整流器電路。具體而言,有源整流器電路集成了運(yùn)算放大器、低閾值P溝道MOSFET和反饋環(huán)路,以合成一個(gè)正向壓降低于傳統(tǒng)PN結(jié)二極...
2023-05-29 標(biāo)簽:MOSFET整流器運(yùn)算放大器 1939 0
輻射這東西,看不見摸不著,整改還按小時(shí)算,一不小心幾萬塊就沒了。不得不說,EMC整改,真難。本文主要分享理論+實(shí)際案例,文章篇幅較長,建議先收藏再閱讀。
2023-05-29 標(biāo)簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 3017 0
12v1A電源芯片U6210推動(dòng)創(chuàng)新精簡(jiǎn)設(shè)計(jì)
12v1A電源芯片U6210是一款高性能原邊控制器,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用中。
MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,要想學(xué)好MOS管,首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來學(xué)。我們說,三極管有N管和P管,同樣的,MOS管也有N型和P型。
MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管驅(qū)動(dòng)電流 2407 0
新能源汽車?yán)锩娴呐潆娤到y(tǒng)和E-Fuse
傳統(tǒng)車的配電系統(tǒng),ECU主要通過保險(xiǎn)絲和繼電器完成車載電器的電源控制,包括鑰匙開關(guān)繼電器、燈光繼電器、喇叭繼電器等,還有一些常供電的負(fù)載直接通過保險(xiǎn)絲接...
優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)的方法
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-05-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源SiC 988 0
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