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      標簽　>　mram

      mram

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      MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

      文章：222個 瀏覽：32783次 帖子：28個

      mram資訊

      MRAM進駐MCU 28nm下將無閃存

      隨著越來越多具成本效益的應用選擇磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)，不僅為其帶來了成長動能，業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開始支持這一新興內(nèi)存選擇。

      2018-05-15 標簽：MCUMRAM 4.6k 0

      什么是STT-MRAM，關于STT-MRAM的作用以及應用

      隨著有希望的非易失性存儲器架構的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉移扭矩MRA...

      2020-08-04 標簽：存儲器MRAM 4.3k 0

      MRAM的性能能力以及如何使用MRAM提高邊緣計算的可靠性

      MRAM的性能能力以及如何使用MRAM提高邊緣計算的可靠性

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      2020-12-06 標簽：儲存器MRAM邊緣計算 4.3k 0

      MRAM等新興的非易失存儲器將成為實現(xiàn)內(nèi)存計算架構的關鍵技術之一

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      2020-07-23 標簽：半導體存儲器人工智能 4.1k 0

      傳統(tǒng)存儲芯片到達技術節(jié)點

      前言：實現(xiàn)硬件方面的復興，才能充分挖掘人工智能時代的潛力。在性能、功耗和密度（面積/成本）方面得到顯著改善的新興存儲可以滿足邊緣計算、近邊緣和云計算的需...

      2020-12-06 標簽：PCMMRAM智能硬件 4.1k 0

      強化嵌入式MRAM技術發(fā)展 開拓多元需求帶動市場起飛

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      2019-01-05 標簽：存儲器MRAM 3.9k 0

      聯(lián)電聯(lián)手AVALANCHE 合作開發(fā)28納米MRAM技術

      據(jù)臺灣經(jīng)濟日報最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）領導者美商Avalanche共同宣布，合作技術開發(fā)MRAM及相關...

      2018-08-09 標簽：聯(lián)電MRAMAVALANCHE 3.9k 0

      串行MRAM MR25H256

      MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯上...

      2020-09-19 標簽：mcuLDO)MRAM 3.8k 0

      英特爾及三星展示嵌入式MRAM在邏輯芯片新技術

      在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。

      2018-12-21 標簽：英特爾MRAM 3.8k 0

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      2020-04-25 標簽：NAND閃存MRAMeverspin 3.4k 0

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      2020-11-24 標簽：PCM英特爾存儲器 3.3k 0

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      Everspin主要是設計制造和商業(yè)銷售MRAM和STT-MRAM的領先者，其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Eversp...

      2020-08-17 標簽：存儲器MRAM 3.2k 0

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      臺工業(yè)技術研究院10日于美國舉辦的國際電子元件會議（IEDM）中發(fā)表鐵電存儲器（FRAM）、磁阻隨機存取存儲器（MRAM）等6篇技術論文。其中，從研究成...

      2019-12-10 標簽：三星電子臺積電mram 3.1k 0

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      2020-11-20 標簽：閃存存儲器MRAM 3.1k 0

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      Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應用的市場和應用。Everspin MRAM應用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用...

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      james1110

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