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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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廠商紛紛推新2000V SiC MOSFET產品，光伏儲能領域迎來突破

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術領域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率半導體器件——硅碳化物(SiC)成為了行業(yè)新寵。...

2024-05-10 標簽：MOSFET 光伏 SiC 1015 0

北一半導體完成B+輪1.5億元融資，加快SiC MOSFET技術研發(fā)

半導體產業(yè)網(wǎng)獲悉：5月8日，北一半導體科技（廣東）有限公司（以下簡稱“北一半導體”）宣布其成功完成了B+輪融資。本輪融資資金將主要用于SiC MOSFE...

2024-05-10 標簽：MOSFET 半導體晶圓 1141 0

如何更好的驅動SiC MOSFET？——試用X3系列加強型半橋驅動評估板

認真學習本文，回答三個問題，即有機會獲取評估板，自己上手做測試，體驗數(shù)字化驅動器的美妙和強大功能！得益于寬禁帶半導體的材料優(yōu)勢，SiCMOSFET在電力...

2024-05-10 標簽：MOSFET 半導體 SiC 681 0

光儲系統(tǒng)高壓化升級，2000V SiC MOSFET開始走進市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）功率SiC器件目前最大的應用市場是電動汽車。在汽車應用中，電動汽車的母線電壓普遍在400V左右，因此在主驅等部件中只需要用...

2024-05-09 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 5878 0

羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH將擴大150mm SiC晶圓長期供應合同

全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）和為各種電子設備提供半導體的全球著名半導體制造商意法半導體（以下簡稱“ST”）宣布，...

2024-05-08 標簽：晶圓意法半導體 SiC 864 0

中國SiC功率半導體產業(yè)蓬勃發(fā)展

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)報告顯示，中國在SiC功率半導體產業(yè)中占據(jù)領先地位，特別是在功率元件業(yè)務中達到了42.4%的高占比。這一領域涵蓋了...

2024-05-08 標簽：SiC 功率半導體電驅系統(tǒng) 841 0

模塊化碳化硅（SiC）器件評估的深入分析

碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領域的格局，帶來了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是，汽車應用正從SiC技術中...

2024-05-06 標簽：SiC 模塊化碳化硅 1504 0

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導電性能。這款產品提供...

2024-05-06 標簽：MOSFET SiC 納芯微 1021 0

SiC正在成為儲能主流，相關行業(yè)即將爆發(fā)？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）在當前的儲能系統(tǒng)中，尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應用時，寬禁帶半導體材料如SiC（碳化硅）正越來越受到青睞，因為這種材料...

2024-04-29 標簽：MOSFET IGBT SiC 4458 0

2000V SiC分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評估板

開發(fā)EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板的目的是評估TO-247 PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000V碳化硅MOSFET。評...

2024-05-14 標簽：PWM 分立器件 SiC 734 0

TPAK SiC優(yōu)選解決方案：有壓燒結銀+銅夾Clip無壓燒結銀

2024-04-25 標簽：SiC 碳化硅 Clip 1342 0

揚杰科技攜重點產品及解決方案精彩亮相CESC2024中國國際儲能大會

CESC2024中國國際儲能大會暨智慧儲能技術及應用展覽會于2024年4月23日在南京新國際博覽中心拉開帷幕，揚杰科技帶著最新一代的產品和技術亮相，圍繞...

2024-04-24 標簽：新能源 MOSFET 汽車電子 895 0

羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體擴大SiC晶圓供應合同

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2024-04-23 標簽：半導體晶圓 SiC 742 0

中車半導體獲電投融合創(chuàng)新基金投資

中車半導體近日獲得了電投融合創(chuàng)新基金的投資。電投融合創(chuàng)新基金是由國家電投產業(yè)基金聯(lián)合常州市產業(yè)投資基金（有限合伙）、常州市武進區(qū)基金及其他國有資本共同發(fā)...

2024-04-23 標簽：新能源汽車半導體晶閘管 1244 0

利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導體結

盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結MOSFET(例如意法...

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SiCrystal與意法半導體新簽協(xié)議，擴大碳化硅襯底供應

羅姆與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm（...

2024-04-23 標簽：晶圓意法半導體驅動IC 733 0

合肥世紀金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產能將大幅提升

據(jù)了解，世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領域取得重要突破，成功開發(fā)出可重復生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術。

2024-04-23 標簽：晶體 SiC 襯底 1722 0

車載逆變器需求旺盛，加速向SiC轉變

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）在很多日常電氣設備的使用場景中，逆變器都充當了不可或缺的重要角色。逆變器的應用場景非常多，比如汽車旅游、野外作業(yè)、應急電源...

2024-04-23 標簽：逆變器車載逆變器 SiC 4953 0

英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術

英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...

2024-04-20 標簽：電動汽車英飛凌 MOSFET 1627 0

SiC器件工作原理與優(yōu)勢

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，具備高電子遷移率、高熱導率以及高擊穿電場強度等特點。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時比...

2024-04-18 標簽：電機控制器功率器件 SiC 1344 0

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