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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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納芯微發(fā)布首款車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試，100%抗雪崩能力測(cè)試。

2024-04-18 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 768 0

頗有前景的半導(dǎo)體替代材料：SiC和GaN適用范圍及優(yōu)缺點(diǎn)介紹

自1954年以來，硅一直是先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的重要基石。人們普遍認(rèn)為，硅作為電子元件基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)核心材料的地位不可動(dòng)搖。

2024-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2778 0

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 體二極管 1192 0

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 納芯微 673 0

安富利推出了SiC高功率密度3.3KW雙向功率PFC電源解決方案

在儲(chǔ)能領(lǐng)域，一款高效的電源解決方案不僅能夠提升能源轉(zhuǎn)換效率，還能為電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障。

2024-04-17 標(biāo)簽：MOSFET 安富利 SiC 1120 0

碳化硅制備的重要性與難點(diǎn)和挑戰(zhàn)

這種耐高溫、承受高電壓、導(dǎo)熱性能好到驚人的材料，讓它在半導(dǎo)體、航空航天、電力電子等多個(gè)領(lǐng)域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說，沒有碳化硅，許多現(xiàn)代技術(shù)根本...

2024-04-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)SiC 1097 0

森國(guó)科榮獲“2023年度電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌企業(yè)成長(zhǎng)之星”獎(jiǎng)

4月12日，由華強(qiáng)電子網(wǎng)主辦的“2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)暨2023年度（第十六屆）華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌頒獎(jiǎng)盛典...

2024-04-16 標(biāo)簽：二極管電子元器件半導(dǎo)體 751 0

三菱電機(jī)出席第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)

4月12日至14日，第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦，本屆會(huì)議由中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦，合肥工業(yè)大學(xué)承辦。

2024-04-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 三菱電機(jī) 921 0

瞻芯電子將攜SiC器件及驅(qū)動(dòng)芯片參展CIAS功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新大會(huì)

4月23-24日，CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)將于蘇州獅山國(guó)際會(huì)議中心舉行。瞻芯電子將作為鉆石贊助商參展亮相，展示最新產(chǎn)品及方案，歡迎業(yè)...

2024-04-16 標(biāo)簽：新能源 SiC 驅(qū)動(dòng)芯片 995 0

國(guó)內(nèi)企業(yè)再獲突破成功掌握8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)

世紀(jì)金芯公司采用模擬軟件，首先對(duì)坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場(chǎng)進(jìn)行模擬計(jì)算，營(yíng)造符合實(shí)際生長(zhǎng)過程的溫度和溫度梯度。

2024-04-15 標(biāo)簽：晶體 SiC 980 0

華潤(rùn)微電子兩項(xiàng)產(chǎn)品入選中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊(cè)

華潤(rùn)微“SiC JBS器件及系列化產(chǎn)品”“SiC MOSFET器件及系列化產(chǎn)品”兩項(xiàng)成果入選電子元器件領(lǐng)域科技創(chuàng)新成果

2024-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 電動(dòng)車半導(dǎo)體 1025 0

新質(zhì)生產(chǎn)力賦能高質(zhì)量發(fā)展，青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備！

4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通過技術(shù)創(chuàng)新，在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進(jìn)展，在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。

2024-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 1462 0

SK Siltron獲州政府千億韓元支持，加碼美國(guó)密歇根產(chǎn)能

SK Siltron旗下的SK Siltron CSS為美國(guó)子公司，主要從事生產(chǎn)適用于電動(dòng)汽車及儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）的SiC晶圓業(yè)務(wù)，現(xiàn)已在貝城設(shè)立一座工廠。

2024-04-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 儲(chǔ)能系統(tǒng) 592 0

近萬人參會(huì)!2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在武漢召開

?4月9日，2024九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在武漢中國(guó)光谷科技會(huì)展中心開幕。海內(nèi)外化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚一堂，9位國(guó)內(nèi)外院士、300...

2024-04-11 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體 SiC 819 0

車企自研功率模塊加速落地，國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET和代工廠迎新機(jī)會(huì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用正在越來越普遍，而車企自研碳化硅模塊，也成為了不少車企選擇的方向。最近，蔚來自研碳化硅模塊C樣件在...

2024-04-11 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 8442 0

年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)32.6%！車載SiC和工業(yè)GaN前景暢旺，產(chǎn)業(yè)鏈廠商進(jìn)展如何

近日，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的國(guó)際領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體公布了最新的財(cái)報(bào)，ST SiC領(lǐng)域2023年收入達(dá)到14億美元，計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)15億美元的收入，到2...

2024-04-10 標(biāo)簽：ST 功率器件 SiC 4207 0

智己L6發(fā)布會(huì)誤導(dǎo)消費(fèi)者，小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理澄清

小米汽車產(chǎn)品經(jīng)理潘曉雯表示，小米SU7全系全域采用碳化硅技術(shù)，包括前后電驅(qū)以及車載充電機(jī)（OBC）和熱管理系統(tǒng)壓縮器等，強(qiáng)調(diào)了產(chǎn)品的整體優(yōu)勢(shì)。

2024-04-09 標(biāo)簽：SiC 碳化硅小米汽車 1084 0

Wolfspeed, ZF推遲至2025年的8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃

據(jù)悉，該座選址在薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠計(jì)劃由沃爾弗斯普萊特負(fù)責(zé)籌備，耗資約27.5億歐元（約等于215億人民幣），同時(shí)得到德國(guó)聯(lián)邦政府以及薩...

2024-04-09 標(biāo)簽：晶圓廠 SiC Wolfspeed 914 0

溝槽當(dāng)?shù)溃矫嫘蚐iC MOSFET尚能飯否？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。安森美在前代SiC MOSFET產(chǎn)品中，采用M1及其衍生的M...

2024-04-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 4475 0

蔚來SiC模塊C樣研制成功，芯聯(lián)集成助推新能源汽車市場(chǎng)

早在2024年1月，芯聯(lián)集成就與蔚來達(dá)成長(zhǎng)期供貨協(xié)議并共同開發(fā)碳化硅模塊產(chǎn)品。此次下線標(biāo)志著蔚來自研SiC模塊的成熟度大幅提高，逐步邁向商業(yè)化運(yùn)營(yíng)階段。

2024-04-07 標(biāo)簽：SiC 碳化硅蔚來 877 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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