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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅功率器件具有高壓高功率領(lǐng)域等優(yōu)勢,市場廣闊,應(yīng)用場景廣泛。也被認(rèn)為是下一代800V電動(dòng)汽車電驅(qū)核心技術(shù)。
2023-12-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率器件 1691 0
SiC三極管與SiC二極管的區(qū)別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅(SiC)材料制造的電子元件,它們在結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些明顯...
SIC MOSFET在電路中的作用是什么? SIC MOSFET(碳化硅場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率晶體管,具有較高的開關(guān)速度和功率密度,廣泛應(yīng)用于多...
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)?
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)? 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題,涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中,我們將詳細(xì)討論如何提...
SIC MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的基本要求
SIC MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新興的功率半導(dǎo)體器件,具有良好的電氣特性和高...
2023-12-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 1360 0
全球大廠帶節(jié)奏,日本功率半導(dǎo)體市場承受壓力
近日,日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝,聯(lián)合發(fā)布聲明,計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。
英飛凌OBC產(chǎn)品戰(zhàn)略路線:明年大規(guī)模轉(zhuǎn)向SiC,GaN要到2025年后
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)車載充電機(jī)OBC在新能源汽車上往往承載著慢充的需求,將交流充電樁輸入的交流電轉(zhuǎn)換成可以直接為動(dòng)力電池充電的直流電。不過,隨...
華為超級電機(jī)最高轉(zhuǎn)速實(shí)至名歸!
SiC作為第三代半導(dǎo)體材料,擁有高功率、耐高壓、耐高溫、高頻、低能耗的特性。通過采用高壓SiC技術(shù),華為將電機(jī)的最高效率提升到了98%。這意味著在相同的...
2023-12-20 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)華為電機(jī) 2120 0
SiC在車載電源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項(xiàng)應(yīng)用突破
據(jù)介紹,該技術(shù)利用SiC電源開關(guān)以提高效率,并提供更高的功率密度、功率轉(zhuǎn)換和安全合規(guī)性,預(yù)計(jì)將于 2027 年 1 月投產(chǎn)。
2023-12-20 標(biāo)簽:DC-DC車載電源電源開關(guān) 856 0
碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的...
國內(nèi)或增6個(gè)SiC項(xiàng)目,最高30萬片!
據(jù)官網(wǎng)資料,卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體此前新建研發(fā)及產(chǎn)業(yè)基地落地如皋高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),占地約46畝,總投入2.5億元。
2023-12-19 標(biāo)簽:SiC碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 1078 0
更高的擊穿場允許器件在給定區(qū)域承受更高的電壓。這使得器件設(shè)計(jì)人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流動(dòng)的面積,從而降低給定面積的器件電阻 (R sp )...
2023-12-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體逆變器 1592 0
去年7月,超芯星6英寸SiC襯底進(jìn)入美國一流器件廠商,由此成功打入美國市場;同年,超芯星成功研制出8英寸SiC襯底;今年7月,超芯星在官微宣布,公司已與...
納微半導(dǎo)體GeneSiC? 3.3kV SiC MOSFETs獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)
12月13-14日,由行家說三代半主辦的2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮于深圳國際會(huì)展中心皇冠假日酒店隆重舉辦,
芯聚能半導(dǎo)體榮獲“2023行家極光獎(jiǎng)”兩大殊榮
據(jù)了解,“年度最具影響力SiC模塊產(chǎn)品”旨在肯定SiC模塊制造技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域最新創(chuàng)新成果,對提高產(chǎn)能效率、科技轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)升級具有積極引導(dǎo)價(jià)值,同時(shí)也驅(qū)動(dòng)...
派恩杰半導(dǎo)體榮獲“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號
12月14日,第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉,派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號。
Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能的門極驅(qū)動(dòng)器
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器,新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能的適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)器
深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)...
2023-12-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTSiC 926 0
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