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SK海力士(Hynix)是一家源自韓國的半導體芯片制造商,主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導體公司之一,也是全球DRAM市場的領(lǐng)導者之一。
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據(jù)韓媒最新報道,特斯拉正與SK海力士就一項巨額企業(yè)固態(tài)硬盤(eSSD)訂單進行洽談。據(jù)悉,該訂單金額可能高達1萬億韓元(折合人民幣約51.59億元)。
SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發(fā)進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...
三星電子表示,由于內(nèi)存價格下跌,該公司第一季度的財務業(yè)績將低于市場預期。這項出人意料的盈利預警正值該公司即將于下月出發(fā)布初步業(yè)績之際,但市場預計,芯片需...
今日看點丨臺積電A14制程將于2026年上半年進行風險試產(chǎn);SK海力士推出全球最高性能的GDDR7
1. 傳蘋果將于明年3 月在印度生產(chǎn)iPhone 16 Pro 系列 ? 蘋果正在擴大在印度的制造足跡。據(jù)報道,蘋果計劃在印度生產(chǎn)高端iPhone 16...
據(jù)最新消息,韓國芯片生產(chǎn)商SK海力士已經(jīng)決定在美國印第安納州建設其150億美元的先進封裝工廠。這一決定意味著SK海力士將放棄之前考慮的亞利桑那州,并將印...
近日,韓國SK集團會長透露了一項重要信息,即英偉達公司的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出了一項特殊的要求。黃仁勛希望SK海力士能夠提前六個月供應其下一...
SK 海力士新設AI芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門,任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官
據(jù) Businesses Korea 報道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...
韓國存儲芯片巨頭SK海力士于近日宣布,為鞏固其在人工智能(AI)內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,公司決定在年度組織調(diào)整中新增兩個專門部門,專注于下一代AI芯片的開發(fā)...
SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的...
全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光,計劃在今年三季度到明年逐步實現(xiàn)1cnm的量產(chǎn)。然而,1dnm工藝則排在1cnm之后,預計量...
與傳統(tǒng)的DRAM相比,HBM擁有更高的數(shù)據(jù)容量和更低的功耗,使其成為需要高性能和高效率的人工智能應用程序的理想選擇。 一位業(yè)內(nèi)人士表示,在人工智能計算...
據(jù)了解,該廠預計在2028年啟動運營。進而,SK 海力士即將召開董事會會議,對該項建廠計劃進行表決,盡早達成決定。值得強調(diào)的是,SK海力士一度有考慮在亞...
SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
在人工智能浪潮的推動下,SK海力士再次展現(xiàn)其技術(shù)前瞻性與創(chuàng)新實力。公司副社長柳成洙(Ryu Seong-su)近日宣布了一項重大研發(fā)計劃,旨在打造一款性...
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9...
因2018年第四季總體經(jīng)濟不確定性提高 NAND Flash大廠營收持續(xù)走跌
全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,部分服務器廠商因2018年第四季總體經(jīng)濟不確定性提高,決定延后進貨或取消訂單,與...
內(nèi)存巨頭領(lǐng)跑2024年Q1半導體IDM營收,HBM需求成關(guān)鍵驅(qū)動
根據(jù)最新IDC報告,2024年第一季度半導體IDM企業(yè)營收榜單揭曉,三大內(nèi)存原廠三星電子、SK海力士與美光科技以強勁表現(xiàn),占據(jù)榜單前四中的三席,彰顯了它...
SK海力士尋求東電低溫蝕刻設備,或降低NAND閃存堆棧層數(shù)
當前,3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進展。然而,在這種趨勢下,閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。
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