耦合與隔直電容串聯(lián)在電路中，耦合電容選擇適當能將保證射頻能量得到最大限度的傳輸。一個實際電容能否滿足電路耦合要求，取決于隨頻率變化的電容相關參數(shù)：串聯(lián)諧振頻率FSR、并聯(lián)諧振頻率FPR、純阻抗、等效串聯(lián)電阻ESR、插入損耗IL和品質(zhì)因數(shù)Q。
ATC耦合電容有關參數(shù)如下：
其中，瓷介質(zhì)電容ATC100A101（100pF）的FSR=1GHz，ESR=0.072Ω，其Z-F曲線如下圖所示：
ATC100A101（100pF片式電容，水平安裝，電容極板平行于線路板）插損與頻率關系如下圖：
由上圖可知，在200MHz~1.5GHz之間，電容插損＜0.1dB；若將電容垂直安裝，即電容極板垂直于線路板，就能壓制1.6GHz處的并聯(lián)諧振窗口，電容的可用范圍擴展到2.4GHz左右。所以改變安裝取向可擴展電容的適用頻率范圍，用于寬帶耦合電路。
隔直電容取值：（旁路電容也按此取值）
100MHz取1000pF
400MHz取100pF
900MHz取33pF
1.2GHz取10pF
2.5GHz取5pF
10GHz取1~2pF
100kHz信號用0.01uf電容測的輸出為-5dbm，換成0.1uf的，輸出為5dBm。 除滿足x=1/wc外，頻率太高時要考慮q值，要用高q值微波電容 微波去耦電容也有用微帶線設計，有扇形，有方形，尺寸和工作頻率相關。
經(jīng)驗值：幾十M或是兩三百的用1000p，910p或是七八百的都沒問題，一兩個G的用100p左右的，兩百也可以。頻率高到十幾幾十個G的時候就大概一個G一個p，比如18G 就用18p.
在射頻電路中，該電容通常放在模塊的輸入與輸出端，因此也稱耦合電容。隔直電容的選擇以減小射頻信號損耗為原則，理論上容值越大越好（與容抗成反比），實際應用中因電容的加工工藝以及材質(zhì)的影響，帶寬較難兼顧。所以通常以小于所使用電路中的輸入輸出阻抗10倍以上選用相應容值。
隔值電容選擇舉例：
如果信號頻率為2500MHz-2570MHz，查看電容的自諧振頻率：
1、6.8pF：2821MHz
2、7pF：2793MHz
3、7.5pF：2631MHz
4、8pF：2563MHz
應用準則電容自諧振頻率略大于信號頻率（或者在自諧振頻率大于信號頻率的電容中，選擇容值最大的那個），上面四個電容中，7.5pF電容是最理想的隔直電容。
不同容值的電容，其自諧振頻率不同。在自諧振頻率處，電容的容抗最??；低于自諧振頻率，電容工作在容性狀態(tài)；高于自諧振頻率，電容工作在感性狀態(tài)。
以muRata GRM155系列電容為例，1pF、10pF、100pF、1000pF、10nF電容的自諧振頻率分別為7054MHz、2240MHz、678.6MHz、245MHz、77.35MHz，容值越高，其自諧振頻率越低。
在實際應用中，電容器的電容量往往比1法拉小得多，常用較小的單位，如毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）、皮法（pF）等，它們的關系是：1微法等于百萬分之一法拉；1皮法等于百萬分之一微法，即：
1法拉（F）=1000毫法（mF）；1毫法（mF）=1000微法（μF）；1微法（μF）=1000納法（nF）；1納法（nF）=1000皮法（pF）；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。
（1）額定電壓，為在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓。如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器將被擊穿，造成損壞。在實際中，隨著溫度的升高，耐壓值將會變低。
（2）絕緣電阻。直流電壓加在電容上，產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。當電容較小時，其值主要取決于電容的表面狀態(tài)；容量大于0.1時，其值主要取決于介質(zhì)。通常情況，絕緣電阻越大越好。
（3）損耗。電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量稱做損耗。損耗與頻率范圍、介質(zhì)、電導、電容金屬部分的電阻等有關。
（4）頻率特性。隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。當電容工作在諧振頻率以下時，表現(xiàn)為容性；當超過其諧振頻率時，表現(xiàn)為感性，此時就不是一個電容而是一個電感了。所以一定要避免電容工作于諧振頻率以上。