半導(dǎo)體特點有哪些？
半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。
★在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地摻入特定的雜質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。
★在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。
晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。
共價鍵結(jié)構(gòu)：相鄰的兩個原子的一對最外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構(gòu)成共價鍵。
自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。
空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。
電子電流：在外加電場的作用下，自由電子產(chǎn)生定向移動，形成電子電流。
空穴電流：價電子按一定的方向依次填補空穴（即空穴也產(chǎn)生定向移動），形成空穴電流。
本征半導(dǎo)體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們運動方向相反。
載流子：運載電荷的粒子稱為載流子。
導(dǎo)體電的特點：導(dǎo)體導(dǎo)電只有一種載流子，即自由電子導(dǎo)電。
本征半導(dǎo)體電的特點：本征半導(dǎo)體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電。
本征激發(fā)：半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
復(fù)合：自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。
動態(tài)平衡：在一定的溫度下，本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子與空穴對，與復(fù)合的自由電子與空穴對數(shù)目相等，達到動態(tài)平衡。
載流子的濃度與溫度的關(guān)系：溫度一定，本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導(dǎo)電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導(dǎo)電性能變差。
結(jié)論：本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能與溫度有關(guān)。半導(dǎo)體材料性能對溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。
雜質(zhì)半導(dǎo)體：通過擴散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素，可得到雜質(zhì)半導(dǎo)體。
N型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。
多數(shù)載流子：N型半導(dǎo)體中，自由電子的濃度大于空穴的濃度，稱為多數(shù)載流子，簡稱多子。
少數(shù)載流子：N型半導(dǎo)體中，空穴為少數(shù)載流子，簡稱少子。
施子原子：雜質(zhì)原子可以提供電子，稱施子原子。
N型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：它是靠自由電子導(dǎo)電，摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能也就越強。
P型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半導(dǎo)體。
多子：P型半導(dǎo)體中，多子為空穴。
少子：P型半導(dǎo)體中，少子為電子。
受主原子：雜質(zhì)原子中的空位吸收電子，稱受主原子。
P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能也就越強。
結(jié)論：
多子的濃度決定于雜質(zhì)濃度。
少子的濃度決定于溫度。
PN結(jié)的形成：將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成PN結(jié)。
PN結(jié)的特點：具有單向?qū)щ娦浴?br> 擴散運動：物質(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動，這種由于濃度差而產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。
空間電荷區(qū)：擴散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動，稱為空間電荷區(qū)。
電場形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場。
空間電荷加寬，內(nèi)電場增強，其方向由N區(qū)指向P區(qū)，阻止擴散運動的進行。
漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。
PN結(jié)的形成過程：如圖所示，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴散運動的多子數(shù)目等于參與漂移運動的少子數(shù)目，從而達到動態(tài)平衡，形成PN結(jié)。
PN結(jié)的形成過程
電位差：空間電荷區(qū)具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。
耗盡層：絕大部分空間電荷區(qū)內(nèi)自由電子和空穴的數(shù)目都非常少，在分析PN結(jié)時常忽略載流子的作用，而只考慮離子區(qū)的電荷，稱耗盡層。
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/font>
半導(dǎo)體特點有哪些？
2009年11月12日 10:20 www.brongaenegriffin.com 作者：佚名 用戶評論（0）
關(guān)鍵字：
非常好我支持^.^
(16) 10.5%
不好我反對
(137) 89.5%
相關(guān)閱讀：
( 發(fā)表人：admin )