兩種二極管都是單向?qū)щ?，?用于整流場(chǎng)合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o(wú)法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，最 后導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場(chǎng)合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān) 電源上的整流管溫度還是很高的。
快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié) 型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。
前者 反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng)，后者則在100納秒以下。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管，簡(jiǎn)稱肖特基二極管（Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢復(fù)時(shí)間很短（10-40納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電 壓場(chǎng)合。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源。
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：
肖特基二極管與普通二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流電路中?/p>
肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別主要是普通二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復(fù)速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o(wú)法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電，最后導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀；
肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場(chǎng)合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。
前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~！ 前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗，大電流，超高速~！電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~！快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金，單純的擴(kuò)散等工藝，可獲得較高的開關(guān)速度，同 時(shí)也能得到較高的耐壓。目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。
普通二極管伏安特性和肖特基二極管電壓電流特性
普通二極管的伏安特性如下圖：
1、普通二極管在電流流過(guò)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生約0.7-1.7伏特的電壓降，不過(guò)肖特基二極管的電壓降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系統(tǒng)的效率。
2、肖特基二極管是利用金屬-半導(dǎo)體接面作為肖特基勢(shì)壘，以產(chǎn)生整流的效果，和普通二極管中由半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。
3、肖特基勢(shì)壘的特性使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。
4、二極管由流過(guò)正向電流的導(dǎo)通狀態(tài)，切換到不導(dǎo)通狀態(tài)所需的時(shí)間。普通二極管的反向恢復(fù)時(shí)間大約是數(shù)百nS，若是高速二極管則會(huì)低于一百nS，肖特基二極管沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間，因此小信號(hào)的肖特基二極管切換時(shí)間約為數(shù)十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時(shí)間也才數(shù)十pS。由于普通二極管在反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi)會(huì)因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒(méi)有反向恢復(fù)時(shí)間及反相電流的問(wèn)題。
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
下面為肖特基二極管：
