1，低壓應用
當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。
同樣的問題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
2，寬電壓應用
輸入電壓并不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅動電壓是不穩(wěn)定的。
為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩(wěn)壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會引起較大的靜態(tài)功耗。
同時，如果簡單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會出現(xiàn)輸入電壓比較高的時候，MOS管工作良好，而輸入電壓降低的時候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。
3，雙電壓應用
在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。
這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的MOS管，同時高壓側的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。
在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS驅動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結構。
于是我設計了一個相對通用的電路來滿足這三種需求。
電路圖如下：
圖1 用于NMOS的驅動電路
圖2 用于PMOS的驅動電路