光耦的技術(shù)參數(shù)

　　一、輸入特性

　　光耦合器的輸入特性實(shí)際也就是其內(nèi)部發(fā)光二極管的特性。常見的參數(shù)有：

　　1. 正向工作電壓Vf（Forward Voltage）Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=20mA來測試正向工作電壓，當(dāng)然不同的LED，測試條件和測試結(jié)果也會不一樣。

　　2. 反向電壓Vr（Reverse Voltage ）

　　是指LED所能承受的最大反向電壓，超過此反向電壓，可能會損壞LED。在使用交流脈沖驅(qū)動LED時，要特別注意不要超過反向電壓。

　　3. 反向電流Ir（Reverse Current）

　　通常指在最大反向電壓情況下，流過LED的反向電流。

　　4. 允許功耗Pd（Maximum Power Dissipation）

　　LED所能承受的最大功耗值。超過此功耗，可能會損壞LED。

　　5. 中心波長λp（Peak Wave Length）

　　是指LED所發(fā)出光的中心波長值。波長直接決定光的顏色，對于雙色或多色LED，會有幾個不同的中心波長值。

　　6. 正向工作電流If（Forward Current）

　　If是指LED正常發(fā)光時所流過的正向電流值。不同的LED，其允許流過的最大電流也會不一樣。

　　7. 正向脈沖工作電流Ifp（Peak Forward Current）

　　Ifp是指流過LED的正向脈沖電流值。為保證壽命，通常會采用脈沖形式來驅(qū)動LED，通常LED規(guī)格書中給中的Ifp是以0.1ms脈沖寬度，占空比為1/10的脈沖電流來計(jì)算的。

　　二、輸出特性

　　光耦合器的輸出特性實(shí)際也就是其內(nèi)部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數(shù)有：

　　1. 集電極電流Ic（Collector Current）

　　光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其最大值

　　2. 集電極-發(fā)射極電壓Vceo（C-E Voltage）

　　集電極-發(fā)射極所能承受的電壓。

　　3. 發(fā)射極-集電極電壓Veco（E-C Voltage）

　　發(fā)射極-集電極所能承受的電壓

　　4. 反向截止電流Iceo

　　5. C-E飽和電壓Vce（sat）（C-E Saturation Voltage）

　　四、傳輸特性：

　　1．電流傳輸比CTR（Current Transfer Radio）

　　2．上升時間Tr （Rise Time）& 下降時間Tf（Fall Time）

　　其它參數(shù)諸如工作溫度、耗散功率等不再一一敷述。

　　三、隔離特性

　　1．入出間隔離電壓Vio（Isolation Voltage）

　　光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。

　　2．入出間隔離電容Cio（Isolation Capacitance）：

　　光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值

　　3．入出間隔離電阻Rio：（Isolation Resistance）

　　半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。光耦合器的技術(shù)參數(shù)主要有發(fā)光二極管正向壓降VF、正向電流IF、電流傳輸比CTR、輸入級與輸出級之間的絕緣電阻、集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓V（BR）CEO、集電極-發(fā)射極飽和壓降VCE（sat）。此外，在傳輸數(shù)字信號時還需考慮上升時間、下降時間、延遲時間和存儲時間等參數(shù)。

　　電流傳輸比是光耦合器的重要參數(shù)，通常用直流電流傳輸比來表示。當(dāng)輸出電壓保持恒定時，它等于直流輸出電流IC與直流輸入電流IF的百分比。

　　使用光電耦合器主要是為了提供輸入電路和輸出電路間的隔離，在設(shè)計(jì)電路時，必須遵循下列原則：所選用的光電耦合器件必須符合國內(nèi)和國際的有關(guān)隔離擊穿電壓的標(biāo)準(zhǔn)；由英國埃索柯姆（Isocom）公司、美國FAIRCHILD生產(chǎn)的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在國內(nèi)應(yīng)用地十分普遍?？梢杂糜?a target="_blank">單片機(jī)的輸出隔離；所選用的光耦器件必須具有較高的耦合系數(shù)。

　　以下為光電耦合器的常用參數(shù)：

　　反向電流IR：在被測管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。

　　反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規(guī)定值時，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。

　　正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規(guī)定值時，正負(fù)極之間所產(chǎn)生的電壓降。

　　正向電流IF：在被測管兩端加一定的正向電壓時二極管中流過的電流。結(jié)電容CJ：在規(guī)定偏壓下，被測管兩端的電容值。

　　反向擊穿電壓V（BR）CEO：發(fā)光二極管開路，集電極電流IC為規(guī)定值，集電極與發(fā)射集間的電壓降。

　　輸出飽和壓降VCE（sat）：發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時，并保持IC/IF≤CTRmin時（CTRmin在被測管技術(shù)條件中規(guī)定）集電極與發(fā)射極之間的電壓降。

　　反向截止電流ICEO：發(fā)光二極管開路，集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時，流過集電極的電流為反向截止電流。

　　電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規(guī)定值時，輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。

　　脈沖上升時間tr，下降時間tf：光耦合器在規(guī)定工作條件下，發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應(yīng)的脈沖波，從輸出脈沖前沿幅度的10%到90%，所需時間為脈沖上升時間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時間為脈沖下降時間tf。

　　傳輸延遲時間tPHL，tPLH：從輸入脈沖前沿幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時所需時間為傳輸延遲時間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時所需時間為傳輸延遲時間tPLH。

　　入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。入出間隔離電阻RIO：半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值.