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　　TLP352是可直接驅(qū)動(dòng)中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封裝的IC耦合器。該產(chǎn)品的最大延遲時(shí)間為200 ns，光電耦合器之間的傳輸延遲時(shí)間差(PDD*) 為90 ns(上述延遲時(shí)間均為工作溫度範(fàn)圍內(nèi)的保證值), 能夠減少停滯時(shí)間，提高變頻電路的效率。該產(chǎn)品採(cǎi)用的是使用壽命非常長(zhǎng)的新型LED，因此其工作溫度範(fàn)圍較大，在-40°C到125°C之間。該產(chǎn)品適用于許多設(shè)備，包括極端熱環(huán)境下使用的工業(yè)設(shè)備、家用光電動(dòng)力系統(tǒng)、數(shù)位家用電器、測(cè)量裝置和控制裝置。

　　*: PDD是傳輸延遲時(shí)間差的縮寫。

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　　特徵

　　傳輸延遲時(shí)間: tpLH,tpHL=200ns (最大)

　　耦合器之間的傳輸延遲時(shí)間差(PDD) = ±90ns (最大)

　　工作溫度範(fàn)圍大: Topr = ?40°C到125°C

　　峰值輸出電流: IOP = ±2.5A (最大)

　　低輸入電流: IFHL = 5mA (最大)

　　耐壓: BVs = 3750Vrms (最小)

　　應(yīng)用

　　交流伺服放大器

　　功率調(diào)節(jié)器

　　通用變頻器

　　IH(感應(yīng)加熱)

　　輪廓圖

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　　*: 提供可選表貼式引腳類型。

　　電路實(shí)例