CEVA首席執(zhí)行官Gideon Wertheizer評論說：“我們很高興地宣布翱捷科技選擇在其SoC中部署多種CEVA技術，這肯定了我們作為視覺、語音、蜂窩和連接的一站式IP企業(yè)的價值定位。我們期待與翱捷科技建立長期成功的合作關系，助力他們應對新興的智能手機和IoT市場。”

4.「阿丘科技」完成800萬美元A輪融資，DCM和百度風投領投；

36氪今日獲悉，此前報道過的高科技創(chuàng)業(yè)公司阿丘科技（Aqrose）已完成800萬美元A輪融資，由DCM、百度風投（BV）領投，長石資本和天使輪投資機構(gòu)跟投。 本輪融資將主要用于擴充研發(fā)和市場人員，以及打造工業(yè)機器人的視覺技術平臺。 此前，阿丘科技獲得英諾天使和臻云創(chuàng)投的千萬元天使輪投資。

阿丘科技主要專注于CV & Robotics 底層技術的研發(fā)，并有兩條主要的業(yè)務線——基于機器學習的視覺檢測系統(tǒng)，和基于3D視覺的智能分揀系統(tǒng)。 在成立不到一年的時間內(nèi)，阿丘科技將這些技術在多個場景中落地。

創(chuàng)始人黃耀表示，公司將繼續(xù)加大機器學習、3D視覺和Robotics等基礎技術的研發(fā)和儲備。 短期內(nèi)聚焦質(zhì)檢和分揀兩大業(yè)務線，重點應用于3C電子、汽車零部件和物流三大領域。 長遠來看，堅持以視覺為切入點，將AI和機器人結(jié)合，去探索和擴展機器人應用的邊界。

DCM董事合伙人曾振宇表示，DCM長期看好利用技術來提高生產(chǎn)效率的大方向。 DCM很榮幸和阿丘合作，共同探索用人工智能改造傳統(tǒng)行業(yè)的商業(yè)模式。 百度風投（BV）CEO劉維表示，機器視覺作為AI大腦的核心信息來源，推動著AI不斷開疆拓土。 阿丘作為一家專注于工業(yè)機器人視覺技術的前沿科技公司，將大大拓展工業(yè)機器人的適用范圍，也為工業(yè)機器人生態(tài)的發(fā)展補上一塊關鍵短板。

阿丘科技創(chuàng)始團隊來自清華人工智能實驗室，近期也吸引了多名行業(yè)資深人才加盟。 目前已在昆山、深圳設立辦公室，期待更多計算器視覺、機器人等領域?qū)I(yè)人才加入，一起去推動AI技術在自動化及機器人領域的應用。

5.湖南8家集成電路企業(yè)獲超5.1億元意向投資；

1月18號，湖南省集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)秀科技創(chuàng)新企業(yè)投融資路演會在省科技廳舉行。

湖南省集成電路設計與應用產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟內(nèi)的進芯電子、天羿領航、邁克森偉電子等8家企業(yè)參加路演，獲得意向投資金額5.1億元。據(jù)悉，依托產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟開展投融資路演，在湖南省尚屬首次。

根據(jù)湖南在集成電路產(chǎn)業(yè)方面的規(guī)劃，起步階段（2015-2017年），湖南將重點扶持2-3家集成電路龍頭企業(yè)，培育一批以工業(yè)控制、軌道交通、數(shù)字電視、汽車電子、衛(wèi)星導航芯片為主業(yè)的集成電路企業(yè)。

而在發(fā)展階段（2017-2020年），將建成擁有國際先進水平的集成電路特色工藝生產(chǎn)基地。通過制造、設計和市場的聯(lián)動，推動至少8家集成電路公司上市，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破400億元，成為國家重點集成電路產(chǎn)業(yè)基地。

據(jù)了解，近年來，湖南省集成電路產(chǎn)業(yè)復合增長率達到50%以上，已初步形成以芯片設計和IGBT為特色的長沙、株洲兩大產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，目前已涵蓋集成電路設計、制造、封測、設備以及材料等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

6.半導體所等在拓撲激子絕緣體相研究中取得進展

上世紀60年代，諾貝爾獎獲得者Mott提出激子絕緣相，Mott提出考慮庫侖屏蔽效應，在半金屬體系中電子-空穴配對而形成激子，可能會導致體系失穩(wěn)，從而在半金屬費米面處打開能隙，形成激子絕緣體狀態(tài)。但迄今為止，實驗上觀測激子絕緣體相是一個尚未完全解決的關鍵科學問題。激子絕緣體相存在及其玻色-愛因斯坦凝聚的確鑿證據(jù)并不充分，主要是由于激子的壽命較短，帶來觀測上的困難。

InAs/GaSb半導體量子阱系統(tǒng)是重要的紅外探測器體系，其能帶結(jié)構(gòu)獨特，本征情況下會自發(fā)形成空間分離的二維電子氣和空穴氣。由于其電子、空穴的空間分離，激子壽命變長，為研究激子絕緣體提供了良好的平臺。在InAs/GaSb半導體量子阱中，通過調(diào)節(jié)InAs和GaSb層厚，可使GaSb層的價帶頂高于InAs層的導帶底，體系中可以自發(fā)地形成局域于InAs層的電子氣和局域于GaSb層的空穴氣，兩者在實空間分離。美國斯坦福大學張首晟研究組的理論工作證明，InAs/GaSb量子阱的基態(tài)是二維量子自旋霍爾絕緣體；美國萊斯大學/北京大學杜瑞瑞實驗組在該系統(tǒng)中觀察到拓撲邊緣態(tài)的輸運，并發(fā)現(xiàn)邊緣態(tài)輸運即使在強磁場下仍能保持。

如果考慮電子-空穴間的庫侖作用，即當激子束縛能大于體系的雜化能隙時，理論上猜想該體系基態(tài)形成如Mott預言的激子絕緣體相甚至拓撲激子絕緣相。美國萊斯大學/北京大學杜瑞瑞實驗組、美國萊斯大學大學Kono實驗組和中國科學院半導體研究所常凱理論組，從實驗和理論兩方面研究InAs/GaSb量子阱中的激子絕緣相。研究員常凱、副研究員婁文凱構(gòu)造了平行磁場下激子的多帶量子多體理論模型，研究激子絕緣相的基態(tài)及其獨特的色散，發(fā)現(xiàn)激子的基態(tài)是處于有限動量處的暗激子。在低溫且低電子-空穴對密度情形下，體系打開類似BCS超導體中的能隙。通過研究激子的色散關系，提出利用太赫茲透射譜來驗證激子絕緣體的存在，指出太赫茲透射譜表現(xiàn)為兩個吸收峰，理論計算預言的吸收峰位與實驗一致，為激子絕緣相光學觀測提供了理論依據(jù)。

相關研究成果發(fā)表在Nature Communications上。

（a）InAs/GaSb量子阱能譜圖；（b）實驗裝置示意圖；（c）激子絕緣體色散關系；（d）激子絕緣體聯(lián)合態(tài)密度；（e）THz吸收譜；（f）-（h） THz吸收譜：固定磁場不同溫度（f），固定溫度不同磁場（f，h）；（i）帶隙與溫度關系；（j）測量縱向電導與門電壓之間關系；（k）不同磁場強度下InAs/GaSb能譜結(jié)構(gòu)。?