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關(guān)于集成電路系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)以及應用

2019年01月01日 16:52 劉林華 作者:電子發(fā)燒友 用戶評論(0

  由于集成電路設(shè)計水平和工藝技術(shù)的提高,集成電路規(guī)模越來越大,已可以將整個系統(tǒng)集成為一個芯片(目前已可在一個芯片上集成108個晶體管)。這就使得將含有軟硬件多種功能的電路組成的系統(tǒng)(或子系統(tǒng))集成于單一芯片成為可能。90年代末期集成電路已經(jīng)進入系統(tǒng)級芯片(SOC)時代。

  20世紀80年代,專用集成電路用標準邏輯門作為基本單元,由加工線供給設(shè)計者無償使用以縮短設(shè)計周期:90年代末進入系統(tǒng)級芯片時代,在一個芯片上包括了CPUDSP、邏輯電路、模擬電路、射頻電路、存儲器和其它電路模塊以及嵌入軟件等,并相互連接構(gòu)成完整的系統(tǒng)。

  由于系統(tǒng)設(shè)計日益復雜,設(shè)計業(yè)出現(xiàn)了專門從事開發(fā)各種具有上述功能的集成電路模塊(稱做知識產(chǎn)權(quán)的內(nèi)核,即IP核)的工廠,并把這些模塊通過授權(quán)方式提供給其他系統(tǒng)設(shè)計者有償使用。設(shè)計者將以IP核作為基本單元進行設(shè)計。IP核的重復使用既縮短了系統(tǒng)設(shè)計周期,又提高了系統(tǒng)設(shè)計的成功率。

  研究表明,與IC組成的系統(tǒng)相比,由于SOC設(shè)計能夠綜合并全盤考慮整個系統(tǒng)的各種情況,可以在同樣工藝技術(shù)條件下實現(xiàn)更高的系統(tǒng)指標。21世紀將是SOC技術(shù)真正快速發(fā)展的時期。

  近年來由于整機的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的趨勢,要求芯片上集成更多不同類型的元器件,如Si-CMOSIC、GaAs-RFIC、各類無源元件、光機

  電器件、天線、連接器傳感器等。單一材料和標準工藝的SOC就受到了限制。近年來在SOC基礎(chǔ)上快速發(fā)展的系統(tǒng)級封裝(SiP),即在一個封裝內(nèi)不僅可以組裝多個芯片,還可以將包含上述不同類型的器件和電路芯片疊在’—起,構(gòu)建成更為復雜的、完整的系統(tǒng)。

  SiP與SOC相比較具有:

 ?。?)可提供更多新功能;

  (2)多種工藝兼容性好;

 ?。?)靈活性和適應性強;

 ?。?)低成本;

 ?。?)易于分塊測試;

  (6)開發(fā)周期較短等優(yōu)點。

  SOC和SiP二者互為補充,一般認為SOC主要應用于更新?lián)Q代較慢的產(chǎn)品和軍事裝備要求高性能的產(chǎn)品,SiP主要用于換代周期較短的消費類產(chǎn)

  品,如手機等。SiP在合格率和計算機輔助設(shè)計方面尚有待進一步提高。

  由于SiP的復雜性,無論是在設(shè)計和工藝技術(shù)方面都提出了更高的要求。在設(shè)計方面需要系統(tǒng)工程師、電路設(shè)計、版圖設(shè)計、硅技術(shù)設(shè)計、測試和制造等工程師團隊一起合作共同實現(xiàn)最好的性能、最小的尺寸和最低的成本。首先通過計算機輔助模擬設(shè)計采用的IC芯片、功率和無源元件等參數(shù)及布局;設(shè)計高密度布線中要考慮消除振蕩、過沖、串擾和輻射等;熱耗散和可靠性的考慮;基板材料的選擇(包括介電常數(shù)、損耗、互連阻抗等);制定線寬、間距和通孔等設(shè)計規(guī)則;最后設(shè)計出母板的布圖。

  SiP采用近十年來快速發(fā)展的倒裝焊互連技術(shù),倒裝焊互連比引線鍵合具有直流壓降低、互連密度高、寄生電感小、熱特性和電學性能好等優(yōu)點,但費用較高。SiP的另一大優(yōu)點是可以集成各種無源元件。無源元件在集成電路中的用量日益增加,如在手機中無源元件和有源器件之比約為50:1。采用近年來發(fā)展的低溫共燒多層陶瓷(LTCC)和低溫共燒鐵氧體(LTCF)技術(shù),即在多層陶瓷內(nèi)集成電阻、電容、電感、濾波器諧振器等無源元件,就如同在硅片中集成有源器件一樣。此外,為了提高管芯在封裝中所占面積比多采用兩個以上的芯片疊層結(jié)構(gòu),在Z方向上進行三維集成。其疊層芯片之間超薄柔性絕緣層底板的研制、底板上的銅布線、互連通孔和金屬化等新工藝技術(shù)得到了發(fā)展。

  SiP以其進入市場快、更小、薄、輕和更多的功能的競爭力, 目前己在工業(yè)界得到廣泛地應用。其主要應用領(lǐng)域為射頻/無線應用、移動通信、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、計算機和外設(shè)、數(shù)碼產(chǎn)品、圖像、生物和MEMS傳感器等。

  到2010年預計SiP的布線密度可達6000cm/cm2,熱密度達到100W/cm2,元件密度達5000/cm2,I/O密度達3000/cm2。系統(tǒng)級封裝設(shè)計也像SOC的自動布局布線一樣朝著計算機輔助自動化的方向發(fā)展。Intel公司最先進的SiP技術(shù)已將五片疊層的閃存芯片集成到1.0mm的超薄封裝內(nèi)。日本東芝的SiP目標是把移動電話的全部功能集成到一個封裝內(nèi)。日本最近預測如果全世界LSI系統(tǒng)的1/5采用SiP技術(shù),則SiP的市場可達1.2萬億日元。SiP以其進入市場快的優(yōu)勢,在未來幾年內(nèi)將以更快的增長速度發(fā)展。我國在加快發(fā)展集成電路設(shè)計和芯片制造的同時,應當加大系統(tǒng)級封裝的研究和開發(fā)。

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( 發(fā)表人:彭濤 )

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