| 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT） | ||
|
IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做絕緣柵極雙極晶體管。這種器件具有MOS門(mén)極的 | ||
| 高速開(kāi)關(guān)性能和雙極動(dòng)作的高耐壓、大電流容量的兩種特點(diǎn)。其開(kāi)關(guān)速度可達(dá)1mS，額定電流密度100A/cm2， | ||
| 電壓驅(qū)動(dòng)，自身?yè)p耗小。其符號(hào)和波形圖如下圖所示。 | ||
 |
 | |
| IGBT可以耐高壓、大電流，常以一個(gè)單元、二個(gè)單元、六個(gè)單元裝在一個(gè)芯片上，下圖給出一、二、六單元在一個(gè)硅片上的等效電路。 | ||
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
2009年12月10日 14:24 www.brongaenegriffin.com 作者：佚名 用戶(hù)評(píng)論（0）
關(guān)鍵字：
非常好我支持^.^
(0) 0%
不好我反對(duì)
(0) 0%
相關(guān)閱讀：
( 發(fā)表人：admin )