與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的β-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論文形式介紹一下β-Ga2O3的特點、研發(fā)成果以及今后的發(fā)展。
我們一直在致力于利用氧化鎵（Ga2O3）的功率半導體元件（以下簡稱功率元件）的研發(fā)。Ga2O3與作為新一代功率半導體材料推進開發(fā)的SiC和GaN相比，有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率元件。其原因在于材料特性出色，比如帶隙比SiC及GaN大，而且還可利用能夠高品質且低成本制造單結晶的“溶液生長法”。
在我們瞄準的功率元件應用中，使用Ga2O3試制了“MESFET”（metal-semiconductorfield effect transistor，金屬半導體場效應晶體管）。盡管是未形成保護膜（鈍化膜）的非常簡單的構造，但試制品顯示出了耐壓高、泄漏電流小的特性。而使用SiC及GaN來制造相同構造的元件時，要想實現(xiàn)像試制品這樣的特性，則是非常難的。
雖然研發(fā)尚處于初期階段，但我們認為Ga2O3的潛力巨大。本論文將介紹Ga2O3在功率元件用途方面的使用價值、研發(fā)成果，以及今后的目標等。