反激式電源的開關(guān)過程分析

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關(guān)于這個(gè)論題很多人已經(jīng)給出了它們的分析，不過呢寥寥幾句有時(shí)候帶給人更多的是疑惑和迷茫。參考了一些論文和分析，把我個(gè)人對(duì)這個(gè)問題的分析表述出來，可能和設(shè)計(jì)的分析會(huì)有一些誤差，不過提出一個(gè)大家看得懂的問題總是比努力去看懂一些生澀的文字要好些（這里說明一點(diǎn)，做的分析和示意可能并不是對(duì)的）。


我們分析的主要問題還是在Q1管子在關(guān)斷過程中的響應(yīng)，至于設(shè)計(jì)電路減小這個(gè)響應(yīng)的影響，方法有很多，個(gè)人以為就取值和影響合在一起做一個(gè)小專題。
在關(guān)斷過程中，如果不考慮加入抑制暫態(tài)過程的電路，我們看到的波形將不會(huì)是理想的，如下圖所示：

把上回寫的功率變壓器模型 改進(jìn)模型2帶入其中分析：

Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析：
勵(lì)磁電感和漏電感中均儲(chǔ)存能量，同時(shí)由于二極管的結(jié)電容存在，次級(jí)電容上都存在一定的電壓，次級(jí)漏感中無電流。

然后我們把Mos管關(guān)掉，看下圖:


我們來吧上面的過程整理一下：
1.MOS管關(guān)斷后,初級(jí)電流（勵(lì)磁電感和初級(jí)漏電感和電源的綜合作用）給MOS輸出電容充電，初級(jí)電容，初次級(jí)之間電容，次級(jí)電容，次級(jí)二極管電容，負(fù)載電容則開始放電（你可以這樣理解，因?yàn)閴翰钚×?，電容放電，也可以理解為反向充電），Mos管DS端電壓是上升的（這里可以認(rèn)為是上面所涉及的分布參數(shù)之間的諧振，這個(gè)電路的Q之很小的），此時(shí)的電壓可以認(rèn)為是線性上升的。
注意此時(shí)的次級(jí)的二極管是沒有導(dǎo)通的，因?yàn)镈S端電壓比較小。
2.當(dāng)DS端電壓上升，次級(jí)的電壓達(dá)到輸出電壓（這是客觀存在的，因?yàn)槲覀円ＷC輸出電壓的穩(wěn)定）+整流管的電壓后,如果沒有次級(jí)漏感，次級(jí)回路就導(dǎo)通了，因此DS端電壓會(huì)繼續(xù)上升，當(dāng)克服了次級(jí)漏感的影響后，次級(jí)電流開始上升，在這個(gè)時(shí)候勵(lì)磁電感的能量由于有更小的阻抗通路，從初級(jí)來看，初級(jí)電流會(huì)減小。

3.這個(gè)時(shí)候起決定性作用的就變成了初級(jí)漏感，它不能耦合到次級(jí)上沒有小的阻抗通路，因此初級(jí)漏電感就和Mos管輸出電容之間和初級(jí)電容之間諧振，電壓形成幾個(gè)震蕩（如果沒有吸收和clamped電路這個(gè)過程會(huì)持續(xù)很久）。
初級(jí)漏感電流是初級(jí)電流的一部分，因此伴隨著初級(jí)漏感電流的下降的是次級(jí)電流的上升，如果沒有clamped電路，電流的下降會(huì)非?？欤绻尤隿lamped電路等于把這個(gè)過程拉長(zhǎng)，電壓應(yīng)力也就減小了。


看來篇幅比較大，我打算把計(jì)算和仿真的驗(yàn)證放在另一博文內(nèi)吧，今天周日還是好好休息半天，晚上還要看球，媳婦還有個(gè)博弈計(jì)算的政治任務(wù)，數(shù)數(shù)還真不少事情。