晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。

　　晶閘管簡(jiǎn)稱為SCR，IGBT的中文名稱為絕緣柵雙極型晶體管。

　　IGBT等效為由BJT（雙極型三極管）加MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）。

　　IGBT為全控型器件，SCR為半控型器件。

　　IGBT模塊已經(jīng)在很多運(yùn)用場(chǎng)合取代了SCR。

　　SCR是通過電流來控制，IGBT通過電壓來控制。

　　SCR需要電流脈沖驅(qū)動(dòng)開通，一旦開通，通過門極無法關(guān)斷。

　　SCR的開關(guān)時(shí)間較長(zhǎng)，所以頻率不能太高，一般在3-5KHZ左右；IGBT的開關(guān)頻率較高。IGBT模塊可達(dá)30KHZ左右，IGBT單管開關(guān)頻率更高，達(dá)50KHZ以上。

　　晶閘管和IGBT有什么區(qū)別？?

　　功率晶閘管（SCR）在過去相當(dāng)一段時(shí)間里，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯一半導(dǎo)體器件。因此，針對(duì)SCR的不足，人們又研制開發(fā)出了門極關(guān)斷晶閘管（GTO）。用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結(jié)果，但其關(guān)斷控制較易失敗，仍較復(fù)雜，工作頻率也不夠高。幾乎與此同時(shí)，電力晶體管（GTR）迅速發(fā)展了起來。???

　　絕緣柵雙極晶體管IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物。其主體部分與晶體管相同，也有集電極和發(fā)射極，但驅(qū)動(dòng)部分卻和場(chǎng)效應(yīng)晶體管相同，是絕緣柵結(jié)構(gòu)。IGBT的工作特點(diǎn)是，控制部分與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相同，控制信號(hào)為電壓信號(hào)?UGE，輸人阻抗很高，柵極電流I?G≈0，故驅(qū)動(dòng)功率很小。而其主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流，工作頻率可達(dá)20kHz。由IGBT作為逆變器件的變頻器載波頻率一般都在10kHz以上，故電動(dòng)機(jī)的電流波形比較平滑，基本無電磁噪聲。???

　　雖然硅雙極型及場(chǎng)控型功率器件的研究已趨成熟，但是它們的性能仍待提高和改善，而1996年出現(xiàn)的集成門極換流晶閘管（IGCT）有迅速取代?GTO的趨勢(shì)。????

　　集成門極換流晶閘管（IGCT）是將門極驅(qū)動(dòng)電路與門極換流晶閘管GCT集成于一個(gè)整體形成的器件。門極換流晶閘管GCT是基于GTO結(jié)構(gòu)的一個(gè)新型電力半導(dǎo)體器件，它不僅與GTO有相同的高阻斷能力和低通態(tài)壓降，而且有與IGBT相同的開關(guān)性能，兼有GTO和IGBT之所長(zhǎng)，是一種較理想的兆瓦級(jí)、中壓開關(guān)器件。IGCT芯片在不串不并的情況下，二電平逆變器容量0.5～3MVA，三電平逆變器1～6MVA；若反向二極管分離，不與IGCT集成在一起，二電平逆變器容量可擴(kuò)至4.?5MVA，三電平擴(kuò)至9MVA。目前IGCT已經(jīng)商品化，ABB公司制造的IGCT產(chǎn)品的最高性能參數(shù)為?4.5kV／4kA，最高研制水平為6kV/4kA［1］。1998?年，日本三菱公司也開發(fā)了直徑為88mm的6kV/4kA的GCT晶閘管。