雙向可控硅觸發(fā)電路圖一：
為了提高效率，使觸發(fā)脈沖與交流電壓同步，要求每隔半個(gè)交流電的周期輸出一個(gè)觸發(fā)脈沖，且觸發(fā)脈沖電壓應(yīng)大于4V，脈沖寬度應(yīng)大于20us.圖中BT為變壓器，TPL521-2為光電耦合器，起隔離作用。當(dāng)正弦交流電壓接近零時(shí)，光電耦合器的兩個(gè)發(fā)光二極管截止，三極管T1基極的偏置電阻電位使之導(dǎo)通，產(chǎn)生負(fù)脈沖信號(hào)，T1的輸出端接到單片機(jī)80C51的外部中斷0的輸入引腳，以引起中斷。在中斷服務(wù)子程序中使用定時(shí)器累計(jì)移相時(shí)間，然后發(fā)出雙向可控硅的同步觸發(fā)信號(hào)。過零檢測(cè)電路A、B兩點(diǎn)電壓輸出波形如圖2所示。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖二：
電路如圖3所示，圖中MOC3061為光電耦合雙向可控硅驅(qū)動(dòng)器，也屬于光電耦合器的一種，用來驅(qū)動(dòng)雙向可控硅BCR并且起到隔離的作用，R6為觸發(fā)限流電阻，R7為BCR門極電阻，防止誤觸發(fā)，提高抗干擾能力。當(dāng)單片機(jī)80C51的P1.0引腳輸出負(fù)脈沖信號(hào)時(shí)T2導(dǎo)通，MOC3061導(dǎo)通，觸發(fā)BCR導(dǎo)通，接通交流負(fù)載。另外，若雙向可控硅接感性交流負(fù)載時(shí)，由于電源電壓超前負(fù)載電流一個(gè)相位角，因此，當(dāng)負(fù)載電流為零時(shí)，電源電壓為反向電壓，加上感性負(fù)載自感電動(dòng)勢(shì)el作用，使得雙向可控硅承受的電壓值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過電源電壓。雖然雙向可控硅反向?qū)?，但容易擊穿，故必須使雙向可控硅能承受這種反向電壓。一般在雙向可控硅兩極間并聯(lián)一個(gè)RC阻容吸收電路，實(shí)現(xiàn)雙向可控硅過電壓保護(hù)，圖3中的C2、R8為RC阻容吸收電路。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖三：
此時(shí)無論是打開開關(guān)、和關(guān)閉開關(guān)（驅(qū)動(dòng)MOC306或者不驅(qū)動(dòng)MOC3061）可控硅都是導(dǎo)通的，即不能關(guān)閉可控硅，百般糾結(jié)和查看資料后才發(fā)現(xiàn)G極和T1之間的關(guān)系，安照這個(gè)電路接的話，不管J3開路時(shí)，G極的電壓等于T2的電壓，當(dāng)交流電流過雙向可控硅時(shí)，G極與T1之間總存在一個(gè)電壓差，即T1與T2之間的電壓差，這個(gè)電壓差就導(dǎo)通了可控硅，所以雙向可控硅雖然沒有正、負(fù)極的區(qū)別，卻有T1、T2的區(qū)別。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖四：
如下圖所示，當(dāng)電網(wǎng)電壓小于220V時(shí)，雙向可控硅SCR2控制極上的電壓也隨電網(wǎng)電壓減小而降低，致使VD2導(dǎo)通角小，C1端電壓上升，從而使雙向可控硅SCRl控制極電壓升高，使輸出電壓上升。反之，輸出電壓下降，達(dá)到穩(wěn)壓。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖五：
所示，左側(cè)為兩個(gè)30K/2W的電阻，這樣限制輸入電流為：220V/60K=3.67mA，由于該路僅僅是為了提取交流信號(hào)，因此小電流輸入即可。整流橋芯片采用小功率（2W）的KBP210，之后接入一個(gè)光耦（P521），這樣如圖1整流后信號(hào)電壓值超過光耦前段二極管的導(dǎo)通電壓時(shí)，即產(chǎn)生一次脈沖，光耦右側(cè)為一上拉電路，VCC為單片機(jī)供電電壓：+3.3V。光耦三極管導(dǎo)通時(shí)，輸出低電平，關(guān)閉時(shí)輸出高電平。
雙向可控硅觸發(fā)電路圖六：
VDI、VD2、Cl與C2組成簡(jiǎn)單的電容降壓半被整流電源，通電后C2兩端能獲得約12V左右的直流電壓供光控電路用電。VT、VD3、R2、R3與RP構(gòu)成光控電路，白天光敏二極管VD3受光照射呈低電阻，VT基極電位下降，所以VT截止，可控硅vs得不到觸發(fā)電壓而處于關(guān)斷狀態(tài)，燈H不亮。夜間，VD3無光線照射呈高電阻，VT的基極電位上升，VT導(dǎo)通，就向vs注入正向觸發(fā)電流，故vs立即開通，燈H全壓點(diǎn)亮。調(diào)節(jié)電位器RP能調(diào)節(jié)三極管VT的基極電位，從而能對(duì)光控靈敏度進(jìn)行調(diào)整。
