在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表中，收編了美國(guó)、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管（MOSFET）、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MES）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列的單管、對(duì)管及組件等，型號(hào)達(dá)數(shù)萬(wàn)種之多。每種型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管都示出其主要生產(chǎn)廠家、材料與極性、外型與管腳排列、用途與主要特性參數(shù)。同時(shí)還在備注欄列出世界各國(guó)可供代換的場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)，其中含國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)。?

　1．"型號(hào)"欄?
　表中所列各種場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)按英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字順序排列。同一類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體型號(hào)編為一組，處于同一格子內(nèi)，不用細(xì)線分開(kāi)。?
　2．"廠家"欄?
　為了節(jié)省篇幅，僅列入主要廠家，且廠家名稱采用縮寫的形式表示。）
所到廠家的英文縮寫與中文全稱對(duì)照如下：??
?????
ADV?美國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體公司
AEG?美國(guó)AEG公司
AEI?英國(guó)聯(lián)合電子工業(yè)公司
AEL?英、德半導(dǎo)體器件股份公司
ALE?美國(guó)ALEGROMICRO?公司
ALP?美國(guó)ALPHA?INDNSTRLES?公司
AME?挪威微電子技術(shù)公司
AMP?美國(guó)安派克斯電子公司
AMS?美國(guó)微系統(tǒng)公司
APT?美國(guó)先進(jìn)功率技術(shù)公司
ATE?意大利米蘭ATES公司
ATT?美國(guó)電話電報(bào)公司
AVA?美、德先進(jìn)技術(shù)公司
BEN?美國(guó)本迪克斯有限公司
BHA?印度BHARAT電子有限公司
CAL?美國(guó)CALOGIC公司
CDI?印度大陸器件公司
CEN?美國(guó)中央半導(dǎo)體公司
CLV?美國(guó)CLEVITE晶體管公司
COL?美國(guó)COLLMER公司
CRI?美國(guó)克里姆森半導(dǎo)體公司?
CTR?美國(guó)通信晶體管公司
CSA?美國(guó)CSA工業(yè)公司
DIC?美國(guó)狄克遜電子公司
DIO?美國(guó)二極管公司
DIR?美國(guó)DIRECTED?ENERGR公司
LUC?英、德LUCCAS電氣股份公司
MAC?美國(guó)M/A康姆半導(dǎo)體產(chǎn)品公司
MAR?英國(guó)馬可尼電子器件公司
MAL?美國(guó)MALLORY國(guó)際公司
MAT?日本松下公司
MCR?美國(guó)MCRWVE?TECH公司
MIC?中國(guó)香港微電子股份公司
MIS?德、意MISTRAL公司
MIT?日本三菱公司
MOT?美國(guó)莫托羅拉半導(dǎo)體公司
MUL?英國(guó)馬德拉有限公司
NAS?美、德北美半導(dǎo)體電子公司
NEW?英國(guó)新市場(chǎng)晶體管有限公司
NIP?日本日電公司
NJR?日本新日本無(wú)線電股份有公司
NSC?美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司
NUC?美國(guó)核電子產(chǎn)品公司
OKI?日本沖電氣工業(yè)公司
OMN?美國(guó)OMNIREL公司
OPT?美國(guó)OPTEK公司
ORG?日本歐里井電氣公司
PHI?荷蘭飛利浦公司
POL?美國(guó)PORYFET公司
POW?美國(guó)何雷克斯公司
PIS?美國(guó)普利西產(chǎn)品公司
PTC?美國(guó)功率晶體管公司
RAY?美、德雷聲半導(dǎo)體公司
REC?美國(guó)無(wú)線電公司
RET?美國(guó)雷蒂肯公司
RFG?美國(guó)射頻增益公司
RTC?法、德RTC?無(wú)線電技術(shù)公司
SAK?日本三肯公司
SAM?韓國(guó)三星公司
SAN?日本三舍公司
SEL?英國(guó)塞米特朗公司?DIT?德國(guó)DITRATHERM公司
ETC?美國(guó)電子晶體管公司
FCH?美國(guó)范恰得公司
FER?英、德費(fèi)蘭蒂有限公司
FJD?日本富士電機(jī)公司
FRE?美國(guó)FEDERICK公司
FUI?日本富士通公司
FUM?美國(guó)富士通微電子公司
GEC?美國(guó)詹特朗公司
GEN?美國(guó)通用電氣公司
GEU?加拿大GENNUM公司
GPD?美國(guó)鍺功率器件公司
HAR?美國(guó)哈里斯半導(dǎo)體公司
HFO?德國(guó)VHB聯(lián)合企業(yè)
HIT?日本日立公司
HSC?美國(guó)HELLOS半導(dǎo)體公司
IDI?美國(guó)國(guó)際器件公司
INJ?日本國(guó)際器件公司
INR?美、德國(guó)際整流器件公司
INT?美國(guó)INTER?FET?公司
IPR?羅、德?I?P?R?S?BANEASA公司
ISI?英國(guó)英特錫爾公司
ITT?德國(guó)楞茨標(biāo)準(zhǔn)電氣公司
IXY?美國(guó)電報(bào)公司半導(dǎo)體體部
KOR?韓國(guó)電子公司
KYO?日本東光股份公司
LTT?法國(guó)電話公司
SEM?美國(guó)半導(dǎo)體公司
SES?法國(guó)巴黎斯公司
SGS?法、意電子元件">元件股份公司
SHI?日本芝蒲電氣公司
SIE?德國(guó)西門子AG公司
SIG?美國(guó)西格尼蒂克斯公司
SIL?美、德硅技術(shù)公司
SML?美、德塞邁拉布公司
SOL?美、德固體電子公司
SON?日本縈尼公司
SPE?美國(guó)空間功率電子學(xué)公司
SPR?美國(guó)史普拉格公司
SSI?美國(guó)固體工業(yè)公司
STC?美國(guó)硅晶體管公司
STI?美國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)公司
SUP?美國(guó)超技術(shù)公司?
TDY?美、德TELEDYNE晶體管電子公司
TEL?德國(guó)德律風(fēng)根電子公司
TES?捷克TESLA公司
THO?法國(guó)湯姆遜公司
TIX?美國(guó)德州儀器公司
TOG?日本東北金屬工業(yè)公司
TOS?日本東芝公司
TOY?日本羅姆公司
TRA?美國(guó)晶體管有限公司
TRW?英、德TRN半導(dǎo)體公司
UCA?英、德聯(lián)合碳化物公司電子分部
UNI?美國(guó)尤尼特羅德公司
UNR?波蘭外資企業(yè)公司
WAB?美、德WALBERN器件公司
WES?英國(guó)韋斯特科德半導(dǎo)體公司
VAL?德國(guó)凡爾伏公司
YAU?日本GENERAL股份公司
ZET?英國(guó)XETEX公司?


3．"材料"欄?
???????本欄目注明各場(chǎng)效應(yīng)晶體管的材料和極性，沒(méi)有注明材料的均為SI材料，特殊類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管也在這一欄中說(shuō)明。
???????其英文與中文對(duì)照如下：?
???????N-FET?硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
???????P-FET?硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
???????GE-N-FET?鍺N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
???????GE-P-FET?鍺P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
???????GaAS-FET?砷化鎵結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
???????SB肖特基勢(shì)壘柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管?
???????MES?金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（一般為N溝道，若P溝道則在備注欄中注明）
???????HEMT?高電子遷移率晶體管
???????SENSE?FET?電流敏感動(dòng)率MOS場(chǎng)效應(yīng)管
???????SIT?靜電感應(yīng)晶體管
???????IGBT?絕緣柵比極晶體管
???????ALGaAS?鋁家砷?

4．"外形"欄?
???????根據(jù)本欄中所給出的外形圖序號(hào)，可在書(shū)末的"外形與管腳排列圖"中查到該型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的外形與管腳排列方式，但不考慮管子尺寸大小。注明"P-DIT"的為塑料封裝雙列直插式外形，"CER-DIP"的為陶瓷封裝雙列直插式外形，"CHIP"的為小型片狀，"SMD"或"SO"的為表面封裝，"SP"的為特殊外形，"LLCC"為無(wú)引線陶瓷片載體，"WAFER"的為裸芯片。?

5．"用途與特性"欄?
???????本欄中介紹了各種場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要用途及技術(shù)特性參數(shù)。對(duì)于MOSFET增加了MOS?-DPI表示增強(qiáng)型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管或者M(jìn)OS-ENH表示增強(qiáng)型金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管，沒(méi)有注明的即結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

其余的英文縮寫與中文全稱對(duì)照如下：?
?
?????
?A?寬頻帶放大
AM?調(diào)幅
CC?恒流
CHOP?斬波、限幅
C-MIC?電容話筒專用
D?變頻換流
DC?直流
DIFF?差分放大
DUAL?配對(duì)管
DUAL-GATE?雙柵四極
FM?調(diào)頻
GEP?互補(bǔ)類型
HA?行輸出級(jí)
HF?高頻放大（射頻放大）
HG?高跨導(dǎo)
HI-IMP?高輸入阻抗
HI-REL?高可靠性
LMP-C?阻抗變換
L?功率放大
MAP?匹配對(duì)管
MIN?微型
MIX或M?混頻
MW?微波
NF?音頻（低頻）?O?振蕩
S?開(kāi)關(guān)
SW-REG?開(kāi)關(guān)電源
SYM?對(duì)稱類
TEMP?溫度傳感
TR?激勵(lì)、驅(qū)動(dòng)
TUN?調(diào)諧
TV?電視
TC?小型器件標(biāo)志
UHF?超高頻
UNI?一般用途
V?前置/輸入級(jí)
VA?場(chǎng)輸出級(jí)
VHF?甚高頻
VID?視頻
VR?可變電阻
ZF?中放
V-FET?V型槽MOSFET
MOS-INM?MOSFET獨(dú)立組件
MOS-ARR?MOSFET陳列組件
MOS-HBM?MOSFET半橋組件
MOS-FBM?全橋組件
MOS-TPBM?MOSFET三相橋組件
?
??

????????技術(shù)特性參數(shù)列出極限參和特征參數(shù)，其中電壓值：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為柵極間極電壓Vgds或Vgdo,MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（含MES、HEMT）一般為漏極-源極間極限電壓Vdss,IGBT晶體管為集電極發(fā)射極間極限電壓（基極和發(fā)射極短路）V(br)ces?;電流值：耗盡型（含結(jié)型）為最大漏極電流Idss,增強(qiáng)型為漏極極限電流Id，IGBT晶體管為集電極最大直流電流Ic；功率值：一般為漏極耗散功率Pd，高頻功率管有的列出漏極最大輸出功率Po，IGBT晶體管為集電極耗散功率Pc，單位為W或DBM；場(chǎng)效應(yīng)管高頻應(yīng)用的頻率值：一般為特征頻率Ft,有的為最高振蕩頻率FO；開(kāi)關(guān)應(yīng)用及功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電阻值為漏極-源極間的導(dǎo)通電阻Rds，記為Ron，單位Ω；開(kāi)關(guān)時(shí)間："/"(斜線)前為導(dǎo)通時(shí)間Ton?,?"/"后為關(guān)斷時(shí)間Toff,部分開(kāi)關(guān)時(shí)間為上升時(shí)間Tr，和下降時(shí)間Tf，IGBT晶體管"/"斜錢前為延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和td+tr,?"/"后為下降時(shí)間TR；低噪聲的噪聲特性參數(shù)用噪聲系數(shù)NF（DB）或輸入換算噪聲電壓En（VN）表示；對(duì)于對(duì)管列有表示對(duì)稱性參數(shù)的柵源短路時(shí)的漏極電流之比⊿或柵源電壓差⊿VGS或柵極電流差⊿JG；跨導(dǎo)值：表示放大能力的參數(shù)，多為最大跨導(dǎo)GM，單位MS（毫西門子）；柵泄漏電流值：表示輸入阻抗特怕的能數(shù)，記為IGSS，單位NA或PA；夾斷電壓：表示關(guān)斷行斷特性的參數(shù)，記為VP,，單位V。?

6，"?國(guó)內(nèi)外相似型號(hào)"欄?
???????本欄列出特性相似，可供代換的世界各國(guó)場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)，含國(guó)產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這些型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般都可以代換相應(yīng)第一欄（"型號(hào)"欄）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這些管子多數(shù)可直接代換，但有個(gè)別型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管因外形或管腳排列不同，不能直接代換使用，須加以注意。不過(guò)，這些場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要技術(shù)能數(shù)與被代換場(chǎng)效應(yīng)晶體管都比較接近。?
???????這一欄里還對(duì)一些特殊的特性、參數(shù)以備注的形式進(jìn)行說(shuō)明。其中KOMPL（有時(shí)排印為KPL.）后的場(chǎng)效應(yīng)晶體管為第一欄晶體管的互補(bǔ)管。注明INTEGR.D.的表示管內(nèi)含有復(fù)合二極管。對(duì)組件注有XN中N?為組件中的器件數(shù)目。??