由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。起源于1948年發(fā)明的點(diǎn)接觸晶體三極管，50年代初發(fā)展成結(jié)型三極管即現(xiàn)在所稱的雙極型晶體管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)：PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間一層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時(shí)，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會(huì)形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。

　　特點(diǎn)

　　輸入特性曲線：描述了在管壓降UCE一定的情況下，基極電流iB與發(fā)射結(jié)壓降uBE之間的關(guān)系稱為輸入伏安特性，可表示為： 硅管的開啟電壓約為0.7V，鍺管的開啟電壓約為0.3V。

　　輸出特性曲線：描述基極電流IB為一常量時(shí)，集電極電流iC與管壓降uCE之間的函數(shù)關(guān)系可表示為：

　　雙極型晶體管輸出特性可分為三個(gè)區(qū)

　　★截止區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三極管當(dāng)作一個(gè)開關(guān)，這個(gè)狀態(tài)相當(dāng)于斷開狀態(tài)。

　　★飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均為正向偏置。在飽和區(qū)IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三極管當(dāng)作一個(gè)開關(guān)，這時(shí)開關(guān)處于閉合狀態(tài)。

　　★放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

　　放大區(qū)的特點(diǎn)是：

　　◆IC受IB的控制，與UCE的大小幾乎無(wú)關(guān)。因此三極管是一個(gè)受電流IB控制的電流源。

　　◆特性曲線平坦部分之間的間隔大小，反映基極電流IB對(duì)集電極電流IC控制能力的大小，間隔越大表示管子電流放大系數(shù)b越大。

　　◆伏安特性最低的那條線為IB=0，表示基極開路，IC很小，此時(shí)的IC就是穿透電流ICEO。

　　◆在放大區(qū)電流電壓關(guān)系為：UCE=EC-ICRC， IC=βIB

　　◆在放大區(qū)管子可等效為一個(gè)可變直流電阻。極間反向電流：是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)的結(jié)果。

　　。集電極－基極反向飽和電流ICBO ：是集電結(jié)的反向電流。

　　集電極－發(fā)射極反向飽和電流ICEO ：它是穿透電流。

　　ICEO與CBO的關(guān)系：

　　特征頻率 ：由于晶體管中PN結(jié)結(jié)電容的存在，晶體管的交流電流放大系數(shù)會(huì)隨工作頻率的升高而下降，當(dāng) 的數(shù)值下降到1時(shí)的信號(hào)頻率稱為特征頻率 。

　　雙極型晶體管極限參數(shù)

　　★最大集電極耗散功率 如圖所示。

　　★最大集電極電流 ：使b下降到正常值的1/2～2/3時(shí)的集電極電流稱之為集電極最大允許電流。

　　★極間反向擊穿電壓：晶體管的某一電極開路時(shí)，另外兩個(gè)電極間所允許加的最高反向電壓即為極間反向擊穿電壓，超過(guò)此值的管子會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象。溫度升高時(shí)，擊穿電壓要下降。

　　理論分析

　　實(shí)驗(yàn)與分析

　　實(shí)驗(yàn)工作包括：

　　1.大數(shù)量，多品種地測(cè)量了硅高頻中小功率晶體管在不同溫度下IC·IB與VBB的關(guān)系曲線。

　　2.求出了ΔEg和你值。

　　3.測(cè)定了發(fā)射去的基區(qū)少數(shù)載流子遷移率的溫度關(guān)系。

　　4.研究了版圖，摻雜濃度hfe溫度特性的影響

　　實(shí)驗(yàn)中采用了精度高、溫度分布均勻的恒溫裝置，在4 小時(shí)內(nèi)溫度波動(dòng)小于士0.5C。為盡量減小晶體管功耗造成的自升溫的影響，測(cè)試過(guò)程中保持VCB 為0伏。

　　有關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下：

　　1.禁帶變窄量0Eg 對(duì)hpe溫度特性的影響，參見圖1和圖2。從中可以看出，OEg愈大（發(fā)射區(qū)摻雜愈重），hpz隨溫度變化愈快，其溫度系數(shù)B和低溫下降

　　以上實(shí)驗(yàn)證明了基極電流非理想因子n對(duì)hpg 溫度特性確有明顯的影響。實(shí)驗(yàn)還發(fā)現(xiàn)n值與發(fā)射區(qū)圖形有關(guān)。

　　這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果與前述理論分析一致，因此，以確信增加n 值對(duì)改善hpr 溫度特性行之有效。當(dāng)然，n 值增加要適當(dāng)，以保證hpe（Ic）的良好線性。

　　為了考查OEza 的物理意義，將圖2的測(cè)試數(shù)據(jù)按照LTF-OEg.關(guān)系重畫于圖5。可以看出，LTF 數(shù)據(jù)點(diǎn)的分布比圖2 （LTF-OEg）更有規(guī)律性，即LTF 隨OEg.的減小而迅速下降。這再次說(shuō)明了在hpe（T）表達(dá)式中，用OEga 取代OEg是正確的，，它綜合反映了OEg和n值兩方面的影響。

　　圖6給出了分別按式（2）、（3）和（13）計(jì)算的hpz（T）/hpe（T）溫度特性曲線B、D、C，及它們與實(shí)測(cè)曲線A 的比較。

　　可以看出，計(jì)及非理想因子n 的式（13） 與實(shí)測(cè)值最相近。