Numonyx推出全新相變存儲器系列

該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場供貨。

這種新的嵌入式存儲器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲器的優(yōu)點于一身，一顆存儲器芯片即可實現(xiàn)很多新功能。今天，新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx^® Omneo™ PCM，其寫入速度有望達到現(xiàn)有閃存的300倍，耐寫次數(shù)達到10倍*。

今天推出的新產(chǎn)品包括支持串行外設接口（SPI）的存儲器(Omneo™ P5Q PCM)和支持并行NOR接口的存儲器(Omneo™ P8P PCM)。兩種接口產(chǎn)品都充利用新的PCM的技術優(yōu)勢，同時兼容工業(yè)標準的串行接口和并行接口。

Numonyx^® Omneo™ P5Q PCM

Omneo™ P5Q PCM是一款兼容高速SPI接口的90nm相變存儲器，集串行NOR閃存和EEPROM兩大存儲器的技術優(yōu)點于一身，具有字節(jié)修改功能以及更高的寫入速度和耐寫性能。

新存儲器支持字節(jié)修改功能，執(zhí)行寫操作無需再擦除大數(shù)據(jù)區(qū)塊，從而使數(shù)據(jù)處理和軟件編程變得更容易。覆寫即“無擦除”功能讓工程師和設計人員能夠簡化軟件開發(fā)任務，提升系統(tǒng)性能，將存儲器寫時間縮短到閃存的三百分之一。新產(chǎn)品Omneo™ P5Q的耐寫次數(shù)達到100萬次，可寫數(shù)據(jù)的量次是閃存的10倍。

Numonyx^® Omneo™ P8P PCM

Numonyx^® P8P PCM是恒憶推出的第二款90nm128Mb并口相變存儲器。第一款是在2008年12月推出的，支持10萬次的耐寫次數(shù)。第二款產(chǎn)品將這個參數(shù)提高到100萬次。

現(xiàn)在兩款產(chǎn)品均在量產(chǎn)。

Numonyx^® Omneo™演繹“全能，全新”

恒憶還發(fā)布了公司為嵌入式應用相變存儲器創(chuàng)建的新品牌：Numonyx® Omneo™ PCM。采用產(chǎn)品專用品牌方法是為了更效地支持公司的產(chǎn)品戰(zhàn)略：針對特定的客戶應用市場需求，研發(fā)量身訂制的存儲器解決方案。

Omneo™ 品牌代表相變存儲器適用于嵌入式設計領域所有應用的內(nèi)在能力（“omni”）和新一類存儲器（“neo”）。從消費電子到工業(yè)應用，Omneo系列相變存儲器的研制目標是實現(xiàn)嵌入式存儲器系統(tǒng)創(chuàng)新的設計方法，提供長遠的制程升級能力和產(chǎn)品可靠性。